新技术让6G半导体导电性增至4倍

日本大阪大学、三重大学、美国康奈尔大学的研究团队开发出了用于“6G”的半导体成膜技术。研究團队开发出了去除成膜过程中产生的杂质的方法，把晶体管材料的导电性提高到原来的约4倍。计划应用于产业用途，例如在高速无线通信基站上增幅电力等。

研究团队开发出了用氮化铝代替氮化铝镓的高电子迁移率晶体管（HEMT）制造技术。原来在成膜过程中氮化铝表面发生氧化，由此产生的氧杂质改变氮化铝的结晶，难以获得高导电性。通过形成非常薄的铝膜，还原表面的氧化膜，并使其挥发，解决了这一问题后，导电性将提高到原来的3～4倍。