美国研究人员开发出芯片制造新技术



美国研究人员开发出芯片制造新技术

美国麻省理工学院（MIT）的研究人员开发出一种全新的芯片制造技术，可将两种晶格大小大不相同的材料——二硫化钼和石墨烯集成在一层上，制造出通用计算机所需的电路元件芯片。

在实验中，研究人员先将一层石墨烯铺在硅基座上，再将希望平铺二硫化钼处的石墨烯蚀刻掉，在基座的一端放置一根由PTAS材料制成的固体条，接着，加热PTAS并让气体流经其穿过基座。气体会携带PTAS分子并附着到暴露的硅上，但不会附着在石墨烯上。当PTAS分子附着时，会催化与其它气体的反应，形成一层二硫化钼。

新芯片内的材料层仅1～3个原子厚，有助于制备出超低能耗的隧穿晶体管处理器，进而制造出功能更强大的计算机，也有助于将光学元件整合到计算机芯片内。

(刘 霞)