电阻率对硅衬底微波传输特性影响分析

刘勇

摘 要： 针对传统硅衬底介质损耗大的现象，通过软件电磁仿真手段分析不同电阻率硅衬底上微带线的传输特性，系统研究电阻率变化对硅衬底微波传输特性的影响，并与基于MEMS三维加工的低阻硅衬底进行比较。在30 GHz频率范围内，当硅衬底电阻率从10 Ω·cm提升至4 000 Ω·cm时，微带线插入损耗从20 dB/cm降低至0.6 dB/cm。电阻率大于100 Ω·cm的高阻硅衬底微波传输特性优于带MEMS空腔的10 Ω·cm低阻硅衬底。结果表明提升电阻率可有效降低硅衬底微波传输损耗，结合低成本成熟工艺等优点，高阻硅衬底具有广阔的微波集成应用前景。

关键词： 电阻率； 硅衬底； 微带线； 插入损耗

中图分类号： TN710?34 文献标识码： A 文章编号： 1004?373X（2014）12?0049?03

Abstract： In consideration of the phenomenon that the dielectric loss of common Si?substrate is high， the microwave transmission characteristics of microstrip line on Si?substrate with different resistivity is investigated based on EM simulation software. The effect of resistivity on microwave transmission property of Si?substrate is systematically researched. The Si?substrate is compared with the low resistivity Si?substrate fabricated by MEMS 3D machining method. In 30 GHz period， the insertion loss of microstrip line is reduced from 20 dB/cm to 0.6 dB/cm while the resistivity of the Si?substrate is raised from 10 Ω/cm to 4000 Ω/cm The microwave transmission characteristics of the Si?substrate with resistivity higher than 100Ω·cm is better than that of the 10 Ω·cm Si?substrate with a MEMS cavity. The results show that microwave transmission loss of the Si?substrate can be effectively reduced by raising resistivity. With advantages including low cost and mature technology， high resistivity Si?substrate will have a wide prospect in microwave integration and application.

Keywords： resistivity； Si?substrate； microstrip line； insertion loss； 10 Ω/cm to 4000 Ω/cm

0 引 言

微波衬底作为微波组件的骨架结构，在具备机械支撑功能的同时实现内部电气互连及通道散热[1?2]。以多芯片组件（MCM）为例，通过将多个芯片高密度组装在互连衬底上，实现一个专用电子产品，按照衬底材料可分为MCM?L、MCM?C、MCM?D等[3]。其中，MCM?L以多层有机材料作为衬底，MCM?C采用厚膜工艺以陶瓷作为衬底，MCM?D采用薄膜工艺以陶瓷、玻璃、硅等作为衬底。衬底的微波传输特性直接影响微波组件整体电学性能。

硅材料的热导率高、加工工艺成熟，具有精度高、成本低且易与其他半导体器件集成等优点，可结合MCM?D工艺实现SIP，应用前景良好[4]。因此，迫切希望能够采用硅衬底制作高性能微波组件。硅常规工艺采用的衬底材料电阻率较低（1～10 Ω·cm），在微波频段存在较大的介质损耗。近年来，随着单晶硅制备工艺的进步，可以通过区熔法或外延工艺获得高阻硅晶圆[5]。

硅片表面热氧化生成SiO2钝化层，有利于降低衬底介质损耗，进一步改善衬底微波传输特性[6]。然而另有研究表明微波传输线下方Si/SiO2系统存在电荷，主要包括氧化层固定正电荷、氧化层可动电荷、Si/SiO2之间的界面态以及电离陷阱等，从而导致衬底上面的传输线损耗增加[7]。随着工艺手段进步，可采用MEMS三维加工手段，从硅衬底背面加工出深槽，引入空气层作为绝缘层，降低衬底综合电磁耦合效应[8]。

本文以硅衬底微带传输线为对象，分析电阻率从10～4 000 Ω·cm变化对硅衬底微波传输损耗的影响，并与三维加工后的硅衬底进行比较。随着电阻率增大，硅衬底微波损耗有显著降低。电阻率4 000 Ω·cm高阻硅上微带线结构，在30 GHz频率范围内插入损耗可小于0.6 dB/cm，并优于带空腔的低阻硅衬底，微波性能良好，满足当前微波MCM设计需求，具有很高实用价值。

