场效应管图形符号巧识别
2014-07-24李静
李静
摘要：本文主要针对场效应管图形符号的识别，进行了较为全面的介绍，希望能够为电子技术应用专业的中职学生解决学习难点起到帮助作用。
关键词：场效应管 中职学生
场效应管类型较多，对于中职学生来说，学习难度较大。如何帮助学生尽快理解并掌握好场效应管这一知识环节，下面就谈一下作者个人的见解。
1 图形符号识别
场效应管的图形符号由三部分组成：引出的电极、代表场效应管基体的短竖线，附着于某电极的箭头。
1.1 沟道类型判断
沟道类型由箭头指向判别。箭头方向由P至N，即箭头出发端与竖线相连，表明其为P型半导体，为P沟道；箭头指向端与竖线相连，为N沟道。图中符号a、c、e均为N沟道场效应管。
1.2 结型与绝缘栅型判断
结型场效应管的栅源反向漏电流不但影响工作稳定性，且造成输入电租降低，为此，出现栅源间几乎绝缘的绝缘栅型场效应管。图形符号上，该类型的场效应管栅极已不再从基体直接引出。这就是图形符号上的判断特征。图中符号c、d、e、f的栅极均未从代表基体的短竖线引出，均为绝缘栅型场效应管。
1.3 耗尽型与增强型的判断
耗尽型指栅极零偏压时，漏源之间存在导电沟道。增强型指栅极零偏压时，漏源之间无导电沟道。图形符号中，代表基体的短竖线为实线表示初始情况下渠道通畅，为虚线表示初始情况下渠道不存在，与概念形象对应。据此不难判断出图中符号c、d为增强型场效应管。
2 工作条件识别
场效应管的工作条件主要是两点：栅源偏置电压和漏源偏置电压。那么偏置电压极性该如何判断呢？
2.1 漏源偏置电压极性
掌握要点：①载流子类型：N沟道载流子为负电荷，P
沟道载流子为正电荷。
②载流子移动方向：负电荷由低电位处移向高电位处，正电荷则相反。
③场效应管的载流子均是由源极移动向漏极（分析漏源电位高低的依据）。
对于N沟道场效应管：载流子为负电荷，移动方向要由源极移动至漏极，显然漏极应为高电位。即漏源正偏。
对于P沟道场效应管：载流子为正电荷，移动方向要有源极移动至漏极，显然漏极应为低电位，即漏源反偏。
2.2 栅源偏置电压极性
掌握要点：①导电沟道：结型场效应管基体半导体类型决定了沟道类型。即基体为N型半导体，场效应管为N沟道；基体为P型半导体，场效应管为P沟道。
绝缘栅型场效应管，导电沟道是迁移基体材料（衬底）的少子形成。因此衬底若为N型半导体，导电沟道则为P沟道。衬底若为P型半导体，导电沟道则为N沟道。
②导电沟道宽窄调控方式：结型场效应管基体两侧参杂产生反型层，利用形成的PN结耗尽层区域大小影响沟道宽窄。PN结耗尽层是在PN结反偏时受控的。因此结型场效应管的栅源电压均为反偏。
绝缘栅型场效应管的导电沟道宽窄，是由吸引衬底少子的数量多少决定。只是耗尽型场效应管初始时已存在导电沟道。因此栅源电压可正可负。只需根据施加电场方向与沟道类型或衬底类型就能判断出导电沟道的宽窄变化趋向。增强型的初始不存在导电沟道，必须在能吸引衬底少子的电场作用，且电场强度达到一定程度时才能形成有效导电沟道。因此只要知道导电沟道类型或衬底材料类型也不难判断栅源应施加极性。简单说N沟道的栅源要正向偏压，P沟道的栅源要反向偏压。
至此，对于场效应管的图形符号识别，以及应用时的基本特点与工作电压极性施加判断，就有了简单明了的分析判断方法。这为学生进一步深入学习理解场效应管奠定了良好基础。
参考文献：
[1]魏珍珠.场效应晶体管的分类及鉴别[J].家电检修技术，2005（03）.
[2]于沁阳.基于场效应管的数控恒流源研究[J].晋城职业技术学院学报，2010（05）.
