中科院锗辅助绝缘体上石墨烯材料生长研究获进展

中科院锗辅助绝缘体上石墨烯材料生长研究获进展

中国科学院上海微系统与信息技术研究所的研究人员在绝缘体衬底上直接制备石墨烯研究方面取得了新进展，为获得晶圆级绝缘体上石墨烯奠定了基础，有助于推动石墨烯材料在微电子领域的应用。

研究人员基于锗衬底上生长高质量单层石墨烯的研究基础，使用锗薄膜作为催化剂，采用化学气相沉积（CVD）法，通过优化石墨烯生长温度和生长时间，在完全蒸发掉锗薄膜的同时，成功在二氧化硅、蓝宝石、石英玻璃等绝缘衬底上制备出了高质量单层石墨烯材料，并成功将其应用于除雾器等电加热器件中。

研究人员还发现，石墨烯的形状完全依赖于锗薄膜的形状，因此，该方法既可以实现晶圆级石墨烯薄膜的生长，也可以通过预先设计的锗图形定义后续石墨烯器件所需图形化的生长。 (科 苑)