非晶硅电池研究

任慧志

摘要：在相同氢稀释硅烷浓度和相同的其它沉积参数情况下，在电池和玻璃上本征材料晶化程度不同，微结构有差别。硅烷浓度SC=8％～2％区间采用提高氢稀释硅烷浓度的方法沉积非晶硅，可使材料的有序度提高。本征层材料硅烷浓度SC=6％的电池在沉积时随着衬底温度的增高，电池的开路电压逐渐减小；电池的填充因子随着本征层压力的增大也呈现上升趋势，开路电压随着沉积压力的增大又逐渐降低。

关键词：非晶硅电池；温度；功率