[3]李家旺.巧识晶体管、场效应管电路符号的意义[J].楚雄师范学院学报，2005-06-30.endprint
摘要：本文主要针对场效应管图形符号的识别，进行了较为全面的介绍，希望能够为电子技术应用专业的中职学生解决学习难点起到帮助作用。
关键词：场效应管 中职学生
场效应管类型较多，对于中职学生来说，学习难度较大。如何帮助学生尽快理解并掌握好场效应管这一知识环节，下面就谈一下作者个人的见解。
1 图形符号识别
场效应管的图形符号由三部分组成：引出的电极、代表场效应管基体的短竖线，附着于某电极的箭头。
1.1 沟道类型判断
沟道类型由箭头指向判别。箭头方向由P至N，即箭头出发端与竖线相连，表明其为P型半导体，为P沟道；箭头指向端与竖线相连，为N沟道。图中符号a、c、e均为N沟道场效应管。
1.2 结型与绝缘栅型判断
结型场效应管的栅源反向漏电流不但影响工作稳定性，且造成输入电租降低，为此，出现栅源间几乎绝缘的绝缘栅型场效应管。图形符号上，该类型的场效应管栅极已不再从基体直接引出。这就是图形符号上的判断特征。图中符号c、d、e、f的栅极均未从代表基体的短竖线引出，均为绝缘栅型场效应管。
1.3 耗尽型与增强型的判断
耗尽型指栅极零偏压时，漏源之间存在导电沟道。增强型指栅极零偏压时，漏源之间无导电沟道。图形符号中，代表基体的短竖线为实线表示初始情况下渠道通畅，为虚线表示初始情况下渠道不存在，与概念形象对应。据此不难判断出图中符号c、d为增强型场效应管。
2 工作条件识别
场效应管的工作条件主要是两点：栅源偏置电压和漏源偏置电压。那么偏置电压极性该如何判断呢？
2.1 漏源偏置电压极性
掌握要点：①载流子类型：N沟道载流子为负电荷，P
沟道载流子为正电荷。
②载流子移动方向：负电荷由低电位处移向高电位处，正电荷则相反。
③场效应管的载流子均是由源极移动向漏极（分析漏源电位高低的依据）。
对于N沟道场效应管：载流子为负电荷，移动方向要由源极移动至漏极，显然漏极应为高电位。即漏源正偏。
对于P沟道场效应管：载流子为正电荷，移动方向要有源极移动至漏极，显然漏极应为低电位，即漏源反偏。
2.2 栅源偏置电压极性
掌握要点：①导电沟道：结型场效应管基体半导体类型决定了沟道类型。即基体为N型半导体，场效应管为N沟道；基体为P型半导体，场效应管为P沟道。
绝缘栅型场效应管，导电沟道是迁移基体材料（衬底）的少子形成。因此衬底若为N型半导体，导电沟道则为P沟道。衬底若为P型半导体，导电沟道则为N沟道。
②导电沟道宽窄调控方式：结型场效应管基体两侧参杂产生反型层，利用形成的PN结耗尽层区域大小影响沟道宽窄。PN结耗尽层是在PN结反偏时受控的。因此结型场效应管的栅源电压均为反偏。
绝缘栅型场效应管的导电沟道宽窄，是由吸引衬底少子的数量多少决定。只是耗尽型场效应管初始时已存在导电沟道。因此栅源电压可正可负。只需根据施加电场方向与沟道类型或衬底类型就能判断出导电沟道的宽窄变化趋向。增强型的初始不存在导电沟道，必须在能吸引衬底少子的电场作用，且电场强度达到一定程度时才能形成有效导电沟道。因此只要知道导电沟道类型或衬底材料类型也不难判断栅源应施加极性。简单说N沟道的栅源要正向偏压，P沟道的栅源要反向偏压。
至此，对于场效应管的图形符号识别，以及应用时的基本特点与工作电压极性施加判断，就有了简单明了的分析判断方法。这为学生进一步深入学习理解场效应管奠定了良好基础。
参考文献：
[1]魏珍珠.场效应晶体管的分类及鉴别[J].家电检修技术，2005（03）.
[2]于沁阳.基于场效应管的数控恒流源研究[J].晋城职业技术学院学报，2010（05）.
