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利用光伏行业中废弃石英坩埚制备硅质电瓷

2016-09-15李家科王艳香朱海翔

陶瓷学报 2016年3期
关键词:电性能硅质坯体

孙 健,李家科,王艳香,朱海翔

(景德镇陶瓷大学材料科学与工程学院,江西 景德镇 333403)

利用光伏行业中废弃石英坩埚制备硅质电瓷

孙 健,李家科,王艳香,朱海翔

(景德镇陶瓷大学材料科学与工程学院,江西 景德镇 333403)

以废弃石英坩埚、苏州土、长石和铝矾土等为原料制备硅质电瓷。采用DTA-TG、XRD、SEM、介电常数测试仪和材料试验机等测试方法,研究了配方组成和烧成温度对硅质电瓷的物相组成、微观形貌、机械性能和介电性能的影响规律。结果表明:当废弃石英坩埚粉末40%、苏州土40%、钾长石15 %和铝矾土5%,在烧成温度1300 ℃、保温时间30 min条件下,可以获得介电性能和机械性能较佳的硅质电瓷,其介电常数(εr)为7.15,介质损耗(tanθ)为19.50×10-3,弯曲强度为76.45 MPa和热稳定性ΔT ≥180 ℃。

废弃石英坩埚;硅质电瓷;介电性能;机械性能

0 引 言

根据电瓷材料的组成、制备方法、技术性能及主要应用范围,可将其划分为硅质电瓷和铝质电瓷两大类[1]。其中硅质电瓷是以石英为主要原料,辅以粘土和长石等原料制备而成。原料纯度对电瓷性能有着重要的影响,纯度越高,制备电瓷的介电性能越好[1,2]。因此,为了提高硅质电瓷性能,需要使用高纯度石英原料,这样会显著提高生产成本。目前,太阳能多晶硅片在生产中需要使用高纯石英坩埚作为容器[3,4],由于在熔制多晶硅过程中发生了析晶、变形和破裂,而不能被循环利用[5-8],而处理硅光伏行业中产生废料,如废弃石英坩埚、多晶硅线切割废料等,主要通过填埋和堆放处理,在资源化利用方面的研究较少[9,10],此外,随着光伏行业生产规模扩大,所产生的废弃石英坩埚量也越来越大,导致企业生产成本提高和处理废弃石英坩埚压力增大[11-14]。因此,加大对废弃石英坩埚的资源化利用,对光伏行业的可持续发展具有重要意义。

本工作针对废弃石英坩埚利用率低和应用形式单一等问题,采用以废弃石英坩埚为原料,辅以长石、苏州土和铝矾土等制备硅质电瓷,为废弃石英坩埚的资源化利用提供一条新途径,同时也为硅质电瓷的制备提供原料来源。实验研究了配方组成和烧成温度等因素对试样的物相组成、微观形貌和介电性能等等影响规律,并对制备工艺参数进行优化。

Correspondent author:LI Jiake(1973-),male,Ph.D.,Associate professor.

E-mail:iakeli.jci@163.com

1 实 验

1.1实验原料

采用苏州土、钾长石和铝矾土为矿山原料,废弃石英坩埚由江西威富尔新能源科技有限公司提供,先对废弃坩埚进行粗碎和湿法球磨粉碎处理,然后过325目筛,放置在烘箱中干燥后备用。表1为废弃石英坩埚粉体的特征参数。

1.2试样制备

按照坯体物料配方(见表2)比例称量苏州土、钾长石、铝矾土和废弃坩埚粉体,利用湿法球磨进行粉碎和混料,料 ∶球 ∶水=1 ∶2 ∶0.8。球磨结束后对料浆过325目筛,并放置在100 ℃烘箱干燥后备用。采用压制成型制备坯体,先对粉料进行造粒,并外加1%PVA (浓度为4%)作为粘结剂,成型压力为18 MPa,坯体规格为3 mm×4 mm×36 mm(厚×宽×长),坯体放置在100 ℃烘箱中干燥6 h后备用试样采用马弗炉烧成,最高烧成温度在1140 ℃-1360 ℃之间,升温速率为5 ℃/min,在最高温度下保温时间30 min,保温结束后自然冷却。

1.3试样的性能表征

采用DTA-TG分析坯体物料在加热过程的热行为演变过程;采用D8 Advance X射线衍射仪对试样的物相组成进行分析;用JSM-6700F场发射扫描电子显微镜对试样截面的微观形貌进行观察;采用WDW-10材料试验机检测试样的弯曲强度;采用精密数字电桥及其联用自动控温设备(Agilent 4282)测量试样的介电常数和介质损耗;用排水法测试样品的吸水率和体积密度;采用急冷法检测试样热稳定性,具体操作如下:将试样放置在烘箱,在160 ℃下保温30 min,然后每隔20 ℃将试样投入20±2 ℃的水中急冷,直到试样表面发现有裂纹为止,并将此不裂的最高温度用于衡量试样的热稳定性数据。由此测定试样的平均开裂温度差。

