TE电路保护部推出面向各种高数据速率应用的、业界最低电容的硅静电放电保护器件

TE电路保护部推出面向各种高数据速率应用的、业界最低电容的硅静电放电保护器件

TE Connectivity旗下的一个业务部门TE电路保护部发布一个系列8款全新的单/多通道硅静电放电（SESD）保护器件，可提供市场上最低的电容（双向：典型值为0.10 pF，单向：典型值为0.20 pF）、最高的ESD保护（20 kV空气放电和接触放电）和最小尺寸封装（多通道：最小的直通外形尺寸、厚度为0.31 mm）。

这些SESD器件的超低电容带来了业界最低的插入功耗，这在超高速应用中对保持信号完整性至关重要。该器件可帮助免受由静电放电、浪涌和电缆放电所引起的损坏。多通道器件也具有一个特殊设计的直通封装，可允许印刷电路板（PCB）布线的匹配阻抗，这对于保持高速信号的完整性是必不可少的。具有超低电容、小体积和高静电放电额定防护等级的SESD器件，非常适合于智能手机、高清电视等类似消费电子产品、汽车和其他市场上使用当前和未来最高速率接口的各种产品，这些接口诸如 USB3.0/2.0、HDMI、eSATA、DisplayPort和 Thunderbolt。

这些单/多通道SESD器件具有行业领先的20 kV的接触放电和空气放电额定值，超过了行业标准IEC61000-4-2定义的8 kV。如果在高电压ESD的冲击情况下，这种高电压额定值可将ESD器件出现短路导致端口永久性失效，或者因静电放电导致ESD器件开路、暴露下游芯片组从而带来损坏的风险降到最低。这个功能能够减少客户的投诉和保修费用。

随着消费类电子产品的体积不断缩小，TE电路保护部的SESD器件在持续的小型化趋势中带来了体积上的优势。已可供货的单通道器件采用0201规格XDFN小占位面积 （0.6 mm×0.3 mm×0.31 mm）封装和0402规格XDFN （1.0 mm×0.6 mm×0.38 mm）封装。多通道SESD阵列（2、4、6通道可选）的封装高度低至0.31 mm—与竞争性器件相比降低程度多达50%。SESD器件较低的总体高度使其能够安装在PCB板的边缘，或安装在电路板和连接器之间，从而提升了设计的灵活性。

此外，一个微型化的四通道SESD阵列能够使用在一个面积比四个0201器件更小的电路板区域中，从而带来电路板面积、组装成本和器件成本上的降低。作为市场上最小的4和6通道直通阵列，这些器件在与采用了微型连接器的应用一起使用时仍然易于布线，这些新型连接器包括如HDMI的D型、mini DisplayPort、Thunderbolt和USB 3.0 Micro-B等。

咨询编号：2012051009