中科院单节锂电池保护芯片研发获进展



中科院单节锂电池保护芯片研发获进展

中国科学院微电子研究所汽车电子研发中心单节锂电池保护芯片研发获得新进展。

研究人员针对单节锂电池的过充电、过放电、放电过流，以及短路电流的保护等问题开展了深入研究，攻克了能带隙和BIAS（乖离率）形成3个反馈环路交互启动、静电释放耐压、检测精度及封装良率等难题，研制出了多款低功耗、低成本、高精度的单节锂电池保护芯片，其中，DM5261型号的保护芯片已实现量产。这些保护芯片具有过充电、过放电、放电过流、充电过流、短路检测和0V充电允许/禁止等功能，芯片内部包含比较器、振荡器（频率1kHz）和逻辑电路等模块，采用快速启动电路设计，消除了启动过程中输出电压的尖峰效应，电源电压范围广、功耗低，检测精度、检测范围和功耗等指标超过国际同类产品，相关成果已申请发明专利，拥有自主知识产权。

(科 苑)