麻省理工研制出史上最小晶体管

麻省理工微系统实验室宣布采用砷镓铟化合物制造出了史上最小的晶体管，其厚度仅为22 nm。合作开发人员和麻省理工学院的教授 Jesú del Alamo称，采用砷化铟镓能够制造出极小的MOSFET，由于同时拥有极佳的逻辑性能，可保证在硅达到极限后维持摩尔定律的发展。

研究人员先采用分子束外延技术生长一层砷镓铟单晶，然后沉积一层钼作为源极和漏极接触金属。然后采用电子束光刻在衬底上刻蚀出图案，并将蒸发钼打到表面形成栅极，紧贴在源极和漏极中间。这些技术虽然被广泛应用于硅基半导体制造，但很少被用在化合物半导体晶体管上。这是因为此前化合物半导体通常被用于光通信领域，对空间要求较低。