1 微带传输线设计

微带线是一种最流行的平面传输线，可以由印制工艺加工，易与其他无源、有源器件集成。本文通过研究硅衬底上的微带线传输特性，进而分析硅衬底的微波传输特性（硅衬底上传输线也常采用CPW形式）。典型的微带线结构如图1所示，由敷在介质基片一面上的导体带与敷在另一面的接地层构成，介质基片厚h，导体带宽度w、厚t。一般地，当w

硅的相对介电常数为Er=11.9，常规电阻率为1～10 Ω·cm。高阻硅电阻率可达4 000 Ω·cm。现有硅晶圆厚度一般在300～500 μm，可根据需求进行抛光减薄至100 μm以下。本文根据硅的以上特性，在厚度为H=350 μm硅衬底上设计50 Ω特征阻抗微带传输线结构，传输线材料为Cu。根据目前工艺技术及计算仿真，传输线厚度取t=2 μm，w=280 μm。

特别地，可通过对硅衬底表面生成SiO2绝缘层，降低硅衬底的介质损耗。典型的SiO2介电特性：相对介电常数Er=3.9，损耗角正切tan D=0.000 4。由于常用的热氧化工艺得到的SiO2薄膜厚度有限，一般在2 μm左右，对衬底特性改善程度有限。采用沉积技术，可以在硅衬底表面制作较厚SiO2绝缘层，进而使得微波隔离效果较为理想。然而由于SiO2内部存在膨胀应力，一般为300 MPa，导致SiO2层与Si衬底层之间存在应力不匹配，容易导致衬底翘曲，限制了器件工艺[9]。Si/SiO2系统存在电荷，可导致衬底上传输线损耗增加，抑制进一步改善传输特性。

随着微细加工技术进步，可采用MEMS三维加工手段，对硅衬底进行干法刻蚀或者湿法腐蚀，去除部分体硅形成空腔，引入空气层作为绝缘层，降低衬底综合电磁耦合效应。其中，常见的湿法腐蚀采用KOH溶液，沿<111>晶面呈倒金字塔形状进行腐蚀，背面窗口大且需要正面保护。干法刻蚀可分为背面DRIE刻蚀及正面XeF2刻蚀方法，其中DRIE刻蚀垂直性较好，XeF2各向同性刻蚀适合正面去除体硅[10]。本文分析背面DRIE干法刻蚀对10 Ω·cm低阻硅微波传输特性的影响，并与高阻硅衬底进行比较。如图2所示，在厚度为350 μm的衬底上刻蚀出厚度为ta的空腔，假定采用金属背板接地，分析ta为50 μm，100 μm，150 μm，200 μm，250 μm，300 μm时微带线传输特性。

2 仿真结果及分析

采用安捷伦ADS软件仿真分析衬底硅电阻率分别为10 Ω·cm，100 Ω·cm，1 000 Ω·cm，2 000 Ω·cm，4 000 Ω·cm时，宽度280 μm、厚度2 μm、长度1 cm的微带线在0.5～30 GHz频率范围内传输特性变化，体现在S11与S21参数的变化。S11仿真结果如图3所示。

由S11参数仿真结果可知，电阻率增大时，S11参数变小，表明微带线反射信号减小，阻抗匹配效果变好。随着频率增加，S11参数逐渐趋向于统一，大约在-20 dB左右，此时电阻率变化对S11参数影响不大。低阻硅上的微带线因衬底电阻率低且介电常数高，容易使信号与地线串扰，漏电导G不能忽略，特性阻抗计算时存在虚部，匹配效果差，传输性能不佳。

S21参数仿真结果如图4与图5所示，随着频率增加，硅衬底上的微带传输线的插损增大。结合传输线长度1 cm可知：高频区域，10 Ω·cm低阻硅衬底微带线插入损耗约在20～25 dB/cm；4 000 Ω·cm高阻硅衬底微带线插入损耗<0.6 dB/cm，微波传输特性良好。

低阻硅上的微带线因衬底电阻率低且介电常数高，容易使信号与地线串扰，产生较大介质损耗。增加电阻率，可以显著降低硅衬底损耗。当电阻率>1 000 Ω·cm时，30 GHz频率范围内微带线插入损耗小于0.9 dB/cm，继续增加电阻率S21值变化不显著，2 000 Ω·cm硅衬底已经表现出较良好的微波传输特性。

如前文所述，低阻硅通过三维加工生成空腔结构，可以降低介质损耗。现对前文电阻率10 Ω·cm的低阻硅衬底微带线进行三维加工，刻蚀出厚度为ta的空腔，假设采用金属背板接地，仿真分析空腔厚度变化时微带线传输特性。

