存储芯片连续涨价，消费电子春天难觅

胡楠

2023年第四季度，国际DRAM、NAND现货价格持续走高，DRAM颗粒DDR4 4G（512*8）2400 Mbps价格由上季度末的1.05美元最高增长至1.30美元。同时，Trend Force还预计2024年第一季Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC/UFS）均价季涨幅将扩大至18%-23%，且在寡占市场格局或是品牌客户恐慌追价的情况下，不排除进一步提高存储芯片价格涨幅。

与之相应，国际存储芯片巨头业绩也明显改善，美光科技2024财年第一财季（2023年9-11月）经营利润由前一季度的-14.72亿美元收窄至-11.28亿美元；三星也上调2023年第四季度业绩预测，其最新营业利润市场预计值为3.49万亿韩元。

不过，存储芯片市场回暖并不意味着消费电子的春天来了，从多方数据来看，DRAM、NAND现货价格上涨主要在于原厂商稼动率的下调，三星电子、SK海力士、美光科技增加半導体设备投资的目的或为提升HBM的产能，而非针对DRAM、NAND扩产。

据国元证券，DRAM和NAND是当下最主流的半导体存储器，两者合计市场规模占比超过95%。

从数据来看，消费电子是DRAM和NAND的重要应用领域，其市场景气程度与存储芯片的价格息息相关。据Canalys数据，2023年第三季度，全球智能手机出货量为2.95亿部，下降速度收窄至-1%，预计2024年实现温和增长。

对于个人电脑市场，Canalys数据显示，2023年第三季度，全球个人电脑市场继续回升，个人电脑的总出货量为6560万台，同比下滑6.70%，但较二季度回升了8%。同时，Canalys还预计个人电脑2024年出货量将达到2.67亿台，同比增长8%。

不过，存储芯片巨头美光科技对于消费电子的复苏预期并不像Canalys那般乐观，其在业绩指引中表示，2024年，全球PC销量有望增长1%-5%，并结束连续两年的跌势，智能手机需求也有望出现复苏的迹象。

值得一提的是，天风证券分析师郭明琪表示，Android手机本轮库存回补始于5-7月，华为于8月底推出Mate 60 Pro后，因需求优于预期故增加采购零组件，逼迫竞争对手需跟进以确保有足够的零组件，进而推升库存回补力道，需注意库存回补力道强劲给人需求结构改善的错觉。

由此看来，个人电脑、手机市场的复苏情况显然不足以维持DRAM、NAND价格的持续上涨，既然需求端不足以支撑存储芯片价格的上涨，故只能从供给端寻找答案。

半导体存储器件的主要市场由海外巨头掌控，且形成寡头垄断的竞争格局。尔必达破产以后，其原有的市场份额被三星电子、SK海力士以及美光科技瓜分。根据Statista统计，2023年第二季度，三星电子、SK海力士与美光科技DRAM营业收入占全球DRAM销售额的比重分别为39.60%、30.10%、25.80%，行业CR3高达95.50%。

NAND市场集中度较DRAM略低，目前营业收入占全球销售额比重超过10%的厂商包括三星电子、SK海力士、西部数据、铠侠电子以及美光科技。根据Statista统计，2023年第二季度，除了三星电子的销售额占比超过30%以外，上述其他厂商的销售额占比均在10%-20%，CR3为68.50%，CR5也接近90%。

因此，当下游需求变动较为缓和时，现有供给的调整就成为了决定DRAM、NAND价格的主要因素。

据国金证券统计，美光科技于2022年11月宣布减产20%，次年3月再次宣布NAND和DRAM投片量减少30%；海力士2023年资本开支减半，7月宣布进一步降低NAND产能；三星电子于2023年第二季度开始减少NAND和DRAM产能；铠侠电子在2022年10月宣布减少30%的NAND产能；西部数据宣布自2023年1月起减产30%的晶圆投片量，同时资本开支同比减少25%。

具体而言，Trend Force数据显示，截至2023年第二季度，三星电子、美光科技、SK海力士稼动率分别下调至77%、74%、82%，第三季度末，三星电子再次宣布扩大减产幅度至50%。