[3]李家旺.巧识晶体管、场效应管电路符号的意义[J].楚雄师范学院学报，2005-06-30.endprint
摘要：本文主要针对场效应管图形符号的识别，进行了较为全面的介绍，希望能够为电子技术应用专业的中职学生解决学习难点起到帮助作用。
关键词：场效应管 中职学生
场效应管类型较多，对于中职学生来说，学习难度较大。如何帮助学生尽快理解并掌握好场效应管这一知识环节，下面就谈一下作者个人的见解。
1 图形符号识别
场效应管的图形符号由三部分组成：引出的电极、代表场效应管基体的短竖线，附着于某电极的箭头。
1.1 沟道类型判断
沟道类型由箭头指向判别。箭头方向由P至N，即箭头出发端与竖线相连，表明其为P型半导体，为P沟道；箭头指向端与竖线相连，为N沟道。图中符号a、c、e均为N沟道场效应管。
1.2 结型与绝缘栅型判断
结型场效应管的栅源反向漏电流不但影响工作稳定性，且造成输入电租降低，为此，出现栅源间几乎绝缘的绝缘栅型场效应管。图形符号上，该类型的场效应管栅极已不再从基体直接引出。这就是图形符号上的判断特征。图中符号c、d、e、f的栅极均未从代表基体的短竖线引出，均为绝缘栅型场效应管。
1.3 耗尽型与增强型的判断
耗尽型指栅极零偏压时，漏源之间存在导电沟道。增强型指栅极零偏压时，漏源之间无导电沟道。图形符号中，代表基体的短竖线为实线表示初始情况下渠道通畅，为虚线表示初始情况下渠道不存在，与概念形象对应。据此不难判断出图中符号c、d为增强型场效应管。
2 工作条件识别
场效应管的工作条件主要是两点：栅源偏置电压和漏源偏置电压。那么偏置电压极性该如何判断呢？
2.1 漏源偏置电压极性
掌握要点：①载流子类型：N沟道载流子为负电荷，P
沟道载流子为正电荷。
②载流子移动方向：负电荷由低电位处移向高电位处，正电荷则相反。
③场效应管的载流子均是由源极移动向漏极（分析漏源电位高低的依据）。
对于N沟道场效应管：载流子为负电荷，移动方向要由源极移动至漏极，显然漏极应为高电位。即漏源正偏。
对于P沟道场效应管：载流子为正电荷，移动方向要有源极移动至漏极，显然漏极应为低电位，即漏源反偏。
2.2 栅源偏置电压极性
掌握要点：①导电沟道：结型场效应管基体半导体类型决定了沟道类型。即基体为N型半导体，场效应管为N沟道；基体为P型半导体，场效应管为P沟道。
绝缘栅型场效应管，导电沟道是迁移基体材料（衬底）的少子形成。因此衬底若为N型半导体，导电沟道则为P沟道。衬底若为P型半导体，导电沟道则为N沟道。
②导电沟道宽窄调控方式：结型场效应管基体两侧参杂产生反型层，利用形成的PN结耗尽层区域大小影响沟道宽窄。PN结耗尽层是在PN结反偏时受控的。因此结型场效应管的栅源电压均为反偏。
绝缘栅型场效应管的导电沟道宽窄，是由吸引衬底少子的数量多少决定。只是耗尽型场效应管初始时已存在导电沟道。因此栅源电压可正可负。只需根据施加电场方向与沟道类型或衬底类型就能判断出导电沟道的宽窄变化趋向。增强型的初始不存在导电沟道，必须在能吸引衬底少子的电场作用，且电场强度达到一定程度时才能形成有效导电沟道。因此只要知道导电沟道类型或衬底材料类型也不难判断栅源应施加极性。简单说N沟道的栅源要正向偏压，P沟道的栅源要反向偏压。
至此，对于场效应管的图形符号识别，以及应用时的基本特点与工作电压极性施加判断，就有了简单明了的分析判断方法。这为学生进一步深入学习理解场效应管奠定了良好基础。
参考文献：
[1]魏珍珠.场效应晶体管的分类及鉴别[J].家电检修技术，2005（03）.
[2]于沁阳.基于场效应管的数控恒流源研究[J].晋城职业技术学院学报，2010（05）.
[3]李家旺.巧识晶体管、场效应管电路符号的意义[J].楚雄师范学院学报，2005-06-30.endprint
