Oxide TFT—LCD工艺中金属钝化层Via Hole存在SiO2残留问题研究

何方　姚奇　李燕龙　赵辉

摘要：文章以硅烷（SiH₄）和笑氣（N₂O）为反应源气体，采用射频等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法沉积SiO₂薄膜。文章阐述了TFT-LCD生产中由于SiO₂膜质问题所造成的沟道钝化层孔内刻蚀残留，并根据产线的情况对这些问题进行了分析，对实际生产过程中出现的问题提出了相应的解决方案。

关键词：TFT-LCD；SiO₂；PECVD；沟道钝化层；SiO₂残留