平均开裂温度差的公式:

式中,ΔT为平均开裂温度差;C1、C2为试样开裂温度差;G1、G2为在该温度下试样开裂个数;Y为每组取6个试样进行检测。

2 结果分析与讨论

2.1坯体物料的DTA-TG分析

坯体物料(3#配方)的DTA-TG分析结果如图1所示。从图中可以看出,坯体的热失重主要发生在两个阶段,第一阶段发生在120 ℃之前,主要来源于坯体颗粒表面自由水的排除。第二阶段发生在200 ℃-600 ℃之间,主要来源与坯体物料中苏州土中结构水的失去。结合DTA曲线中的吸热峰可以看出,自由水失去主要发生在约80 ℃-100 ℃之间,而苏州土中结构水的失去发生在550 ℃-600 ℃之间。此外,从图中还可以看出,随着坯体物料中自由水和结构水的排除,坯体的失重曲线趋于平缓,并逐渐趋于稳定,而从DTA曲线中可以看出,在1000 ℃-1100 ℃之间有一个放热峰,这是由于坯体物料在高温下发生物化反应的结果,在随后XRD分析(图3)中可知是由于生成莫来石和硅线石所引起的。另外,表2中其它坯体物料的DTATG分析和3#配方具有相同的实验结果。根据坯体物料的DTA-TG分析结果,实验烧成温度范围选择在1140 ℃-1360 ℃,升温速率为5 ℃/min。

表1 废弃石英坩埚粉末特征参数Tab.1 Characteristic parameters of the prepared powder from discarded quartz crucible

表2 坯体的物料配方组成 /wt.%Tab.2 Batch formula of green body in the experiment

图1 3# 物料配方的DTA-TG分析曲线Fig.1 DTA-TG curve of batch formula #3

2.2烧结性能、物相组成和显微结构分析

烧成温度对3#坯体物料(表2)吸水率和体积密度影响的实验结果如图2所示。从图中可以看出,随着烧成温度的增加,试样的吸水率逐渐减小,体积密度逐渐增加,当烧成温度为1300 ℃时,试样的吸水率达到最低值(0.0%),体积密度达到最大值(2.47 g/cm-3),这表明试样已经完全烧结;当烧成温度从1300 ℃增加到1320 ℃,试样的吸水率和体积密度均处于一个稳定值,这表明试样烧结温度处于这一温度范围。此外,从图中还可以看出,当烧成温度超过1320 ℃时,试样的吸水率逐渐增加,体积密度减小,这表明试样已发生过烧现象。

图2 烧成温度对3#配方物料烧结性能的影响Fig.2 Effect of fring temperature on sintering performance of batch formula #3

图3为3#坯体物料在不同烧成温度下制备试样的XRD图谱,从图中可以看出,在烧成温度为1200 ℃时,试样物相由方石英(SiO2)、莫来石(3Al2O3·2SiO2)和硅线石(Al2O3·SiO2) 组成,随着烧成温度增加,没有出现其它物相的衍射峰,且物相的衍射峰强度增加,这表明物相的晶形逐渐完善;当烧成温度达到1300 ℃时,物相的晶形已经完善,进一步升高烧成温度(如1360 ℃),其衍射峰强度趋于稳定。这是由于坯体物料在高温下发生物化反应,生成硅线石(Al2O3·SiO2)、莫来石(3Al2O3·2SiO2)和玻璃相的结果,其中方石英相(SiO2)主要来源于坯体物料中引入的废弃石英坩埚粉体。

图4为3#坯体物料在不同烧成温度下制备试样截面的SEM照片,从图中可以看出,在1200 ℃烧成温度条件下,试样中含有较多气孔,随着烧成温度的升高,试样结构的致密性逐渐增加,当烧成温度升高到1300 ℃,试样结构已完全致密(图4(b)),没有出现气孔和裂纹等现象,这表明试样已经完全烧结。此外,从图中还可以看出,莫来石、方石英和硅线石均匀分散到基相中(玻璃相),这些晶体可以有效提高试样的机械性能和介电性能(表3)。从图4中还可以看出,当烧成温度升高到1360 ℃时,由于过烧导致试样中出现了气孔(图4(c))。试样的显微结构分析与其吸水率和体积密度(图1所示)结果是一致的。

2.2机械性能和介电性能分析

图3 3#物料配方在不同烧成温度下制备试样的XRD图谱Fig.3 XRD patterns of the as - prepared samples from batch formula #3 at different fring temperatures

