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IR推出可靠的超高速1200 V IGBT可显著降低开关及传导损耗,提升整体系统效率

2011-04-02

电子设计工程 2011年19期
关键词:超高速功率密度内置

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出针对感应加热、不间断电源(UPS)太阳能和焊接应用而设计的可靠、高效 1 200 V绝缘栅双极晶体管 (IGBT)系列。

全新超高速1 200 V IGBT系列采用纤薄晶圆场截止沟道技术,可显著降低开关及传导损耗,从而在较高频率下提升功率密度和效率。这些器件不仅为无需短路功能的应用进行了优化,如不间断电源、太阳能逆变器、焊接等应用,而且为电机驱动应用提供10 μs短路功能,与其他IR产品相辅相成。

新系列包括电流介于20 A和50 A之间的封装器件,以及高达150 A电流的裸片产品。其主要优势包括宽方形反向偏压安全操作区(RBSOA)、正VCE(on)温度系数,以及用来降低功率耗散和提升功率密度的低VCE(on)。此外,新器件还可内置/不内置一个超高速软恢复二极管。裸片更配备焊前金属(SFM),以提高热性能、可靠性及效率。

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