室温铁磁性半导体找到新获得途径

国际权威期刊《Nano Today》近日刊文显示，郑州大学许群教授课题组利用CO在非范德华力晶体孔道内构建强内应力场，成功制备出具有室温响应的二维铁磁性VO。

许群介绍，面对更先进的信息技术需求，在更高集成度、更高快速响应、更低功耗等方面对电子器件有更高的要求。二维铁磁材料由于其少层原子层厚度和可控的电子自旋，已成为下一代自旋电子器件的研究热点。

他说，现有非磁性二维材料中诱导磁矩是通过调节应变、边缘结构或缺陷工程来引入电荷载流子，这些都集中在外部诱导磁响应上，如何突破传统制备模式并深刻理解二维铁磁材料的本征特性极具重要意义。

过渡金属氧化物VO表现出许多新的物理现象，如金属-绝缘体转变和室温铁磁性。在强相关过渡金属氧化物（TMOs）材料中，d層和f层电子其自由度（自旋、电荷和轨道矩）的相互作用使得结构和磁性对温度、压力和组分等参数的微小变化非常敏感，然而多数情况，来自外部诱导的局部磁矩非常弱，并且产生的磁性通常只关联表面少数原子。因此相较于缺陷工程，如何打破序参量的对称性，在材料中创造新的表面或诱导晶体到无定形的转变，进而产生本征磁各向异性，是一个有效的路径。

许群教授课题组提出一种CO诱导相变工程策略，将非范德华体相VO成功转化为室温响应的2D铁磁体。引入的CO不仅可以引发材料表界面相变，还可以在VO的晶格孔道中产生强大的内力场，由此导致的共价键选择性断裂，将三维VO晶体转化为二维纳米片，最终获得“锁定”的亚稳相的2D拓扑结构并表现出显著增强的室温铁磁响应。该研究工作为二维非范德华铁磁体的制备开辟了一条新途径，同时对CO在晶体孔道中产生的内应力及其关联亚稳相产生的机理进行了探讨，为进一步拓展超临界CO在构筑新型纳微结构上的应用奠定了实验和理论基础。该工作得到了国家自然科学基金、郑州大学一流学科计划等项目的支持。

（来源：中国科技网）

1117501186346