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一种基于SiGe工艺的DDS用并串转换电路设计

2021-03-26王硕齐贺飞王鑫

电子元器件与信息技术 2021年11期
关键词:分频器时钟芯片

王硕,齐贺飞,王鑫

(中国电子科技集团公司第十三研究所,河北 石家庄 050001)

0 引言

随着通信频段从3G时代向4G时代迈进,无线通信的频率达到了一个新的高度,对更高频的数模转换器和频率合成器需求日益旺盛,通常采样更新频率要求都在1GHz以上,由于目前单通道数字频率合成器已经逼近当前工艺下的理论极限,为了满足对更高频段的时钟进行直接合成,突破单通道数字电路时钟频率的限制,提高性能指标,多路合成数字频率合成器应运而生。

1 延迟锁相分频器设计

SiGe工艺中的NPN三极管的截止频率性能优越,而DAC(Digital to Analog Converter)的性能直接影响到输出频率的范围,由于奈奎斯特采样定理限制,DAC输出信号的频率不能超过时钟频率的一半。为了实现更高的无杂散动态范围等性能考虑,输出频率最多不能超过33%的时钟采样频率,因此为了提高DDS(DirectDigital Synthesizer)输出的范围[1],应首先尽可能地提高数字信号的频率。由于模拟电路的稳定性、精度、功率等系统要求,并出于降低成本、高性能等考虑,芯片工艺节点受限制较多,目前能满足要求的电路只能选择0.35um的工艺节点[2],在相对成熟的工艺节点下,由于性能限制,DDS 的查表电路存储器电路的设计只能实现150MHz的时钟频率,而通过八个子通道合成,最高可以实现1.2GHz的数字信号刷新率,最高输出频率可达400MHz。因此采用0.35um SiGe工艺成为目前设计高速低成本DDS电路的最佳选择[3]。

本文提出了一种方案,将八个子通道的数字电路实现DDS的查表功能,通过并转串电路实现八通道的时间交织。然后通过DAC对输出信号进行转换,该DAC内嵌于DDS芯片中使用,实现精准的数字频率合成。由于在各个子通道之间存在非线性与不匹配,以及内部时钟的不稳定都会影响芯片的性能。为了改善时钟系统的不稳定性,本文设计了一种延迟锁相分频器,可以输出8路相位差各45°的时钟信号,并提供给各个子通道,通过合成实现高速串行信号,给DAC提供高速并且满足采样条件的数字信号输入,如图1所示。

图1 八分频器的原理示意图

由于需要8通道时钟,考虑到可以用4路互补信号实现,因此设计了4级延迟锁相电路。通过附加反馈逻辑,从而实现8路子通道时钟均分整个周期。电路启动并趋于稳定后,可以实现稳定的45°相位差。仿真结果如图2所示。

图2 八分频器的时钟输出信号图

2 并转串采样电路设计

受到集成电路制造工艺限制,混合信号集成电路对于频率、精度和功耗成本等多方面制约,基于标准CMOS工艺的常规DDS已难以实现500MHz以上的工作频率和DAC的采样频率,输出频率被限制在200MHz以内,制约了其应用场景[4]。采样电路和并联转换电路示意图如图3所示。

图3 八个子通道信号选通电路示意图

通过与非门阵列实现了将8路信号合成为一路。真值表计算如下:

仿真结果如图4所示。

图4 并串转换中采样信号的波形图

例如,8个子通道输入信号依次是:0001 0011,合成后的电路数字码如图5所示,每位数据持续时间为0.875ns,因此数字信号更新频率已达到1.2GHz。

图5 DAC 输入中某位输出信号的波形示意图

DAC输入信号的并联转为串联之后,可以看出合成后的数字码到达了并联向串联转换的目的。而且单个子通道的速度最高可达150MHz,由8个通道的数字码经过并转串合成后的数字码频率可达1.2GHz,通过DDS内核查表输出至DAC后,在采样率1.2GHz的12位高速DAC最高可以实现400MHz的任意频率直接合成,频率精度优于1Hz。

3 芯片的版图设计

芯片的时钟树版图如图6所示。由于DAC工作频率高,从数字码输入到最后输出至DAC进行数模转换的过程中需要保证时钟到达的时序一致。版图设计中主要考虑了互联电阻带来的RC延迟,因此版图按照全对称设计进行分析,中间插入了缓冲器实现8个子通道的同相位输出,以保证DAC采样所需的建立时间与保持时间。

图6 并串转换模块的时钟树版图设计

4 测试结果

测试结果:在时钟频率1.2GHz,输出频率可达401MHz时,测试无杂散动态范围如图7所示,输出的窄带无杂散动态范围可达90dBc。如图中Mark1点所示,嗓底超过9格,10dB每格。

图7 无杂散动态范围测试结果

使用锁相环产生1GHz时钟,将输出频率调制403MHz进行相位噪声测试[5],结果如图8所示。相位噪声约–129dBc/Hz@10kHz,输出信号的相位噪声较好。通过测试,可以证明本文提出的8合1并转串电路可工作于1.2GHz。

图8 相位噪声测试结果

5 结论

本文基于SiGe-BICMOS工艺,设计了一款用于T/R的DDS芯片,并进行了流片验证。本文提出了一种基于时间交织技术的DDS设计思路。通过对芯片进行测试,本文所采用的8选1 MUX并转串结构可以在常规的0.35um工艺节点,提高数字部分的数据刷新频率为时钟频率的8倍,可以充分利用SiGe的高性能DAC,实现1.2GHz以上的工作频率和400MHz的输出频率。

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