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GaAs射频器件市场2020年进入新一波成长期

2019-10-24

中国电子报 2019年49期
关键词:成长期使用量器件

本报讯日前,集邦咨询旗下拓璞产业研究院发布报告,由于现行射频前端器件制造商因手机通信器件的功能需求,逐渐以GaAs晶圆作为器件的制造材料,加上随着5G建设逐步展开,射頻器件使用量较4G时代倍增,预料将带动GaAs射频器件市场于2020年起进入新一波成长期。

拓璞产业研究院指出,由于射频前端器件特性,包含耐高电压、耐高温与高频使用等,在4G与5G时代有高度需求,传统如HBT和CM08的si器件已无法满足,厂商便逐渐将目光转移至GaAs化合物半导体。

而GaAs化合物半导体凭借本身电子迁移率较si器件快速,且具有抗干扰、低噪声与耐高电压等特性,因此特别适合应用于无线通信中的高频传输领域。

由于4G时代的手机通信频率使用范围已进展至1.8GHz-2.7GHz,传统3G的si射频前端器件已不够使用,加上5G通信市场正步入高速成长期,其使用频段也将更广泛,包含3GHz-5GHz、20GHz-30GHz,因此无论是4G或5G通信应用,现行射频器件都将逐渐被GaAs取代。

若以目前市场发展来看,2018年下半年受到手机销量下滑影响,冲击GaAs通信器件IDM厂营收,预估2019年,IDM厂的总营收将下滑至58.35亿美元,约下降8.9%。

然而,随着5G通信持续发展,射频前端器件使用数量将明显提升,如功率放大器(PA)使用量,由3G时代的2颗、4G的5颗-7颗,提升至5G时代的16颗。将带动2020年整体营收成长,预估GaAs射频前端器件总营收将达64.92亿美元,年增11.3%。

整体而言,随着各国持续投入建设5G基站等基础设施,预估在2022年将达到高峰,加上射频前端器件使用数量较4G时代翻倍,将可望带动IDM大厂Sky-works(思佳讯)、Qowo(威讯)新一波营收成长动能。

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