二维高性能浮栅晶体管存储器研究获进展

侯文坤

笔者9月18日从华中科技大学了解到，该校材料成形与模具技术全国重点实验室教授翟天佑团队在二维高性能浮栅晶体管存储器方面取得重要进展。他们研制了一种具有边缘接触特征的新型二维浮栅晶体管器件，与现有商业闪存器件性能相比，其擦写速度、循环寿命等关键性能均有提升。相关研究成果近日发表于《自然—通訊》。