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阳离子固体电解质的研究进展

2016-02-07周会珠李跃华

唐山师范学院学报 2016年2期
关键词:四价阳离子导电

史 明,周会珠,戴 磊,2,李跃华,王 岭,2

(1. 华北理工大学 化学工程学院,河北 唐山 063009;2. 河北省环境光电催化材料重点实验室,河北 唐山 063009)

化学与化工研究

阳离子固体电解质的研究进展

史 明1,周会珠1,戴 磊1,2,李跃华1,王 岭1,2

(1. 华北理工大学 化学工程学院,河北 唐山 063009;2. 河北省环境光电催化材料重点实验室,河北 唐山 063009)

近年来,固体电解质材料作为一种新型功能材料蓬勃发展并被广泛研究。论文主要就一价、二价、三价和四价阳离子传导固体电解质的研究进行了综述,着重介绍了三价和四价两种高价阳离子固体电解质的研究现状,简要介绍了固体电解质在电化学气体传感器方面的应用,总结了其在现阶段研究中遇到的问题,并对未来的应用和发展前景进行了展望。

阳离子固体电解质;NASICON;气体传感器

1 引言

固体电解质是近几十年来发展迅速的一种新型功能材料,广泛应用于高温氧化物燃料电池、电解池、电化学传感器以及气体分离等领域。固体电解质按传导离子种类的不同可分为阳离子固体电解质和阴离子固体电解质,其中阳离子固体电解质按其传导离子价态的不同又可分为一价阳离子固体电解质、二价阳离子固体电解质、三价阳离子固体电解质和四价阳离子固体电解质。

本文对不同价态的金属阳离子传导固体电解质进行了综述,并简要介绍了其在气体传感器方面的应用,展望了其发展前景。

2 不同价态的阳离子固体电解质

2.1 一价金属阳离子固体电解质

一价金属阳离子传导固体电解质主要有Na+、Li+导体等。钠离子导体在固体电解质中占有重要比重,其中三维骨架结构的NASICON(钠超离子导体)型化合物,因离子可以在三维方向上迁移,传导具有各向同性而意义重大。Goodenough等[1]合成了一系列Na1+xZr2P3-xSixO12(0≤x≤3)固溶体,实验证明,钠离子在由ZrO6八面体和PO4四面体以顶角相连组成的三维骨架的间隙中运动,当x=2时,300 ℃下电阻率可达5 Ω/cm。

Thangadurai等[2]合成了具有NASICON结构的锂离子导体LiTaAl(PO4)3,在350 ℃时达到1.0×10−2S·cm-1。Xie等[3]将LiZr(PO4)3中5 %的Zr用Ca来部分取代,合成了Li1.2Zr1.9Ca0.1(PO4)3,其室温下的电导率可达1.2 × 10-4S·cm-1。

2.2 二价阳离子固体电解质

二价阳离子固体电解质的传导离子主要有Mg2+、Sr2+等。

Imanaka等[4]利用高温固相法合成了Mg1+xZr4P6O24+x+ xZr2O(PO4)2复合材料,当x=0.4时,800 ℃时电导率最高,为6.92×10-3Ω-1·cm-1,是MgZr4P6O24中Mg2+离子电导率的12倍。然而该复合材料中Mg2+离子导电的活化能高达135.8 kJ/mol,与MgZr4P6O24(Ea=141.5 kJ/mol)很接近,且随着温度的降低其导电性能明显下降。随后,用离子交换法将MgZr4P6O24中的Zr4+用Nb5+部分取代,合成Mg1-2x(Zr1-xNbx)4P6O24(x=0~0.4)[5],促进了Mg2+在离子通道中的迁移,当x=0.15时,600 ℃时电导率最高,为7.7×10-4S·cm-1,是Mg1+xZr4P6O24+x+xZr2O(PO4)2中Mg2+离子电导率的4.6倍,且电导活化能大大降低,为92.0 kJ/mol。

Tamura等[6]首次成功合成了具有三维NASICON结构的Sr2+导电的固体电解质(Sr0.05Hf0.95)4/3.9(Nb1-yWy)5/(5+y)(PO4)3,实验证明了该固体电解质中的导电离子只有二价的Sr2+,高价的Nb5+和W6+的存在降低了Sr2+与周围O2-离子间的强静电相互作用力,其电导率比以往的二价Sr2+固体电解质高出了3300倍。

