强流平板二极管阻抗特性研究

2021-08-20田李庄

商品与质量 2021年31期

田李庄

济南新芯微电子有限公司山东济南 250101

强流二极管是现阶段半导体领域的研究重点，当前工作人员应该重视对二极管电压与电流波形的测量工作，便于确定二极管的阻抗曲线。通常情况下，技术人员可以通过对二极管电流电压的测量，从而获得较为准确的阻抗特性曲线。

1 强流平板二极管设计

当前强流平板二极管在设计阶段，工作人员应该重视对现有技术的改进，使用一些较为成熟的半导体技术，通过加装锥形传输线，从而将现有设备控制在低阻抗状态。在该二极管使用阶段，技术人员可以根据Langmuir定律，从而对强流平板二极管阻抗进行细致分析，得出该阻抗可以通过以下表达式来表达：

在该表达式中，其中阿尔芬常数Ia=8.5kA；在表达式中d则是当前二极管的阴阳极间隙。技术人员重视对强力平板二极管的设计工作，便于提升当前设备的性能[1]。

目前，通过对该二极管的理论分析，还可以根据以上表达式，计算得出当前阻抗匹配的纵横比与饱和顺位电流。

在强流平板二极管自身设计中，当前饱和顺位电流可以表达为：

当前实验阶段，工作人员可以将该数值有效带入饱和顺位电流表达式中，从而计算得出现阶段工作人员在设计强流平板二极管时，应该将二极管间隙控制在10-20mm之间，以便于改进当前工作方案，开展有效设计。

除此之外，当前工作人员应该使用一些更为优质的器械，能够准确测量当前电力线路，以便于对现有波形进行修正，能够改进现有施工方案，高效得出测点和二极管之间的传输线电感。

2 强流平板二极管阻抗特性分析

2.1 实验内容

当前工作人员在实验环节，则是重视对现有强流平板二极管的性能研究工作。在该实验中，选择的平板材料主要为高纯度石墨，将其直径控制在100mm，内部的间隙为10mm，工作人员以此为基底，重视对二极管的装配工作。

通过将装配好的强流平板二极管进行有效设计，当前工作人员还应该制定合适的工作方案，从而改进现有施工，不断提高该设备的性能。实验阶段，技术人员将充电电压控制在25kV，并且将二极管的电压峰值控制在600kV。除此之外，现有技术人员还应该布置探头，能够对二极管工作中的电流电压数据进行收集，从而提高当前工作效率。在实验阶段，技术人员重视对不同数据的统计工作，从而确定当前设备是否符合预期性能。在该实验中，二极管峰值电压主要575.42kV，而峰值电流主要78.39kA，技术人员通过对数据的分析工作，能够改进现有技术方案，避免该设备出现异常，严重影响该设备的性能。

2.2 箍缩特性分析

当前技术人员结合试验数据，将实测的二极管电压与众多数据及时记录，并且通过各项数据进行波形验证，从而得出强流直板二极管的箍缩特性。通过对实验数据的记录，可以借助PIC仿真软件，将阳极靶面边缘的起始波形时刻设置为11ns，将其余的时刻设置为13ns，在该实验阶段，可以发现实验数据与PIC仿真结果存在较大的相似之处。

在实验阶段，工作人员还应该重视对波形数据的收集工作，将整体二极管的波形有效划分为三个不同的阶段，分别是非箍缩流，下一阶段为弱箍缩流，最后为非箍缩流。该装置主要基于石墨石板，在后续设置中，当前工作人员应该重视稳态流，逐步提升当前设备的性能。工作人员重视对现有数据的收集，结合半导体实验，可以得出当前二极管的峰值电流为76kA，表明该设备具有较高的实用价值[2]。

2.3 阻抗特性分析

当前在实验环节，关于强流平板二极管的性能研究较为广泛，在日常工作中，各部门工作人员应该重视对阻抗特性的分析工作，从而提高该器件的性能，避免在设备使用阶段出现较大的变动，造成该设施的阻抗特性出现异常现象。

在实验环节，技术人员应该结合以往一些较为普通的二极管曲线，从而探究强流平板二极管的基本特性，能够提高现有工作方案，适应当前各项工作的基本需求，避免阻抗因离子体导通而出现崩溃现象，造成整体设备的阻值降低为0。目前，技术人员在日常工作中，重视对阻抗特性曲线的分析工作，确保该设施能够正常发挥自身重要作用，适应当前各项工作的需求。结合该特性曲线，可以有效得出两个重要时刻，其一为15ns，其二为70ns，在这两个不同的时刻，二极管的阻抗出现较大的变化，在15ns时阻抗初步建立，在70ns时，该二极管有离子体导通而出现崩溃现象。技术人员应该结合该波形，重视对现有数据的分析工作，从而改进工作方案，能够有效调整当前各项工作，便于分析强流平板二极管的自身属性，能够改善当前技术方案，从而形成复杂的束-场耦合过程。并且，技术人员结合粒子模拟的结果可以得出当前强流平板二极管在自身使用中，会出现一定幅度的衰减，能够有整体进行转变，从而提高整体工作效率。除此之外，现有工作人员应该结合该设计的基本理念，重视对阻抗特性曲线的分析工作，将这些收集到的数据进行模拟，分析不同时刻二极管的阻抗变化，以便于更为细致了解该器件的功能。

技术人员结合法拉第筒阵列，有效计算当前设备的束流密度，重视对PIC仿真结果的对比，并且结合该设计的功能，以便于确定该二极管的阻抗曲线。在岗位工作中，技术人员应该围绕“类锥形”的束流变化，有效分析当前各项工作中存在的问题。在该实验中，技术人员重视对二极管阻抗性能的研究，可以发现强流平板二极管在使用阶段，出现阻抗崩塌的原因并不是等离子体的导通，而是束流由阳级中心的类锥形转变而造成的。