中美合作宽带光探测器研究取得新进展

中美合作宽带光探测器研究取得新进展

大连理工大学微电子学院与美国佐治亚理工大学材料科学与技术学院的研究人员合作，在宽带光探测器研究方面取得了新的进展。

研究人员在由硅和氧化锌纳米线两种半导体材料构成的光探测器上，设计了特殊的金针菇云状的薄膜电极层，能够通过减少光的反射，大幅提高硅对近红外光的吸收率。同时，研究人员通过对氧化锌纳米线施加外应力，使其界面处产生极化作用，从而提高了光探测性能。该光探测器在近紫外区域442nm波段的光响应提高了78%，在近红外区域1060nm的光响应提高了20%左右，此外，其测量极限和线性关系也得到了大幅提高。研究人员还利用该探测器首次研究和发现了极化作用对界面处光激发的电子和空穴的不同影响，对完善相关理论和研发性能更优良的光电器件具有重要意义。 (W.DB)