西瓜“沟式栽培”利弊分析及改进措施

罗鸿 杨卓 吕彩艳 马冬妮

西瓜的根系属直根系。其初生根少，木质化程度高，再生能力弱，且不耐涝，因而对土壤的通透性要求较高，在生产上多以“垄式栽培”为主。近年来，扶风县召公镇的瓜农们克服当地水资源匮乏的困境，成功开创了露地西瓜“沟式栽培” 的模式，取得了较好的经济效益，打破了当地“没水不种瓜，种瓜钱白花”的传统观念，邻近的乡镇天度、店头（永寿）、临平（乾县）、苏坊（武功）等地的瓜农们也多仿效，有力带动了干旱半干旱地区的西瓜生产。笔者经长期的田间调研发现，西瓜“沟式栽培”相对于传统“垄式栽培”具有抗倒春寒、节约水资源、易于田间管理等优点，但在生产中还有亟待改进的方面。现将两种栽培模式的优缺点作以简要分析，并对“沟式栽培”模式提出可行的改进措施，以期帮助广大瓜农增产增收、促进当地西瓜产业升级。

1   西瓜“垄式栽培”模式优缺点

1.1   “垄式栽培”优点

1）土层疏松，利于西瓜根系生长。垄式栽培一般是在精细整地的基础上，由人工起垄或机械刨垄而成，种植垄在地膜覆盖下降雨、灌溉水不能直接进入，因而垄间土壤疏松、通透性良好，利于西瓜根系正常生长。

2）地温回升快，利于定植后幼苗根系的生长。“垄式栽培”因垄面高于地面，能充分接受太阳辐射热量，相比于“沟式栽培”，其种植带内的地温回升较快，利于定植后的西瓜幼苗生发新根，因而缓苗时间短。

3）地膜与土层接触紧密，抑制杂草效果好。一方面，相对密闭的膜下空间阻隔了杂草萌发时氧气的供应量;另一方面，膜下地表的高温环境（41～48 ℃）也不利于杂草种子发芽，进入高温季节（气温>35 ℃时）后膜下表土温度更高，达50 ℃以上，能直接灼伤杂草生长点及叶片，抑制其生长。

4）雨水不易富集到根部，不会发生沤根、死苗现象。因垄式栽培是凸形畦面，降雨或灌溉水只在垄外行间富集，不会使瓜根际的土壤水分过大而影响其通透性，可有效避免沤根、死苗情况的发生。

1.2   “垄式栽培”缺点   “垄式栽培”需人工开挖定植穴，费工费时。瓜苗定植于畦面顶部，定植穴蓄水有限，不耐干旱;瓜苗处于露天环境，遇太阳暴晒易失水萎蔫，遇寒潮低温易受冷害，导致瓜苗生长缓慢。灌溉时需大水漫灌，浪费水资源，田间土壤板结严重。只能采取行间灌溉，田间湿度大易造成行间杂草丛生。高湿高温环境极易诱发病害（叶枯病、蔓枯病、细菌性果斑病、炭疽病等）。对水源条件要求高，不适宜在干旱半干旱地区应用。

2   西瓜“沟式栽培”模式优缺点

采用机械刨垄（刨垄法）或机械开沟（开沟法），形成“两垄夹一沟”的种植沟（一般两垄顶部宽度40 cm，沟底部宽度10 cm，垄高30 cm），将肥料撒施于定植沟内耙匀，然后泵水漫灌种植沟。沟内水满关泵，待水分下渗后开始栽苗。栽植瓜苗时，小心捏住瓜苗根茎部将营养钵土球直接按入稀泥中，以土球没入泥中1 cm为准。最后，覆盖地膜，培土压膜，并在膜上抠直径3～5 cm的通风孔，1苗1孔。瓜苗定植5～7天后，放苗出膜，后期田间管理与“垄式栽培”无异。见图1。

2.1   “沟式栽培”优点

1）相比于“垄式栽培”施肥于1 m宽的种植带内、然后旋耕刨垄的方式，“沟式栽培”具有肥料集中、肥效持久、利用率高的优势。

2）泥中植苗，全程不用人工挖穴、培土定植，省工高效。

3）“以膜为棚”，保温保湿，能保证瓜苗正常生长。瓜苗定植完毕即进行人工覆膜。覆膜后不放苗出膜，在膜上抠直径3～5 cm的通风孔，5～7天后选晴天午后放苗出膜。利用膜下保温保湿功能促进瓜苗平稳缓苗、快速生长，并可有效抵御不利气候（倒春寒、晚霜冻）的影响。