仿真S21参数如图6所示，空腔厚度已在图中标识，单位为μm。由仿真结果可知，随着空腔厚度增加，即刻蚀深度增加，插入损耗减小。当空腔厚度为300 μm时，衬底硅厚度为50 μm，插入损耗约为5 dB，与刻蚀空腔之前的20 dB插损有了很大的改善。

此种经过空腔结构改造的低阻硅衬底，可以一定程度上降低传输损耗，在本文研究的案例中可以与电阻率100 Ω·cm的硅衬底相媲美，然而与电阻率2 000 Ω·cm以上的高阻硅还存在不小的差距。此外，MEMS三维加工增加了工艺复杂性，限制了衬底的应用广泛性。综上，提高电阻率是一种改善硅衬底微波传输特性的理想手段。

3 结 语

本文分析了电阻率变化对硅衬底微波传输特性影响，并与带有空腔的硅衬底进行比较。增加电阻率可有效降低硅衬底的传输损耗，在30 GHz频率范围内，电阻率>1 000 Ω·cm的高阻硅衬底可有效抑制传输损耗，微带传输线插入损耗<0.9 dB/cm，当电阻率为4 000 Ω·cm，微带传输线插入损耗<0.6 dB/cm。对硅衬底进行材料去除形成空腔，是一种改善衬底微波传输特性的有效手段，然而与高阻硅相比还存在一定差距，且工艺复杂性增加。研究结果表明高阻硅的微波传输特性满足当前设计需求，且由于硅晶圆工艺成熟，可借助现有工艺平台，在MCM集成中有较好的应用前景。

参考文献

[1] 李俊生，蒙林，张德智.X波段高功率T/R组件的设计与制作[J].现代电子技术，2009，32（19）：59?61.

[2] 孙永志.微波宽频接收前端低噪声的研究[J].航天电子对抗， 2007，23（5）：24?25.

[3] 中国电子学会生产技术学分会丛书编委会.微电子封装技术[M].合肥：中国科技大学出版社，2003.

[4] LIU K， FRYE R C. Small form?factor integrated passive devices for SiP applications [C]// Proceedings of IEEE MTT?S International Microwave Symposium. Honolulu， HI： IEEE， 2007： 2117?2120.

[5] 罗源，李凌云，钱蓉，等.高阻硅基微带线及微波数字移相器研制[J].功能材料与器件学报，2007，13（2）：155?158.

[6] REYES A C， EI?GHAZALY S M， DOM S J， et al. Silicon as a microwave substrate [C]// Proceedings of IEEE MTT?S International Microwave Symposium. San Diego， USA： IEEE， 1994： 1759?1762.

[7] ZHAO Wei?wei， SCHOLLHORN C， KASPER E. Interface loss mechanism of millimeter?wave coplanar waveguides on silicon [J]. IEEE Transactions on Microwave Theory Tech， 2002， 50（1）： 407?410.

[8] MILANOVIC V， GAITAN M， BOWEN E D， et al. Micromachined microwave transmission lines in CMOS technology [J]. IEEE Transactions on Microwave Theory Tech， 1997， 45（5）： 630?635.

[9] LIU Yong， ZHAO Gang， LI Bao?qing， et al. Pattern buried oxide in silicon?on?insulator?based fabrication of floppy single?crystal?silicon cantilevers [J]. Micro & Nano Letters， 2011， 6（4）： 240?242.

[10] 刘米丰，熊斌，徐德辉，等.基于XeF2硅刻蚀工艺的低阻硅衬底低损耗共面波导[J].固体电子学研究与进展，2012，32（5）：456?462.

硅的相对介电常数为Er=11.9，常规电阻率为1～10 Ω·cm。高阻硅电阻率可达4 000 Ω·cm。现有硅晶圆厚度一般在300～500 μm，可根据需求进行抛光减薄至100 μm以下。本文根据硅的以上特性，在厚度为H=350 μm硅衬底上设计50 Ω特征阻抗微带传输线结构，传输线材料为Cu。根据目前工艺技术及计算仿真，传输线厚度取t=2 μm，w=280 μm。

