一种钙钛矿/背接触晶硅叠层太阳能电池

著录项

申请号：CN201910270133.3

申请日：20190404

公开号：CN109888034A

公开日：20190614

申请（专利权）人：国家电投集团西安太阳能电力有限公司；国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司；青海黄河上游水电开发有限责任公司；国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司

发明人：席珍珍

主分类号：H01L31/043

分类号：H01L31/043 H01L31/06

权利要求

1.一种钙钛矿/背接触晶硅叠层太阳能电池，其特征在于，它采用双结叠层结构，底电池为背接触晶硅太阳能电池，顶电池为钙钛矿太阳能电池；所述背接触太阳能电池为背结结构，从下到上依次包括电极、背表面钝化层、P+/n+区、晶硅衬底、前表面结构和前表面钝化层；所述钙钛矿太阳能电池制备在晶硅衬底前表面上。

2.如权利要求1所述的钙钛矿/背接触晶硅叠层太阳能电池，其特征在于，所述背接触晶硅太阳能电池的晶硅衬底为P型单晶硅衬底、P型多晶硅衬底、N型单晶硅衬底和N型多晶硅衬底中的任意一种。

3.如权利要求1所述的钙钛矿/背接触晶硅叠层太阳能电池，其特征在于，所述背接触晶硅太阳能电池的晶硅衬底前表面和背表面为制绒面或抛光面中的任意一种。

4.如权利要求1所述的钙钛矿/背接触晶硅叠层太阳能电池，其特征在于，所述背接触晶硅太阳能电池的前表面结构为无前表面结构、N型前表面场结构(FSF)和P型前表面浮空发射区结构(FFE)中的任意一种。

5.如权利要求1所述的钙钛矿/背接触晶硅叠层太阳能电池，其特征在于，所述背接触晶硅太阳能电池的背表面钝化层为SiO2、SiNx、AlOx、多晶硅或非晶硅中的一种或多种的组合。

6.如权利要求1所述的钙钛矿/背接触晶硅叠层太阳能电池，其特征在于，所述背接触晶硅太阳能电池的前表面钝化层为SiO2/多晶硅结构。

7.如权利要求1所述的钙钛矿/背接触晶硅叠层太阳能电池，其特征在于，所述背接触晶硅太阳能电池的P+区采用激光开槽、印刷铝浆料或掩膜技术制得。

8.如权利要求1所述的钙钛矿/背接触晶硅叠层太阳能电池，其特征在于，所述背接触晶硅太阳能电池背表面主栅线电极采用低温主栅银浆，紫外固化主栅银浆、银铝浆或铝浆中的任意一种。

9.如权利要求1所述的钙钛矿/背接触晶硅叠层太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿太阳能电池从下到上依次包括透明导电薄膜、空穴传输层、钙钛矿吸光层、缓冲层、电子传输层、透明导电薄膜以及顶电极。

10.如权利要求9所述的钙钛矿/背接触晶硅叠层太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿太阳能电池的透明导电薄膜为石墨烯、MoOx、FTO、ITO中的任意一种。