行业

清华大学集成电路学院团队首次实现亚1nm栅极长度晶体管

近日，清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破，首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管，并具有良好的电学性能。。这一成果3月10日以“具有亚1纳米栅极长度的垂直硫化钼晶体管”为题，在线发表在国际顶级学术期刊《自然》上。据介绍，目前主流工业界晶体管的栅极尺寸在12nm以上，日本在2012年实现了等效3nm的平面无结型硅基晶体管，2016年美国实现了物理栅长为1nm的平面硫化钼晶体管，而清华大学目前实现等效的物理栅长为0.34nm。