特别地，可通过对硅衬底表面生成SiO2绝缘层，降低硅衬底的介质损耗。典型的SiO2介电特性：相对介电常数Er=3.9，损耗角正切tan D=0.000 4。由于常用的热氧化工艺得到的SiO2薄膜厚度有限，一般在2 μm左右，对衬底特性改善程度有限。采用沉积技术，可以在硅衬底表面制作较厚SiO2绝缘层，进而使得微波隔离效果较为理想。然而由于SiO2内部存在膨胀应力，一般为300 MPa，导致SiO2层与Si衬底层之间存在应力不匹配，容易导致衬底翘曲，限制了器件工艺[9]。Si/SiO2系统存在电荷，可导致衬底上传输线损耗增加，抑制进一步改善传输特性。

随着微细加工技术进步，可采用MEMS三维加工手段，对硅衬底进行干法刻蚀或者湿法腐蚀，去除部分体硅形成空腔，引入空气层作为绝缘层，降低衬底综合电磁耦合效应。其中，常见的湿法腐蚀采用KOH溶液，沿<111>晶面呈倒金字塔形状进行腐蚀，背面窗口大且需要正面保护。干法刻蚀可分为背面DRIE刻蚀及正面XeF2刻蚀方法，其中DRIE刻蚀垂直性较好，XeF2各向同性刻蚀适合正面去除体硅[10]。本文分析背面DRIE干法刻蚀对10 Ω·cm低阻硅微波传输特性的影响，并与高阻硅衬底进行比较。如图2所示，在厚度为350 μm的衬底上刻蚀出厚度为ta的空腔，假定采用金属背板接地，分析ta为50 μm，100 μm，150 μm，200 μm，250 μm，300 μm时微带线传输特性。

2 仿真结果及分析

采用安捷伦ADS软件仿真分析衬底硅电阻率分别为10 Ω·cm，100 Ω·cm，1 000 Ω·cm，2 000 Ω·cm，4 000 Ω·cm时，宽度280 μm、厚度2 μm、长度1 cm的微带线在0.5～30 GHz频率范围内传输特性变化，体现在S11与S21参数的变化。S11仿真结果如图3所示。

由S11参数仿真结果可知，电阻率增大时，S11参数变小，表明微带线反射信号减小，阻抗匹配效果变好。随着频率增加，S11参数逐渐趋向于统一，大约在-20 dB左右，此时电阻率变化对S11参数影响不大。低阻硅上的微带线因衬底电阻率低且介电常数高，容易使信号与地线串扰，漏电导G不能忽略，特性阻抗计算时存在虚部，匹配效果差，传输性能不佳。

S21参数仿真结果如图4与图5所示，随着频率增加，硅衬底上的微带传输线的插损增大。结合传输线长度1 cm可知：高频区域，10 Ω·cm低阻硅衬底微带线插入损耗约在20～25 dB/cm；4 000 Ω·cm高阻硅衬底微带线插入损耗<0.6 dB/cm，微波传输特性良好。

低阻硅上的微带线因衬底电阻率低且介电常数高，容易使信号与地线串扰，产生较大介质损耗。增加电阻率，可以显著降低硅衬底损耗。当电阻率>1 000 Ω·cm时，30 GHz频率范围内微带线插入损耗小于0.9 dB/cm，继续增加电阻率S21值变化不显著，2 000 Ω·cm硅衬底已经表现出较良好的微波传输特性。

如前文所述，低阻硅通过三维加工生成空腔结构，可以降低介质损耗。现对前文电阻率10 Ω·cm的低阻硅衬底微带线进行三维加工，刻蚀出厚度为ta的空腔，假设采用金属背板接地，仿真分析空腔厚度变化时微带线传输特性。

仿真S21参数如图6所示，空腔厚度已在图中标识，单位为μm。由仿真结果可知，随着空腔厚度增加，即刻蚀深度增加，插入损耗减小。当空腔厚度为300 μm时，衬底硅厚度为50 μm，插入损耗约为5 dB，与刻蚀空腔之前的20 dB插损有了很大的改善。

此种经过空腔结构改造的低阻硅衬底，可以一定程度上降低传输损耗，在本文研究的案例中可以与电阻率100 Ω·cm的硅衬底相媲美，然而与电阻率2 000 Ω·cm以上的高阻硅还存在不小的差距。此外，MEMS三维加工增加了工艺复杂性，限制了衬底的应用广泛性。综上，提高电阻率是一种改善硅衬底微波传输特性的理想手段。

