锴威特：聚焦高可靠半导体国产替代 SiC功率器件进入产业化阶段

谢玉璘

凡是涉及电路控制和电能转换的产品均离不开功率半导体，现阶段中国功率半导体产品依赖接近90%，尤其在工业控制领域的高性能产品与高可靠领域的功率半导体产品，国产化替代需求更加迫切。8月18日，聚焦高性能与高可靠“自主创芯”的锴威特（688693.SH）登陆上交所科创板。功率半导体可分为功率器件和功率IC两大类，作为国家级专精特新“小巨人”企业，锴威特拥有包括平面MOSFET、功率IC等700余款产品。2020年至2022年度，公司营收分别为1.37亿、2.1 亿、2.35 亿，扣非后净利分别为-179.75万元、4389.76万元、4956.95万元。

功率器件种类较多，以MOSFET、IGBT等器件的结构最为复杂，工艺门槛和生产成本相对较高，而随着电压和工作频率要求的提升，MOSFET成为功率器件的主流产品。根据芯谋研究，2021年中低压平面（400V以下）MOSFET的国产化率约为42.2%，高压平面MOSFET的国产化率约为29.9%，超高压平面MOSFET的国产化率约为18.2%。

锴威特瞄准国产平面MOSFET产业痛点，以“高可靠性元胞结构”“新型复合终端结构及实现工艺技术”等核心技术作为驱动，主攻高压和超高压MOSFET产品研发。目前，公司已形成中低压、高压、超高压功率MOSFET产品系列，拥有近500款不同规格的产品，其中超高压平面MOSFET最高耐压已达1700V，在国内同行业中处于领先水平。

凭借技术优势，公司不断推动产品技术的高效升级。一方面，公司在平面MOSFET 工藝平台基础上，利用“高压MOSFET的少子寿命控制及工艺实现技术”开发了集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）系列产品。另一方面，公司向沟槽型MOSFET和超结MOSFET方面延伸，并针对新能源汽车用的高压大电流超结MOSFET的芯片封装技术展开布局。

依托可靠性高、参数一致性好等产品性能，公司客户群已覆盖国内高可靠领域电源龙头企业，并获得众多高可靠领域客户的高度认可。在工业控制领域，公司持续深挖工业储能、光伏逆变、新能源汽车及充电桩、工业电源等细分应用领域的产品需求，销售规模稳步提升。据招股书，公司在2021年平面MOSFET国内市场占有率约为1.26%；在FRMOS市场份额位列本土企业第四位（前三位分别为华润微、士兰微、华微电子）。

在功率IC领域，公司产品包括PWM控制IC和栅极驱动IC，已形成80余款功率IC产品，拥有多项经验证的IP核和相关技术积累。其中，PWM 控制IC技术门槛高、拓扑结构复杂多样，主要应用于AC-DC和隔离式DC-DC开关电源模块，是开关电源中的核心元器件。公司栅极驱动IC主要为电机驱动IC，多用于直流无刷电机驱动和步进电机驱动系统中。

功率IC作为模拟集成电路，除了线路设计之外，企业是否拥有定制开发器件的能力也是核心竞争力之一。公司基于晶圆代工厂0.5um 600V SOI BCD 和0.18um 40VBCD 等工艺自主搭建了设计平台，新增600V PMOS 器件、100V/200V/600V 肖特基二极管、耗尽型NMOS、耐压达200V的高压电容等多种定制化特色器件，可满足客户的多样化开发需求。报告期间，公司功率IC客户数量快速增长，高可靠产品客户数量从3个增至64个，并为其提供定制化开发的技术服务。自2020年至2022年，公司功率IC产品收入从322万元增长至5692万元，营收占比从2.41%提高到25.07%，公司产品矩阵进一步优化。

公司高度注重战略性产品的研发投入，持续深度拓展前沿技术的应用。近三年研发投入5，546.77万元，年复合增长率达到27.91%。截至2023年7月13日，公司已积累了10项核心技术，获得71项授权专利（其中发明专利28项，实用新型专利43项）和53项集成电路布图设计专有权。在第三代半导体器件领域，公司SiC功率器件已进入产业化阶段，并利用“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”实现了SiC MOSFET稳定的性能和优良的良率控制，是国内为数不多的具备650V—1700V SiCMOSFET产品设计能力的企业之一。

未来，公司将在功率器件和模块封装可靠性、功率IC产品多品类研发、SiC高温封装应用、SiC MOSFET光继电器以及数字电源等产品进行持续深入研究，并进一步推动第三代半导体功率器件产品的量产落地与技术升级，并围绕新能源汽车、智能电网、储能等领域进行系列化开发，形成新的利润来源。