4）土壤蓄水量充足，利于瓜苗伸蔓期生长。西瓜定植20天后即进入伸蔓期，这是西瓜一生中生长最快阶段，也是光呼吸最旺、蒸腾作用最强、水分需求最紧迫阶段。“沟式栽培”模式下，土壤蓄水量充足，能够很好地满足此期的水分要求，利于瓜蔓营养面积的快速形成。

5）可“膜上走水”，节水抗旱，适合干旱半干旱地区推广。西瓜膨大阶段是产量形成期，对于水资源匮乏地区，此时若遇高温干旱天气将导致严重减产。利用“沟式栽培”模式可进行“膜上走水”，即以微型泵抽水或人工拉水注入沟膜上自行流淌，水分在流动过程中从西瓜定植孔或放风孔处下渗至根部土壤，达到节水高效、抗旱增产之目的。因此，该模式在旱塬地区具有良好的表现（见图2）。

6）田间湿度较低，不利于病害传播。由于“膜上走水”只在种植沟间灌溉，种植行一般不浇水，能显著降低大田湿度，利于减轻西瓜中后期阶段的病害发生。

2.2   “沟式栽培”缺点

1）种植带呈凹形，沟内接受阳光辐射热量有限，土壤升温较慢，不利于新生根系的形成，故瓜苗定植后其缓苗时间较长。

2）种植沟内土壤含水量较高、通透性差，瓜苗前期生长较慢。

3）气温骤升时，若通风孔过小或位置不当，易导致热害或高温“烧苗”。

4）遇降雨时，膜上易积水压伤瓜苗，或雨水从定植孔渗入根部，增大土壤含水量，导致沤根、死苗现象。

5）定植沟内易滋生杂草，缩短地膜的使用寿命。

3   西瓜“沟式栽培”改进措施

3.1    改进刨垄法，拓宽沟底和垄面   延用刨垄法，但加大“两垄夹一沟”的沟底宽度（﹥20 cm）、垄顶宽度（﹥60 cm以上），并采用宽幅地膜覆盖（幅宽﹥120 cm）。淘汰开沟法。加大垄间距离、采用宽膜覆盖，既可提高对太阳光辐射热的利用率、减少地表水分蒸发，又可降低膜上积水的隐患。开沟法的沟式栽培畦面窄小，蓄积光温资源有限，且易形成膜上积水，反倒不利于瓜苗生长。

3.2   将瓜苗紧靠在瓜蔓爬向侧的垄边（即沟的半坡）栽植，不要栽在沟正中（见图3）   这样，即便膜上雨水灌入瓜秧根部，深入垄下的根系仍能维持瓜秧的正常生长，避免沤根死苗。

3.3   覆盖地膜松紧适度   膜面过松，易造成膜面积水或灼伤叶片;過紧，会给后期放苗培土工作带来不利影响，一般以膜面高于瓜苗3～5 cm为度。

3.4   覆膜后在相邻两个瓜苗的中间位置开通气孔   若在瓜苗的正上方开留通风孔，极易造成膜下热气逸出时灼伤瓜苗。

3.5   放苗开口要大，以确保膜面不接触瓜苗根茎   防止膜下水汽烫伤瓜茎诱发溃疡病  同时，用虚土围严瓜根、压实放苗口和通风孔，一防膜下热气灼伤瓜叶，二防膜下杂草丛生。两瓜苗间的通风孔实际是水分下渗孔，所以土堆不宜过大，以免影响前期“膜上积水”下渗、后期“膜上走水”受阻。

3.6   整蔓上垄，不跨沟   瓜秧伸蔓期整蔓时要培土，把瓜秧倒向紧靠的一侧垄上向前生长，瓜蔓不能跨沟生长，以免给后期田间作业、膜上灌溉等带来不便。见图4。

4   西瓜“沟式栽培”改进后效果

自2018年以来，笔者先后在召公镇的聚粮村、新庄村、召公村、作里村等10余个村大力推广“两垄夹一沟”的改良栽培模式，有效解决了“开沟法”沟式栽培存在的积水压苗、遇雨死苗、缓苗周期长的弊端;积极倡导“膜上走水”的灌溉方式，达到了节水、高效的生产目的。目前，新“沟式栽培”模式已经得到了当地瓜农的认可，栽培面积逐年扩大。据召公镇农技站统计，2019年召公镇西瓜种植面积达600 hm2，其中采用“新沟式栽培”面积约100 hm2，占总面积16.7%;2020年全镇西瓜面积450 hm2，“新沟式栽培”面积约200 hm2，占总面积44.4%。

（参考文献略）