新思科技完成全环栅晶体管SoC设计定案

陈于芬

新思科技近日宣布，新思科技Fusion Design Platform（包括IC Compiler II布局和布线系统）已经成功完成了业内首个全环栅（GAA）片上系统（SoC）测试芯片（包括多个高性能和多核子系统）在三星的设计定案。基于多项成功的工艺与设计启动的合作关系，这一重要里程碑验证了GAA晶体管架构的可用性。GAA晶体管架构是下一代晶体管技术，用以支持先进半导体设计需求。通过IC Compiler II高度可扩展的架构以及缩小工艺尺寸的性能，这项最新突破性技术进一步展示了IC Compiler II作为业内首选先进工艺解决方案的地位。

三星电子设计平台开发执行副总裁Jaehong Park表示：“致力于为不同的用户群体提供差异化的工艺技术，三星已经实现了多项业界首创。GAA测试芯片，作为最新的设计定案进一步验证了我们的承诺。与新思科技之间灵活、富有成效的合作实现了这项技术突破，彰显了新思科技作为一名行业领先、创新者兼可信赖技术合作伙伴的实力。”

工艺升级的最新挑战要求EDA行业与代工厂之间更好的开发协同的工作模式。为解决先进工艺技术（涉及更高的晶体管密度和利用率、设计规则和可布线性以及更高的可变性）引起的复杂性，优化型解决方案对于实现新节点成功至关重要。EUV制造技术对于减少部分复杂性很有帮助，但导致布局对性能的影响更大，因此单元间的相互影响关系需要更多的创新。三星和新思科技在高利用率、可布线性与相关制图方法之间的合作需要基于强大的平台，平台对于确保这种新节点的可行性至关重要。此外，IC Compiler II多年来的改进紧密契合设计流程的布局、正版化和布线阶段的相关技术，对于三星实现工艺整体逻辑面积缩小的目标至关重要。三星GAA技术的重要优势之一是实现了更强的门控制、更低的内部晶体管寄生参数，而这需要下一代优化技术来提取工艺PPA的综合潜力。通过持续使用新思科技Prime Time时序与Star RC寄生参数分析技术，IC Compiler II signoff相关分析引擎增强了其行业领先的、全流程以及总功耗驱动的优化框架，用来确保抵达目标PPA的路径更快、更聚合。

新思科技芯片设计事业部联合总经理Sassine Ghazi表示：“長久以来，新思科技帮助实现了最复杂的设计，并在通过先进工艺带来下一代高性能片上系统方面发挥了领导作用，我们对此深感自豪。三星代工厂是一个具有长远眼光的合作方，为全环栅技术部署IC Compiler II与Fusion Design Platform有力证明了新思科技对于高度差异化创新的持续投资，以及通过合作强化的行业领导地位。”