2.3 三价阳离子固体电解质

三价阳离子固体电解质的传导离子主要有Al3+、Bi3+、Sc3+以及La3+、Ce3+、Pr3+、Gd3+等三价稀土离子。

1997年,Kobayashi等[7]合成了具有Sc2(WO4)3正交晶系结构的Al2(WO4)3,600 ℃时离子电导率仅为3.2×10-6S·cm-1,这与实际应用所需电导率(σ>10-3S·cm-1)有一定差距。为了提高电导率,2002年,Imanaka等[8]认为具有三维传输通道的NASICON结构是一种理想的结构,但是由于Al3+离子半径(0.0675 nm)太小,无法合成M1/3Zr2(PO4)3型的NASICON晶格结构,利用离子半径较小的Nb5+(0.078 nm)部分取代Zr4+(0.086 nm),以缩小晶格体积来稳定材料的NASICON结构,采用高温固相法首次合成了具有NASICON结构的固体电解质(AlxZr1-x)4/(4-x)Nb(PO4)3(x=0~0.6),当x=0.2时,(Al0.2Zr0.8)20/19Nb(PO4)3的电导率比Al2(WO4)3高出两个数量级,位于商业化的固体电解质钇稳定的氧化锆(YSZ))和钙稳定的氧化锆(CSZ)之间。

Hasegawa等[9]合成了具有三维网状结构的NASICON型固体电解质(CexZr1-x)4/4-xNb(PO4)3(x=0~0.4),当 x=0.1时电导率最高,比R2(WO4)3、R1/3Zr2(PO4)3(R=Sc,Y,Eu-Lu)中的离子电导率高出了近一个数量级,但是仍远低于实际应用的电导率范围。2004年,Hasegawa等[10]用离子半径较大的La(0.1172 nm)部分取代(Ce0.1Zr0.9)40/39Nb(PO4)3中离子半径较小的Ce(0.115 nm),合成了[(Ce1-xLax)0.1Zr0.9]40/39Nb(PO4)3(x=0.0~1.0)一系列固体电解质,当x=0.8时电导率最高为1.8×10-3S·cm-1,是相同条件下(Ce0.1Zr0.9)40/39Nb(PO4)3中Ce3+离子电导率的5倍,且500 ℃以下的电导率已超过了传统的氧离子导体YSZ和CSZ。

2003年,Hasegawa等[11]合成了镨离子(Pr3+)固体电解质(PrxZr1-x)4/(4-x)Nb(PO4)3+NbPO5(0.05≤x≤0.3),x=0.1时该复合材料的离子电导率最高为3.15×10-4S·cm-1,且在氧分压为10-13~105Pa范围内能够保持单一Pr3+导电,同(CexZr1-x)4/4-xNb(PO4)3相比,提高了固体电解质的电导率和稳定性。

Hasegawa等[12]采用固相反应法并通过添加低熔点烧结助剂B2O3合成了(Al0.2Zr0.8)20/19Nb(PO4)3。实验证明,B2O3在该固体电解质的晶界处熔化,并在高温烧结时完全蒸发,增加了固体电解质的致密程度,6 wt%B2O3烧结助剂的添加使得(Al0.2Zr0.8)20/19Nb(PO4)3机械强度增强了近1倍,同时提高了烧结性能,Al3+离子电导率是原来的2倍,为8.51×10-4S·cm-1。

2007年,Tamura等[13]采用Pechini法合成了具有NASICON结构的固体电解质Gd(1+x)/3Zr2P3-xSixO12(0.0≤x≤0.3)。用离子半径较大的Si4+(0.040 nm)部分取代Gd1/3Zr2(PO4)3中离子半径较小的P5+(0.031 nm),扩张了离子导电通道,有利于Gd3+的离子迁移,当x=0.1时,电导率最高为3.2×10-5S·cm-1,是Gd1/3Zr2(PO4)3离子电导率的14倍,并降低了活化能。

Katayama等[14]采用溶胶-凝胶法成功合成了具有NASICON型结构的铋离子固体电解质(BixGe1-x)4/(4-x)Ta(PO4)3(0.0≤x≤0.20),尽管铋离子有+3和+5两种价态,但是实验证明,该固体电解质中为纯Bi3+导电,无电子导电和空穴导电,当x≤0.10时得到纯相,当x=0.1时即(Bi0.1Ge0.9)40/30Ta(PO4)3的电导率最高。

