手机闪存性能排行

手机专用闪存主要分为eMMC和UFS两大类别，前者仅支持并行读写（即半双工运行，读写必须分开执行），哪怕是最新的eMMC5.1标准其顺序读取和写入速度也不过300MB/s和200MB/s左右，常见于售价低于千元的入门级4G手机市场。

UFS自诞生以来就一直是中高端手机的标配，它支持串行读写，带宽较eMMC得以翻倍（图1）。经过UFS2.0→UFS2.1→UFS3.0→UFS3.1一路迭代更新，其理论读写速度提升了3信有余。需要注意的是，UFS2.x閃存可以运行在1Lane（单通道）或2Lane（双通道）模式，后者性能更强但成本也会相应地提升。UFS3.x其实也存在单通道和双通道之别，只是出于成本、体验和营销的考虑，暂时还没有任何手机好意思拿单通道的UFS3.x凑数。

目前最新款5G手机都已经过渡到了UFS闪存，其中千元价位的主流5G手机大都采用单通道或双通道的UFS2.1，而2000元左右起步的中高端5G手机则大都武装UFS3.0或UFS3.1闪存。有意思的是，UFS3.0闪存也能搭配UFS3，1主打的Write Turbo和HPB技术，所以在读写速度上和UFS3.1差别不大，但后者凭借独享的Deep Sleep技术在进一步提升性能的同时还更加省电。

未来在挑选5G手机时，是否搭配UFS3.x闪存应该成为我们关注的重点，特别是搭载骁龙865系列移动平台的旗舰手机，顶级SoC+UFS3.1闪存+LPDDR5内存就是构成最强性能的“铁三角”（图2）。

小提示

相同规格闪存的读取速度相差不大，但写入速度则受容量和系统优化的影响巨大。比如都是UFS2.1闪存，有些手机的写入性能只有200MB/s，有些却能达到400MB/s，本文汇总的成绩都来自较高性能的产品数据。