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可控恒流的小功率高效率直流电源

2018-01-30郑敏

电子技术与软件工程 2017年15期
关键词:纹波恒压稳压

郑敏

摘要:本论文以Buck降压斩波为核心,以TI公司的降压控制器LM5117芯片CSD18532KCS MOS场效应管为核心器件,设计并制作一個降压型直流开关稳压电源,整个系统分为两种模式,一种是恒压,另一种是恒流,输入16V时,输出直流电压为5v,输出电流可调并大干3A,具备过流保护功能和识别负载能力,输出噪声纹波电压峰峰值达到题目要求,电源实测效率达到89.8%。

【关键词】降压型直流开关稳压 LM5117CSD18532KCS MOS场效应管

1 方案选择

采用TI公司 的LM5117和MOSKSD18532CS可实现一个恒压和恒流型稳压功能。电路简洁,频率为50KHZ ∽ 750KHZ,电压恒定,电流可调并可达9A,纹波小、效率高。

1.1 方案描述

本设计采用将LM5117和MOSKSD18532CS配置为一个恒压和恒流型稳压器,即所谓CV+CC稳压器。整个系统分为两种模式,一种是恒压,另一种是恒流,输入16V时,输出直流电压为5V,输出电流可调并大于3A,具备过流保护功能和识别负载能力,输出噪声纹波电压峰峰值UOPP<50%,电源实测效率达到89.8%。本设计原理方框图如图1所示。

1.2 电路原理

采用TI公司提供的核心器件LM5117和KSD18532CS。LM5117的工作电压5.5V至65V宽工作电压范围,能够稳定的3.3A峰值栅极驱动,还可以自适应死区时问输出驱动器控制,最重要的是具有模拟电流监视器和自我保护功能,整个电路效率较高,易于实现,电路稳定性好。

1.3 MOS开关电路

采用KSD18532KCS,主要特性如下:

低热阻,雪崩额定值,逻辑电平,无铅端子镀层,符合ROHS标准,无卤素,晶体管(T0)-220塑料封装。综合比较KSD18532KCS耐压值较高,工作效率高,所以选择KSD18532KCS。

2 理论分析与计算

2.1 理论分析

2.1.1 稳压控制方法

LM5117芯片上电后,当UVLO脚电压超过1.25V阈值时,为芯片提供20mA的灌电流,并且激励芯片工作,在15脚和18脚产生开关脉冲推动MOSFET管KSD1853CS,

Vou,有输出,为使Vou,恒定,通过在Vu,取得负反馈电压给FB形成闭环可控系统,在RAMP斜坡频率的改变下实现脉宽和占空比调节,从而达到稳压控制。

2.1.2 DC-DC变换方法

本系统采用高速开关器件CSD18532KCSMOS场效应管,控制器采用LM5117的15脚和8脚输出PWM分别控制主/从MOS管,可根据输出电压(或电流)要求,调整PWM频率和占空比,从而得到所要求的电压和功率,且线性更高和负载能力更强的直流电流。

2.1.3降低纹波的方法

采用多级滤波。一般滤波多采用C型、LC型、π型,为了更好的抑制纹波,可以增加多一级LC滤波。也可以加大输出高频滤波器,可以抑制输出高频纹波。本系统采用π型滤波,降低了输出纹波。

3 电路设计与分析

3.1 元件选择

3.1.1 输出电感选取与计算

本系统采用330 uH的电感,输出电感Lc最大电感纹波电流出现在最大输入电压时。己知开关频率、最大纹波电流、最大输入电压和标称输出电压,电感值可以用以下公式计算:L=5V/3A×130KH2×(l-5V/12V)=330uH

3.1.2 启振电阻的选取

可以用下而的公式计算电阻RT值:

RT=(K*109)/(130*103-948)取RT为150K

3.2 自举电容C HB和自举二极管DHB

在每个周期的开启期问,HB和sw引脚之问的自举电容提供栅极电流,Qg是高边NMOS栅极电荷,AVHB是CHB上的容许电压降,通常不到VCC的5%或保守值为0.15V,这个设计选择的值为0.47μF。

3.3 环路补偿元件的选取

本系统采用的是27.4K,Comp本系统采用的是25nF,已知Comp,CHF可计算,本系统采用18 9pF

3.4 输出电容CO

对于这个设计实例,选择了一个最大ESR为20 mΩ的470μF电解电容作为主输出电容。

4测试方案与测试结果

4.1 系统测试与数据

(1)电压调整率,如表1所示。

(2)系统整体效率η,如表2所示。

(3)纹波电压峰峰值:Uopp=325mV。

4.2测试结果分析

我们实现本系统效率达到89.9%,高于设计要求。设计并制作一个降压型直流开关稳压电源,为降压型直流开关稳压电源提供参考价值,具有较为广泛、深远的意义与实用价值,有着较为广泛的前景。

参考文献

[1]康光华,电子技术基础[M].北京:高等教育出版社,2013.

[2]黄智伟编著,《全国大学生电子设计竞赛》系统设计[M].北京:北京航空航天大学出版社,2006.

[3]陈永真等编著,《全国大学生电子设计竞赛》硬件电路设计[M].北京:电子工业出版社,2009.endprint

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