2.4 四价阳离子固体电解质

四价阳离子固体电解质的传导离子主要有Zr4+、Ti4+、Hf4+、Ge4+、Sn4+。

2000年,Imanaka等[15]采用固相法首次成功合成了四价的具有斜方晶系结构的Zr4+固体电解质Zr2O(PO4)2,但是离子电导率在800 ℃时也只有10-5S·cm-1。2001年,Imanaka等[16]用Nb5+部分取代Zr4+合成了具有β-Fe2(SO4)3型结构(类NASICON结构,属单斜晶系,具有三维网状结构)的ZrNb(PO4)3,提高了离子电导率,与典型的氧离子导体电导率相近,可望用于实际应用。2002年,Imanaka等[17]采用高温固相法合成了具有NASICON型结构的四价Zr4+固体电解质ZrM(PO4)3(M=Nb或Ta),两者相比,ZrNb(PO4)3的电导率约为ZrTa(PO4)3的3倍。与Zr2O(PO4)2相比,ZrNb(PO4)3将400 ℃下的离子电导率至少提高了两个数量级,同时是800 ℃下Zr2O(PO4)2离子电导率的30倍。表明通过Nb5+对Zr位的部分取代形成了Zr4+空位,有利于Zr4+的离子迁移,活化能由78.9 kJ/mol将为56.2 kJ/mol。为进一步提高Zr4+的离子电导率,2007年,Imanaka等[18]用更高价的W6+(0.056 nm)部分取代P5+(0.031 nm),合成具有NASICON型结构的四价Zr4+固体电解质Zr1-x/4TaP3-xWxO12(0.0≤x≤0.2),Zr39/40TaP2.9W0.1O12(即x=0.1),电导率最高为4.7×10-4S·cm-1,约为ZrNb(PO4)3的19倍,且平均活化能低于ZrNb(PO4)3,表明高价态的W6+的取代降低了Zr4+与周围O2-的静电相互作用,有利于Zr4+在三维晶格结构中的传导,增强了Zr4+离子导电性,降低了活化能。

Hf4+是所有稳定价态为四价的阳离子中电负性最低的。2001年, Imanaka等[19]采用传统固相反应法合成了具有NASICON型结构的Hf4+固体电解质HfNb(PO4)3,在400 ℃和800 ℃下其电导率比Zr2O(PO4)2分别高出300倍和66倍,是ZrNb(PO4)3的2倍。相比一二价固体电解质,高价态固体电解质的导电离子价态与周围O2-离子间的静电相互作用较强,因此合适的晶格尺寸以适于导电离子迁移是十分关键的。同年7月,Imanaka等[20]用离子半径较大的V5+(0.50 nm)部分取代离子半径较小的P5+(0.31 nm)增大了离子迁移通道,V的掺杂量达到8 mol%时,Hf4+离子电导率是HfNb(PO4)3的2倍。2009年,Nunotani等[21]用高价态的W6+部分取代低价的P5+,合成的Hf3.95NbP2.95W0.05O12,600 ℃离子电导率为2.8×10-4S·cm-1,约为HfNb(PO4)3的2.5倍。为进一步提高其导电性能,2012年,Nunotani等[22]用W6+同时取代Nb5+和P5+,合成了固体电解质Hf3.85/4(Nb0.8W0.2)5/5.2P2.85W0.15O12,离子电导率是HfNb(PO4)3的3.8倍。

2008年,Nunotani等[23]采用固相法首次成功合成了具有三维NASICON型结构的Ti4+固体电解质Ti(Nb1-xWx)5/(5+x)(PO4)3(0.0≤ x≤ 0.3)。当x≤0.2时,产物为纯相,随着W掺杂量的增加,晶格体积逐渐减小,800℃下离子电导率逐渐增大,x=0.2下的电导率最高达到3.65×10-4S·cm-1。当x>0.2时,有杂相WO3、TiP2O7生成,晶格体积无变化,电导率减小。

2009年,Nunotani等[24]以GeNb(PO4)3为母相,用离子半径较大的Si4+(0.040 nm)部分取代离子半径较小的P5+(0.031 nm),以扩张晶格中导电离子的传导通道,采用溶胶-凝胶法成功合成了具有NASICON型结构的Ge1+x/4NbP3-xSixO12(x=0.0-0.3)固体电解质。600 ℃下Ge41/40NbP2.9Si0.1O12的离子电导率约为GeNb(PO4)3的3.3倍,同时活化能由GeNb(PO4)3的51.1 kJ/mol降到了36.1 kJ/mol,可能是Si4+对P5+的部分取代实现了导电通道的扩张。

2012年,Nunotani等[25]在SnNb(PO4)3中引入W6+成功合成了一系列新型四价Sn4+导电的NASICON型固体电解质Sn(Nb1-xWx)5/(5+x)(PO4)3。高价态的W6+的掺杂降低了Sn4+和O2-离子间的强静电相互作用,Sn(Nb0.65W0.35)5/5.35(PO4)3在600 ℃下的离子电导率比SnNb(PO4)3提高了3.8倍,且离子迁移的活化能由72.4 kJ/mol降到了68.5 kJ/mol,表明离子半径较小的W6+(0.074 nm)部分取代离子半径较大的Nb5+(0.078 nm),稳定了材料的晶体结构。

3 阳离子固体电解质的应用

目前,国内外研究将固体电解质用于电池和电化学传感器,一些新的应用领域包括选择性去除工业废水中的钠盐以制备高纯钠、高纯烧碱[26],放射性废物的固化[27],也有将其应用于耦合催化作用中以提高催化剂的选择性与催化活性[28],等等。不同于传统的检测技术,固体电解质基传感器具有选择性好,使用简便,可实现原位监测。这里,简单介绍了几种典型的气体传感器。

