2023年存储板块能否迎来拐点？

刘吉洪

消费电子寒冬，素有“半导体行业风向标”之称的存储芯片，在需求破灭与库存高企的多重因素下，更是遭受着有史以来最严重的挫败。根据集邦咨询的最新研究报告，2022年第四季度，全球DRAM内存芯片总收入122.8亿美元，环比大跌32.5％，超过了此前第三季度28.9％的跌幅，甚至已经逼近2008年底金融危机时的历史跌幅极值36％。

那么，这股凛冽的寒风要吹到什么时候，存储板块的冬天，要持续到什么时候？

存储芯片步入寒冬

据TrendForce數据显示，存储芯片价格自2022年年初以来一路走跌，DRAM去年第四季度合约价跌幅更是在20%上下；NANDFlash价格在2022下半年也出现了剧烈下跌，目前NANDFlashWafer已接近现金成本。

结合市场现状来看，存储芯片行业正在遭受有史以来最严重的挫败：客户减少订单，库存芯片过剩，产品价格暴跌。

对于存储芯片骤入寒冬的原因，与面板等元器件类似，可以归结为三个方面：

（1）全球消费电子产品需求降温，终端需求缩水注定了上游存储芯片的日子不会太好过；

（2）2021年“芯片热”透支需求，行业旺盛时引发众多厂商疯狂哄抬囤货，随着市场需求转弱，产业链企业库存积压过剩，存储芯片价格下跌；

（3）行业本身强周期，缺芯时存储厂商大肆扩产，后续供需关系转变，导致存储芯片供远大于求。

此前，全球前两大存储厂商三星与SK海力士相继公布“惨淡”财报（三星2022年四季度净利润大跌69%；SK海力士2022Q4创下10年来最大亏损），这更进一步反映了存储市场正在经历的“寒冬”。

存储周期底部观察讯号

存储芯片行业步入寒冬已经是既定事实，而行业何时走出低谷是更多投资者、从业者更关注的事情。

近期，国金电子邵广雨和樊志远发布联名研报，认为存储价格有望逐渐接近下行周期底部，并看好2023年下半年存储板块迎来止跌。

报告显示，存储板块的资本开支增速与市场增速呈现强相关性。综合Semiwiki、Gartner、ICInsights和WSTS的数据，国金电子发现1985-1986年、2001-2002年以及2008-2009年这三个时期，半导体资本开支连续两年出现下滑，但市场增速却先于（2次）或同步（1次）资本开支恢复正成长。国金电子认为资本开支在一定程度上作为前瞻指标预测半导体周期的变化，当厂商大幅削减资本开支时，行业或将迎来拐点。同样的观点在存储细分赛道也得到了验证，2011年存储市场增速先于资本开支增速迎来向上的拐点，2016年和2019年存储市场增速与资本开支增速同时迎来向上拐点。随着各大存储厂商陆续公布2023年展望，并大幅度下调2023年资本开支计划，国金电子看好弹性最大的存储板块2023年下半年迎来见底。

报告指出，行业库存去化自下而上，看好2023年上半年迎来库存拐点。根据国金证券研究所整理的数据，22Q3全球存储原厂库存月数为5.1个月，高于去年同期的3.0个月，且连续五个季度上升，并明显高于上一轮周期顶部（19Q1）的3.7个月。另一方面，主要存储器模组厂商库存却已逐渐出现拐点，22Q3库存月数为3.3个月，已经连续三个季度环比改善或接近持平。复盘存储原厂和模组厂商的库存月数，模组厂商更早感受到终端需求的变化，在上行周期愿意背负更多的库存，在下行周期提前砍单。随着模组厂商的库存月数在2022年底逐渐显现拐点，国金电子看好原厂库存月数在2023年上半年迎来向下的拐点。

报告进一步指出，2023年供过于求的格局有望改善，NAND或先于DRAM复苏。NAND厂商实质减产时间较早，TrendForce预计2023年NAND供给位元增幅将收敛至21%，NAND需求位元同增27%，主要得益于服务器单机搭载容量同增24%，手机闪存容量同增22%，供需差比例从2022年的9%下降到2023年的4%。而由于DRAM厂商扩产计划延后，2023年DRAM供给位元增幅不足10%，且受疫情期间电脑透支消费，手机内存容量增速不如闪存等因素影响，DRAM需求位元增幅来到历史低位，2023年仅同增1%。综合导致DRAM供需改善慢于NAND，国金电子预计2023年下半年NANDFlash或先于DRAM好转。

投资建议

根据报告，国金电子建议投资人持续关注存储器库存、价格数据以及观察物联网（IoT）、智能汽车、工业机器人、AI算力提升带动数据中心需求以及ChatGPT催化智能化应用对存储芯片的需求拉动。

国金电子推荐海外存储大厂美光（美国公司重点奖励公司及大幅削减供给，价格先行标的）、三星（全球NANDFlash超3成份额）、海力士；国内存储标的：兆易创新（NorFlash龙头，DRAM进展顺利）、东芯股份（纯利基型存储标的，SLCNAND占比高）、普冉股份（利基型NorFlash）、澜起科技（DDR5接口芯片）、聚辰股份（EEPROM芯片）、北京君正（全球车用DRAM龙头）、恒烁股份（NorFlash），以及存储模块厂商江波龙、佰维存储、德明利等。

潜在风险不可忽视

不过，国金电子虽然喊出了行业今年见底的观点，但这种观点存在这诸多潜在影响因素，投资者还需多加留意。

例如，海外市场陷入经济衰退预期，影响2023年对存储产品的需求。俄乌战争以及美国加息将加剧海外市场需求承压，如果海外需求持续低迷，将拖累存储产品需求改善的进度。

图：存储产业链示意图

来源：国金电子

又如，存储产品库存持续增长的风险。当前看到渠道模组端厂商库存有所改善，但如果需求持续低迷也存在库存拐头向上的情况，这将进一步拖缓存储原厂库存顶点的到来。

再如，存储价格持续下跌的风险。到目前为止，存储的价格还在继续下跌，虽然国金电子预计后续下降趋势有望放缓，但也不排除持续下跌的情况。

最后，必须紧密关注美国加大对中国半导体相关领域制裁力度的风险。到目前为止，拜登政府对中国科技行业的技术竞争及封锁似乎没有明显改善，若是中美关系持续恶化，可能会影响2023年全球半导体的需求，或将更多国内存储器公司放入实体清单。