通用技术集团武汉国家存储器基地建设提速

【本刊讯】随着4 月8 日武汉“解封”开放，通用技术集团新兴建设承建的国家级高科技重点项目武汉国家存储器基地，经过前期科学有序的疫情防控和复工复产准备，日前项目施工生产正加速推进。

武汉国家存储器项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城，于2019 年6 月开工，总投资1600 亿元，是我国芯片国产化的重要支撑，规划建设3 座全球单座洁净面积最大的3D NAND闪存制造厂房，预计2020 年整个项目完成，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100 亿美元，将进一步助力国家高新技术产业发展。其中，新兴建设承建的此标段工程建筑面积为32.9 万平方米。

按照湖北省逐步推进复工复产的要求，项目部有序推进复工复产工作，管理人员提前到岗，准备复工所需防疫物资，做好现场防控管理，盘点现场材料，建立台账，为复工复产做好充分准备。同时，严格做好劳务人员返岗事宜，采取“点对点”精准输送，妥善安排外地人员分批安全有序返岗；在现场设隔离观察室，实行专人每日测量体温，进行实名登记，建立“一人一档”健康档案，并在现场实施全封闭管理，做好现场日常全面消杀工作，确保防疫复工两不误。