由于存储芯片巨头的持续减产，DRAM、NAND价格在2023年第四季度止跌并迎来反转。由此可见，行业产能下调才是推动次轮存储芯片价格上涨的主要原因。

有意思的是，以手机、PC为代表的消费电子市场需求并未显著增加，但存储芯片多家巨头却计划增加2024年的资本支出。据韩国媒体《ETNews》2023年12月18日报道，两大存储原厂三星电子和SK海力士正在计划增加2024年半导体设备的投资，其中前者计划投资约27万亿韩元，同比增长25%，后者计划投资约5.30万亿韩元，同比增长100%。

而据Trend Force，此前，三星电子为了扩大HBM产能，已收购三星显示韩国天安区内部分建筑及设备，拟用于HBM的生产，前者计划在天安厂建立一条新的封装线，用于扩大规模生产HBM，截至目前公司已经花费105亿韩元购买上述建筑和设备等，预计追加投资0.7万-1万亿韩元。

无独有偶，11月6日，美光科技宣布中国台湾地区台中四厂正式启用，将量产HBM3E及其他产品，从而满足人工智能、数据中心等市场需求。

由此可见，行业巨头计划增加的资本支出大概率与HBM有关。据国金证券研报，HBM即高带宽内存，是一种新兴的DRAM解决方案，随着GPU的快速发展，GDDR5已经渐渐不能满足高性能计算场景对带宽的要求，而HBM重新调整了内存的功耗效率，使得每瓦带宽比GDDR5高出3倍以上。

目前，主流AI训练芯片为了提升带宽更好地发挥算力，都采用了HBM与算力芯片进行合封。例如，英伟达A100、A800芯片使用5颗HBM2E，H100、H800使用5颗HBM3，而MI300则使用了8颗HBM3。根据美光科技的结论，AI服务器对DRAM的需求是普通服务器的8倍。

根据Trend Force估算，2023年，全球AI服务器出货量超过120万台，增速高达37.70%，占整体服务器出货量的比重为9%；2024年预计AI服务器出货量增速将超过38%，占整体服务器出货量的比重也将超过12%；而且，全球AI服务器主流需求正在由HBM2E转变为HBM3，预计2024年HBM3出货量将直接超越HBM2E。

HBM主要市場份额依然被SK海力士、三星电子、美光科技所占据。据国金证券研报，2022年，上述三家公司在HBM市场占有率分别为50%、40%、10%，该竞争格局形成的主要原因在于SK海力士最早于2021年发布HBM3，而2021-2023年上半年，另外两巨头都未能量产HBM3产品，这使得SK海力士有独占HBM3市场的较长窗口期。

不过，2024年，三巨头在HBM市场的份额或将有所变动，美光科技的HBM3E高带宽存储器将应用于英伟达次世代Grace Hopper GH200超级芯片级H200GPU，目前已到最后品管阶段；三星电子已开发出9.8Gbps的HBM3E，计划开始向客户提供样品。更为重要的是，得益于HBM3更高的平均销售单价，其出货量的增加也将带动三巨头业绩增长。

目前，国内主流DRAM、NAND的自给率很低。据中泰证券研报，国内仅有长鑫存储与长江存储正在进行主流DRAM、NAND的研发与生产。值得一提的是，长鑫存储已正式推出LPDDR5系列产品，包括12GB的LPDDR5颗粒、POP封装的12GB LPDDR5芯片以及DSC封装的6GB LPDDR5芯片，其中12GB LPDDR5芯片已经在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。

除此之外，以兆易创新、北京君正为代表的Fabless企业在利基DRAM、SLC NAND、Nor Flash市场也取得了一定的成绩。在Nor Flash市场，Web-Feet Research的报告显示，2022年，兆易创新市场占有率增长至20%，同时公司成功切入利基DRAM市场，并先后推出DDR4、DDR3L产品。

同期，北京君正存储业务收入达到40.50亿元，其SRAM、DRAM、Nor Flash销售收入分别位于全球第二、第七和第六位，其中车载DRAM排名全球第二位，车载SRAM 排名全球第一。

值得一提的是，根据Trend Force消息，随着华邦电子、旺宏等相关厂商减产降低库存，以及在DRAM、NAND涨价氛围带动下，Nor Flash行业开始酝酿涨价，预计相关产品2024年1月起涨价，并有望在第二季度进一步扩大涨幅，届时兆易创新、北京君正、东芯股份皆有望从中受益。