3.1 Cl2传感器

Imanaka等[29]以二价Mg2+阳离子导电的Mg1-2x(Zr1-xNbx)4P6O24(x =0.15)和O2-导电的YSZ为固体电解质,La(Ca)OCl做敏感电极,组装了Cl2传感器。在一定温度范围内该传感器呈现出良好的重现性,响应迅速,且传感器的响应电动势与Cl2浓度的关系遵循能斯特方程。

3.2 CO2传感器

Tamura等[30]以三价Sc3+离子导电的具有NASICON型结构的固体电解质Sc1/3Zr2(PO4)3和YSZ为固体电解质,Li2CO3为辅助电极,制备了CO2传感器。传感器的响应电动势与CO2浓度的对数呈现出良好的线性关系,符合能斯特方程。该传感器对NOx、H2O以及O2具有良好的抗干扰能力,表现出较强的稳定性。该传感器发生的化学反应如下:

其中,O2′表示工作电极处的O2,O2″表示辅助电极处的O2。

3.3 NH3传感器

Nagai等[31]以(Al0.2Zr0.8)20/19Nb(PO4)3为固体电解质,金属铝薄膜为参比电极,R2(SO4)3·(NH4)2SO4(R=Ce,Pr,Sm)和0.7La2O2SO4-0.3NH4H2PO4分别作敏感电极材料,制备了NH3传感器。两种不同敏感材料的传感器均表现出优良的敏感性能。以R2(SO4)3·(NH4)2SO4(R=Ce,Pr,Sm)为敏感电极的传感器响应速度快,仅2~4 min,且190天仍能保持良好的稳定性。以0.7La2O2SO4-0.3NH4H2PO4为敏感电极的传感器响应时间(4~6 min)略长于前者,但是其在干燥与湿润空气氛围下的响应信号几乎相同,表现出了较强的耐水性,适用于各种场合NH3的原位实时监测。

3.4 SO2传感器

Uneme等[32]以四价Zr4+导电的固体电解质Zr39/40TaP2.9W0.1O12和O2-导电的YSZ为固体电解质,以0.7La2O2SO4―0.3(0.8Li2SO4+0.2K2SO4)作为敏感电极,制备了SO2传感器,其可能的化学反应为:

该传感器的响应电动势与SO2气体浓度之间的关系遵循能斯特规律,且在一定温度下保持良好的稳定性和重现性。

4 结束语

近几十年来,固体电解质材料的研究受到越来越广泛的关注,其中,NASICON型结构固体电解质因具有三维离子传导结构,高离子电导率,而被认为具有很好的应用和发展潜力。但是,受其在低温下的离子电导率的影响,室温下的应用受到一定限制,因此改善NASICON型固体电解质室温下的电化学性能是未来研究的一大重点。高价离子导体由于与周围离子的静电引力大,其电导率普遍偏低,对具有NASICON型结构的高价离子传导固体电解质材料进行掺杂,改善晶体结构和扩展离子传导通道,提高其烧结性能,是增加其离子电导率的有效途径。此外,对于NASICON型高价离子固体电解质的应用目前主要集中在电化学气体传感器上,对其在电池和熔体中金属传感器的应用研究应深入展开,以推进和扩大其应用范围。

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(责任编辑、校对:琚行松)

Research Advances of Solid State Electrolyte with Cation Conduction

SHI Ming1, ZHOU Hui-zhu1, DAI Lei1,2, LI Yue-hua1, WANG Ling1,2
(1. College of Chemical Engineering, North China University of Science and Technology, Tangshan 063009, China; 2. Hebei Province Key Laboratory of Photocatalytic and Electrocatalytic Materials for Environment, Tangshan 063009, China)

Solid electrolytes have been widely studied as one of the functional materials in recent years. This paper mainly reviewed the newest research advances of cation conducting solid electrolytes with four valence states, especially those electrolytes conducting tri- and tetravalent ions. The application of the cation conductors in electrochemical gas sensors was also introduced briefly. At the same time, the facing challenges and the future prospect of solid electrolytes was discussed.

cation conducting solid electrolytes; NASICON; electrochemical gas sensors

TB34

A

1009-9115(2016)02-0030-05

10.3969/j.issn.1009-9115.2016.02.009

国家自然科学基金资助项目(51472073,51272067),河北省钢铁联合基金资助项目(E2016209359),唐山市科技局创新团队资助项目(15130201C)

2016-02-18

史明(1989-),女,河北邯郸人,硕士研究生,研究方向为材料电化学。

王岭(1962-),男,河北唐山人,博士,教授,研究方向为固体电解质、电化学传感器。

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