用“芯”驱动，飞达未来——记英飞凌2018媒体见面会

■ 本刊记者 李鹏

按照惯例，一年一度的英飞凌迎春媒体见面会近日在北京一家别有洞天的四合院里举行。会议的主角仍然是英飞凌科技(中国)有限公司大中华区总裁苏华博士。在轻松愉悦的气氛中，苏华博士做了《英飞凌2017业绩回顾及2018展望》的报告。

苏华博士

根据世界半导体贸易统计协会(WSTS)2017年11月发布的报告显示，2017年世界半导体市场增长显著，规模超过4090亿美元，创7年以来的新高。同时，WSTS预测，2018年全球半导体销售额将超过4370亿美元，年增长7.0%，有望续创历史新高。在中国，半导体市场增长与全球保持同步，增速超过19%。国家政策、资金支持及创新应用成为驱动中国半导体增长的主力军。

2017财年，英飞凌的业绩持续增长。集团全球营收额达到70.63亿欧元，相比2016年增长9%，利润率达17.1%。英飞凌拥有非常广泛的增长基础，除了电动汽车、驾驶辅助系统和可再生能源外，工业应用业务也是公司进一步增长的支柱，其中包括应用于自动化程度越来越高的生产机械和机器人的驱动器。英飞凌的这颗智慧“芯”正在让人们的生活更加便利、安全和环保。

2017 财年突出业绩背后的4大亮点

英飞凌2017财年业绩突出的4大亮点体现在以下几方面：

首先，持续提高生产力并扩大产能。英飞凌位于德国的德累斯顿工厂生产的300 mm薄硅片产能扩张发挥了关键作用。

其次，重视技术研发。2017财年，英飞凌关注基于复合半导体的新技术，扩展碳化硅(SiC)和氮化镓领域的产品组合，尤其在SiC MOSFET产品方面实现首次营收，这一关键技术的突破性进展为持续成功奠定了基础。

第三，进一步实施“从产品思维到系统理解”战略。英飞凌通过了解客户的系统及市场需求，结合自身在半导体领域的专业知识，给客户提供理想的系统解决方案。

第四，不断创新。2017财年，英飞凌成功实现新一代后量子加密技术(PQC)在市售非接触式安全芯片上的首次实施，意味着在可对抗量子计算能力的加密领域，英飞凌处于领先地位。

2017财年，英飞凌继续保持在功率半导体及智能卡芯片领域世界第一、在全球汽车半导体市场位居第二的领导地位。

中国对可再生能源的大力支持成为促进英飞凌营收增长的第二大因素

英飞凌工业功率控制事业部(IPC)2017财年营收额达到12.06亿欧元。此外，中国政府大力支持的风电和光伏产业的大幅扩张，成为促进英飞凌营收增长的第二大因素。根据IHS Markit截至2017年8月的数据，凭借26.6%的市场份额，英飞凌名列全球IGBT功率半导体市场第一。

未来几年，随着各国政府，尤其是中国政府对可再生能源的开发利用和持续投资，英飞凌工业功率控制事业部将不断获益，业务将继续壮大。

英飞凌将继续专注主要的增长市场，坚持创新，并借助在SiC和氮化镓技术领域的不断突破，进一步扩大产品组合，实现先进技术和产品在诸如电动汽车、可再生能源、物联网等新兴领域的成功应用。

2017 年英飞凌在功率器件方面取得重大突破

苏华博士与英飞凌4大部门负责人共同接受了媒体提问。通过多年对英飞凌的跟踪报道，笔者深感IGBT芯片之于光伏逆变器犹如CPU之于计算机一样重要，Infineon inside则是光伏逆变器品质的重要保证。英飞凌工业功率控制事业部中国区负责人于代辉副总裁就笔者所关心的英飞凌面对未来中国光伏市场的策略和SiC技术的进展情况进行了解答。

关于2018年中国光伏补贴电价下调的应对策略，于代辉表示：“短期来看，补贴下调会增加我们客户的成本压力和盈利水平的压力，但是从长期来看，我认为该举措能促进市场更加良性、健康的发展。所以，英飞凌会和客户一起共同面对成本压力，大力提高功率密度和产品系统性能。”

英飞凌工业功率控制事业部主要将从以下3个方面来支持光伏产业竞争力的提升：

第一是产品技术创新。基于对光伏系统朝着1500 V直流发展的判断，针对新的应用，英飞凌提出了全新的技术方案。采用IGBT5.xt技术的新一代PrimePACKTM3+是业内功率密度最高的PrimePACKTM，电流高达1800 A/1200 V，可使单机容量达到1 MW以上，真正体现1500 V光伏系统的优势和价值。

第二是为客户提供定制化服务。英飞凌重视中国客户的需求，比如为客户定制的1500 V直流优化系统方案，帮助客户拿到海外订单，也体现了英飞凌支持中国本土客户走向全球的战略。

第三是重视利用生态圈。充分利用产学研合作优势，英飞凌推出1500 V直流系统产品后，为提高其高功率密度设计，英飞凌和大学一起做了预研，并联合供应链上的相关合作伙伴和客户一起完成了1.25 MW设计，推出了1 MW、1.1 MW、1.25 MW光伏逆变器系列产品，推动了中国光伏产业技术升级。

2017年，英飞凌在功率器件方面的突破包括：英飞凌一直致力于功率器件的功率密度的提高，不断降低IGBT芯片的损耗，不断开发新的封装技术，同时根据中国市场的应用需求开发客户定制产品。中国客户在光伏和UPS等应用中有不少创新的拓扑结构，如何以高功率密度的方法实现就需要开发相应的模块产品，这些产品中会用到最新的芯片技术，包括SiC二极管的MOS管。

SiC是英飞凌一直在主导的产品，因为它是未来的趋势。SiC MOSFET存在平面栅工艺可靠性方面的技术难题，英飞凌是分两步走的：第一步是在2014年推出SiC JFET，避免了栅极问题，开创了高速功率开关的应用新纪元；第二步是在2016年推出领先的沟槽栅SiC MOSFET技术，避免了栅极的电场应力，消除了令人担忧的可靠性和寿命问题。

作为一个行业领导者，英飞凌不遗余力地推进SiC多领域应用。2017年英飞凌开始批量生产SiC分立器件和模块，分立器件有TO-247-3pin和TO-247-4pin封装的产品，模块有EASY 1B、EASY 2B和62 mm等，可在太阳能、传动、UPS和电源领域应用。

1200 V SiC MOSEFT采用的沟槽栅技术的优势体现在：1)具有持久坚固耐用性，失效率很低，这得益于门级氧化层的可靠性。2)实现业界碳化硅器件导通，开关损耗最低、温升最低、效率最高。3)英飞凌SiC器件具备业界独家的3 µs短路能力，这是由于其具备较低的工作时间失效(FIT)率和有效的短路能力，可适应不同的应用；同时得益于4 V的阈值电压和+15 V的推荐接通阈值，可像驱动IGBT一样驱动英飞凌的SiC MOSEFT，在发生故障时得以安全关闭，用户不需要专门再设计特别的驱动电力，从而大幅提高了SiC产品普及的速度。

作为全球著名的半导体科技公司，英飞凌引领了全球半导体技术发展，并在所有专注的产品市场名列前茅。怀着对客户负责、对社会尽责的使命感，英飞凌将继续用“芯”驱动未来，让人们的生活更加便利、安全和环保。