3 结 语

本文分析了电阻率变化对硅衬底微波传输特性影响，并与带有空腔的硅衬底进行比较。增加电阻率可有效降低硅衬底的传输损耗，在30 GHz频率范围内，电阻率>1 000 Ω·cm的高阻硅衬底可有效抑制传输损耗，微带传输线插入损耗<0.9 dB/cm，当电阻率为4 000 Ω·cm，微带传输线插入损耗<0.6 dB/cm。对硅衬底进行材料去除形成空腔，是一种改善衬底微波传输特性的有效手段，然而与高阻硅相比还存在一定差距，且工艺复杂性增加。研究结果表明高阻硅的微波传输特性满足当前设计需求，且由于硅晶圆工艺成熟，可借助现有工艺平台，在MCM集成中有较好的应用前景。

参考文献

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[2] 孙永志.微波宽频接收前端低噪声的研究[J].航天电子对抗， 2007，23（5）：24?25.

[3] 中国电子学会生产技术学分会丛书编委会.微电子封装技术[M].合肥：中国科技大学出版社，2003.

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[7] ZHAO Wei?wei， SCHOLLHORN C， KASPER E. Interface loss mechanism of millimeter?wave coplanar waveguides on silicon [J]. IEEE Transactions on Microwave Theory Tech， 2002， 50（1）： 407?410.

[8] MILANOVIC V， GAITAN M， BOWEN E D， et al. Micromachined microwave transmission lines in CMOS technology [J]. IEEE Transactions on Microwave Theory Tech， 1997， 45（5）： 630?635.

[9] LIU Yong， ZHAO Gang， LI Bao?qing， et al. Pattern buried oxide in silicon?on?insulator?based fabrication of floppy single?crystal?silicon cantilevers [J]. Micro & Nano Letters， 2011， 6（4）： 240?242.

[10] 刘米丰，熊斌，徐德辉，等.基于XeF2硅刻蚀工艺的低阻硅衬底低损耗共面波导[J].固体电子学研究与进展，2012，32（5）：456?462.

硅的相对介电常数为Er=11.9，常规电阻率为1～10 Ω·cm。高阻硅电阻率可达4 000 Ω·cm。现有硅晶圆厚度一般在300～500 μm，可根据需求进行抛光减薄至100 μm以下。本文根据硅的以上特性，在厚度为H=350 μm硅衬底上设计50 Ω特征阻抗微带传输线结构，传输线材料为Cu。根据目前工艺技术及计算仿真，传输线厚度取t=2 μm，w=280 μm。

特别地，可通过对硅衬底表面生成SiO2绝缘层，降低硅衬底的介质损耗。典型的SiO2介电特性：相对介电常数Er=3.9，损耗角正切tan D=0.000 4。由于常用的热氧化工艺得到的SiO2薄膜厚度有限，一般在2 μm左右，对衬底特性改善程度有限。采用沉积技术，可以在硅衬底表面制作较厚SiO2绝缘层，进而使得微波隔离效果较为理想。然而由于SiO2内部存在膨胀应力，一般为300 MPa，导致SiO2层与Si衬底层之间存在应力不匹配，容易导致衬底翘曲，限制了器件工艺[9]。Si/SiO2系统存在电荷，可导致衬底上传输线损耗增加，抑制进一步改善传输特性。

随着微细加工技术进步，可采用MEMS三维加工手段，对硅衬底进行干法刻蚀或者湿法腐蚀，去除部分体硅形成空腔，引入空气层作为绝缘层，降低衬底综合电磁耦合效应。其中，常见的湿法腐蚀采用KOH溶液，沿<111>晶面呈倒金字塔形状进行腐蚀，背面窗口大且需要正面保护。干法刻蚀可分为背面DRIE刻蚀及正面XeF2刻蚀方法，其中DRIE刻蚀垂直性较好，XeF2各向同性刻蚀适合正面去除体硅[10]。本文分析背面DRIE干法刻蚀对10 Ω·cm低阻硅微波传输特性的影响，并与高阻硅衬底进行比较。如图2所示，在厚度为350 μm的衬底上刻蚀出厚度为ta的空腔，假定采用金属背板接地，分析ta为50 μm，100 μm，150 μm，200 μm，250 μm，300 μm时微带线传输特性。

2 仿真结果及分析

采用安捷伦ADS软件仿真分析衬底硅电阻率分别为10 Ω·cm，100 Ω·cm，1 000 Ω·cm，2 000 Ω·cm，4 000 Ω·cm时，宽度280 μm、厚度2 μm、长度1 cm的微带线在0.5～30 GHz频率范围内传输特性变化，体现在S11与S21参数的变化。S11仿真结果如图3所示。

