格芯以eVaderis超低耗电MCU参考设计强化22FDX eMRAM平台
2018-04-17
单片机与嵌入式系统应用 2018年4期
格芯与eVaderis共同宣布,将共同开发超低功耗MCU参考设计方案,该方案基于格芯22nm FD-SOI平台的嵌入式磁性随机存储器技术。双方合作所提供的技术解决方案将格芯22FDX eMRAM优异的可靠性与多样性与 eVaderis的超低耗电IP结合,适合包括电池供电的物联网产品、消费及工业用微处理器、车用控制器等各种应用。
eVaderis的MCU设计充分利用了22FDX平台高效的电源管理能力,相较于上一代 MCU,电池续航力可提高到10 倍以上,同时芯片尺寸大幅降低。这项由格芯开发的技术,所提供的高器件密度、低成本的单芯片解决方案,特别符合对功耗敏感的应用, 可帮助芯片设计人员将效能、密度以及易用性推向新的高度。