一种高效铜钼蚀刻液及蚀刻方法

专利申请号: CN201811013298

公开号: CN109136931A

申请日:2018.08.31公开日:2019.01.04

申请人: 深圳市华星光电技术有限公司

本发明提供一种高效铜钼蚀刻液。蚀刻液的主要成分包括7%～15%(占蚀刻液总质量,下同)的过氧化氢、2%～7%的调节剂、1%～3%的稳定剂、3%～10%的有机酸、0.001%～1%的抑制剂以及1%～10%的pH调节剂，余量为去离子水；本发明还提供一种用于铜钼金属膜层的蚀刻方法。有益效果：本发明所提供的高效铜钼蚀刻液及蚀刻方法，将含有过氧化氢的蚀刻液在蚀刻前通过微波辐射保持特定温度不变，增强了对铜钼金属膜层的氧化能力，进一步加快了蚀刻反应速率，更进一步提升了蚀刻品质。