印制板用电解铜箔时效研究
2022-08-03刘海龙吴科建
刘海龙 吴科建 吴 杰
(深南电路股份有限公司,广东 深圳 518117)
0 前言
铜箔是制造覆铜板(CCL)和印制电路板(PCB)的主要原料。随着PCB朝着高频高速、高密度、高可靠性方向发展,铜箔也朝着超薄、低轮廓、高强度、高延展性等方向发展。目前,应用于PCB的电解铜箔有高温高延展性铜箔(HTE)、反转铜箔(RTF)、甚低轮廓铜箔(VLP)、超低轮廓铜箔(HVLP),不同种类铜箔除了特性差异外,对于存储时效方面也有不同。本文主要研究不同铜箔存储时效,得出各种铜箔的合适存储时间,为生产现场对于铜箔的使用和管理提供参考。
1 电解铜箔作用机理
1.1 电解铜箔生产工艺
电解铜箔的生产工艺主要包括电解原箔(生箔)和表面处理。
采用硫酸铜溶液镀铜,以钛金属制电镀辊轮为阴极,铜沉积在钛轮上,随着电镀轮的转动,生箔(raw foil)逐渐增厚,当达到期望的厚度时,即可从镀轮表面剥离,经水洗、干燥后,再收卷成生箔卷。
为了提升在压合过程中铜箔与树脂间的接合强度,铜箔需进行粗化处理,又称瘤化的表面处理。依需求在生箔的其中一面(通常为粗糙面)进行表面粗糙度处理、表面纯化(防氧化)处理以及耐蚀与耐热处理。
1.2 铜箔与半固化片(PP)的结合
作为CCL和PCB的重要基础原材料,铜箔与半固化片的结合对于CCL和PCB的性能有重要影响。
铜箔与半固化片(PP)经高温高压的压合制程结合在一起,两者之间的结合力分为物理结合力和化学结合力(如图1所示)。铜箔毛面呈现“山峰山谷”凹凸不平的微观结构,压合后嵌入PP中,形成“锚固作用”的物理结合力;铜箔表面的耦联剂与PP树脂在压合过程中发生化学交联反应,形成“化学键合”。
图1 铜箔与PP的结合图
2 试验内容
测试物料见表1所示,测试内容见表2所示。
表1 测试物料表
表2 测试项目表
3 测试结果与讨论
3.1 外观
取HTE、RTF、HVLP铜箔,放置生产现场环境下不同时间,观察铜箔表面外观变化。经测试,HTE和RTF铜箔放置6个月、HVLP铜箔放置3个月,铜箔表面无明显氧化变色。
3.2 粗糙度
对三种铜箔放置后状况见表3所示。
表3 铜箔不同时效粗糙度表
从Rz、Ra、比表面积测试结果可以看出,HTE和RTF铜箔放置6个月、HVLP铜箔放置3个月,粗糙度无明显变化。
3.3 SEM+EDS
测试数据见图2~图4所示。从测试结果看出,EDS分析无明显规律,可能与样品测量位置和仪器测量精度有关,故不能定量分析。SEM观察铜箔毛面形貌,HTE铜箔呈现山峰山谷及瘤状的铜颗粒,RTF铜箔呈现条纹状、大小不一的瘤状铜颗粒分布(RTF为反转铜箔,其毛面为生箔光面进行表面处理,条纹为阴极电镀轮上转印而来),HVLP铜箔铜颗粒较均匀。
图2 HTE铜箔不同时效SEM+EDS图
图3 RTF铜箔不同时效SEM+EDS图
图4 HVLP铜箔不同时效SEM+EDS图
随着放置时间增加,三种铜箔形貌均无明显变化。
3.4 抗剥强度
三种铜箔在各个放置时段都进行常态与回流条件下抗剥强度测试,结果为:HTE铜箔自初始至6个月各个放置时段抗剥强度在1.12 N/mm至1.28 N/mm之间,RTF铜箔自初始至6个月各个放置时段抗剥强度在0.46 N/mm至0.57 N/mm之间,HVLP铜箔自初始至3个月各个放置时段抗剥强度在0.48 N/mm至0.58 N/mm之间。
从测试结果看出,HTE、RTF、HVLP铜箔不同时效抗剥强度,均无明显差异。
3.5 爆板时间
铜箔不同时效爆板时间见表4所示。
表4 HTE&RTF&HVLP铜箔不同时效爆板时间表
THE和RTF铜箔放置6个月,TMA爆板时间均未下降,可达T300 120 min不爆板;而HVLP铜箔,初始时T300 120 min不爆板,放置1个月后T300 77 min爆板、2个月T300 14 min爆板,耐热性明显下降。
3.6 热应力
漂锡与浸锡试验结果见表5所示。
表5 HTE&RTF&HVLP铜箔不同时效热应力表
HTE&RTF&HVLP铜箔不同时效热应力,未出现爆板分层。
3.7 FTIR
FTIR测试谱图见图5、图6所示。
图5 HTE&RTF&FTIR谱图
图6 HVLP&FTIR谱图
运用红外光谱仪ATR模式,分别对HTE&RTF&HVLP铜箔毛面测试表面有机物的红外光谱图。由于HTE和RTF铜箔粗糙度较大,FTIR未检测到任何红外吸收峰,而HVLP铜箔粗糙度低,检测到红外吸收峰。初始时1200~1000 cm-1为醚或酯C-O伸缩振动,3个月1126 cm-1、1065 cm-1为仲醇C-O伸缩振动。室温环境下长时间储存,铜箔表面有机硅烷耦联剂可能发生水解,导致耦联剂与PP化学交联强度下降。
4 结论
本文研究了PCB用HTE、RTF、HVLP三种铜箔不同时效的性能,分别测试了铜箔外观、粗糙度、SEM+EDS、抗剥强度、爆板时间、热应力、FTIR等,结果表明如下。
(1)HTE&TF铜箔存储6个月,其各项性能无明显下降;
(2)HVLP铜箔存储1个月,爆板时间明显下降、FTIR测试发现其耦联剂发生变化,其耐热性降低。
随着高频高速信号传输对铜箔粗糙度要求越来越高,HVLP应用越来越多。由于HVLP铜箔粗糙度小,主要靠化学耦联剂与PP结合,故HVLP铜箔的存储和使用需特别注意时效和环境条件,其性能的监控除了抗剥强度外,还需测试TMA爆板时间和FTIR,更能反映其耐热性和可靠性能力。