由S11参数仿真结果可知，电阻率增大时，S11参数变小，表明微带线反射信号减小，阻抗匹配效果变好。随着频率增加，S11参数逐渐趋向于统一，大约在-20 dB左右，此时电阻率变化对S11参数影响不大。低阻硅上的微带线因衬底电阻率低且介电常数高，容易使信号与地线串扰，漏电导G不能忽略，特性阻抗计算时存在虚部，匹配效果差，传输性能不佳。

S21参数仿真结果如图4与图5所示，随着频率增加，硅衬底上的微带传输线的插损增大。结合传输线长度1 cm可知：高频区域，10 Ω·cm低阻硅衬底微带线插入损耗约在20～25 dB/cm；4 000 Ω·cm高阻硅衬底微带线插入损耗<0.6 dB/cm，微波传输特性良好。

低阻硅上的微带线因衬底电阻率低且介电常数高，容易使信号与地线串扰，产生较大介质损耗。增加电阻率，可以显著降低硅衬底损耗。当电阻率>1 000 Ω·cm时，30 GHz频率范围内微带线插入损耗小于0.9 dB/cm，继续增加电阻率S21值变化不显著，2 000 Ω·cm硅衬底已经表现出较良好的微波传输特性。

如前文所述，低阻硅通过三维加工生成空腔结构，可以降低介质损耗。现对前文电阻率10 Ω·cm的低阻硅衬底微带线进行三维加工，刻蚀出厚度为ta的空腔，假设采用金属背板接地，仿真分析空腔厚度变化时微带线传输特性。

仿真S21参数如图6所示，空腔厚度已在图中标识，单位为μm。由仿真结果可知，随着空腔厚度增加，即刻蚀深度增加，插入损耗减小。当空腔厚度为300 μm时，衬底硅厚度为50 μm，插入损耗约为5 dB，与刻蚀空腔之前的20 dB插损有了很大的改善。

此种经过空腔结构改造的低阻硅衬底，可以一定程度上降低传输损耗，在本文研究的案例中可以与电阻率100 Ω·cm的硅衬底相媲美，然而与电阻率2 000 Ω·cm以上的高阻硅还存在不小的差距。此外，MEMS三维加工增加了工艺复杂性，限制了衬底的应用广泛性。综上，提高电阻率是一种改善硅衬底微波传输特性的理想手段。

3 结 语

本文分析了电阻率变化对硅衬底微波传输特性影响，并与带有空腔的硅衬底进行比较。增加电阻率可有效降低硅衬底的传输损耗，在30 GHz频率范围内，电阻率>1 000 Ω·cm的高阻硅衬底可有效抑制传输损耗，微带传输线插入损耗<0.9 dB/cm，当电阻率为4 000 Ω·cm，微带传输线插入损耗<0.6 dB/cm。对硅衬底进行材料去除形成空腔，是一种改善衬底微波传输特性的有效手段，然而与高阻硅相比还存在一定差距，且工艺复杂性增加。研究结果表明高阻硅的微波传输特性满足当前设计需求，且由于硅晶圆工艺成熟，可借助现有工艺平台，在MCM集成中有较好的应用前景。

参考文献

[1] 李俊生，蒙林，张德智.X波段高功率T/R组件的设计与制作[J].现代电子技术，2009，32（19）：59?61.

[2] 孙永志.微波宽频接收前端低噪声的研究[J].航天电子对抗， 2007，23（5）：24?25.

[3] 中国电子学会生产技术学分会丛书编委会.微电子封装技术[M].合肥：中国科技大学出版社，2003.

[4] LIU K， FRYE R C. Small form?factor integrated passive devices for SiP applications [C]// Proceedings of IEEE MTT?S International Microwave Symposium. Honolulu， HI： IEEE， 2007： 2117?2120.

[5] 罗源，李凌云，钱蓉，等.高阻硅基微带线及微波数字移相器研制[J].功能材料与器件学报，2007，13（2）：155?158.

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[7] ZHAO Wei?wei， SCHOLLHORN C， KASPER E. Interface loss mechanism of millimeter?wave coplanar waveguides on silicon [J]. IEEE Transactions on Microwave Theory Tech， 2002， 50（1）： 407?410.

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[10] 刘米丰，熊斌，徐德辉，等.基于XeF2硅刻蚀工艺的低阻硅衬底低损耗共面波导[J].固体电子学研究与进展，2012，32（5）：456?462.