图4 3#配方物料在不同烧成温度制备试样截面的SEM照片Fig.4 SEM cross-section images of the as - prepared samples from batch formula #3 at different fring temperatures (a) 1200 ℃; (b) 1300 ℃; (c) 1360 ℃

表3 试样介电性能和烧结性能 (烧成温度1300 ℃)Tab.3 Dielectric and sintering performances of the as-prepared samples

在烧成温度1300 ℃、保温30 min的条件下,废弃坩埚粉体在配方中含量分别为10%、20%、 30%和40%(见表3所示)所制备试样介电和烧结性能如表3所示。从表中可知,废弃坩埚粉体在坯料中含量10% - 40%之间,试样均可完全烧结(吸水率为0.0%)。而试样弯曲强度,随着废弃坩埚粉体含量的增加而增大。当废弃坩埚粉体的添加量为10%时,试样弯曲强度为52.35 MPa,当添加量增加到40%,弯曲强度增加到76.45 MPa,增加约46%,且所有试样的热稳定性均达到了ΔT≥180℃不裂要求。此外,从表中还可以看出,随着废弃石英坩埚粉体量的增加,试样介电常数逐渐增加,当添加量为10%时,试样介电常数(εr)为6.63,当废弃石英坩埚粉体添加量增加到40%时,试样介电常数增加到7.15,增量了7.8%。此外,从表中还可以看出,添加不同废弃石英坩埚粉体含量所制备试样均具有较低介电损耗,介质损耗角正切值在(17.56-20.21)×10-3范围。产生这一实验结果的原因为,在1300 ℃烧成温度下,不同废弃坩埚粉体含量的坯体均可以完全烧结,减少了气孔和裂纹等缺陷(表3),另外,在高温下坯体中生成了具有高介电性能的莫来石、硅线石和方石英等晶体,因此试样表现出具有较高介电常数和低介电损耗;其次,由于方石英是一种具有较高弹性模量的物质,因此随着其在坯体物料中含量增加,导致试样强度增加。

3 结 论

(1)以废弃石英坩埚粉料为主要原料,并辅以钾长石、苏州土和铝矾土,在烧成温度1140 ℃-1360 ℃、保温30 min条件下,可以制备具有高介电常数、低介质损耗和较高强度的硅质电瓷。

(2)烧成温度和废弃石英坩埚粉体添加量对试样性能有着显著影响。在1300 ℃-1320 ℃之间,均可以获得完全致密的烧结体,过低或过高烧成温度会导致试样欠烧或过烧现象,从而影响试样的介电性能和机械性能。

(3)在本实验制备工艺条件下,当废弃石英坩埚粉末40%、苏州土40%、钾长石15%和铝矾土5%,在烧成温度1300 ℃、保温时间30 min条件下,可以获得具有较佳介电性能和机械性能的硅质电瓷,其介电常数(εr)为7.15,介电损耗角正切(tanθ)为19.50×10-3,弯曲强度为76.45 MPa和热稳定性ΔT ≥180 ℃。

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Preparation of Silicon Dioxide-based Electroceramics Using Discarded Quartz Crucible from Photovoltaic Industry

SUN Jian, LI Jiake, WANG Yanxiang, ZHU Haixiang
(School of Material Science and Engineering,Jingdezhen Ceramic Institute,Jingdezhen 333403,Jiangxi,China)

Silicon dioxide-based electroceramics were prepared,using discarded quartz crucible,kaolin,feldspar and bauxite as starting materials.The effects of batch formula and fring temperature on phase composition,microstructure,mechanical performance and dielectric properties of silicon dioxide-based electroceramics were investigated by XRD, SEM, material testing machine and dielectric constant testing instrument.The results show that silicon dioxide-based electroceramics with good dielectric and mechanical properties are obtained when the batch formula is composed of 40% discarded quartz crucible powder,40% kaolin,15% feldspar and 5% bauxite,the fring temperature is 1300 ℃ and the holding time is 30 min.The dielectric constant (εr) and dielectric loss (tanθ) of silicon dioxide - based electroceramic are 7.15 and 19.50×10-3,respectively.The bending strength and thermal shock resistance (ΔT ) of silicon dioxide - based electroceramic are 76.45 MPa and above 180 ℃, respectively.

discarded quartz crucible; silicon oxide - based ceramics; dielectric properties; mechanical performance

date: 2015-10-11. Revised date: 2015-12-27.

TQ174.75

A

1000-2278(2016)03-0293-05

10.13957/j.cnki.tcxb.2016.03.015

2015-10-11。

2015-12-27。

江西省社会发展计划项目资助(20122BBG70070)

通信联系人:李家科(1973-),男,博士,副教授。

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