夜温和覆膜时间对西瓜嫁接苗下胚轴生长的影响

黄雯　章鸥　甘小虎　杨会玲　陆雪军

摘要：为探讨西瓜嫁接苗接穗下胚轴徒长的相关原因，在3种夜温处理和嫁接后3种覆膜时间处理下研究西瓜嫁接苗下胚轴的生长情况。结果表明，夜温和嫁接后覆膜时间对西瓜嫁接苗徒长有不同程度的影响，其中夜温的影响较大，较低的夜温有利于抑制西瓜嫁接苗徒长，在试验中夜温12 ℃、薄膜覆盖7 d抑制西瓜嫁接苗接穗下胚轴徒长的效果最好。

关键词：西瓜嫁接苗；接穗下胚轴；徒长；夜间温度；覆膜时间

中图分类号： S651.04 文献标志码： A 文章编号：1002-1302（2015）07-0134-03

采用嫁接苗种植是目前克服西瓜连作障碍、提高抗性的有效措施。西瓜嫁接育苗生产中应用较多的主要有劈接、靠接、插接，本试验所采用的顶端插接法，接穗与砧木结合紧密、成活率高、操作简单快捷，现已广泛应用于西瓜嫁接育苗中，但西瓜嫁接苗生长发育过程中易发生接穗下胚轴徒长的现象，导致西瓜苗羸弱，且不利于长途运输。

温湿度是影响植物生长的主要环境因子，在黄瓜上已有报道表明，高温高湿易造成黄瓜苗徒长。王娟等研究表明，育苗期间高温是导致黄瓜幼苗下胚轴徒长的主要原因，而在低温条件下，黄瓜幼苗叶片光合速率下降，幼苗的生产量显著降低[1-3]。西瓜嫁接后为保温保湿，均须覆盖一段时间塑料薄膜，覆膜期间湿度较大，且大大降低了透光率，使砧木、嫁接成活后的接穗都易徒长。

目前关于温湿度影响西瓜嫁接苗下胚轴生长情况的报道较少，本试验研究夜温和覆膜时间对西瓜嫁接苗下胚轴生长的影响，旨在分析西瓜嫁接苗接穗徒长与夜温、覆膜时间的关系，为西瓜嫁接苗的规模化生产和销售提供科学依据。

1 材料与方法

1.1 试验材料

本试验于2014年早春在南京市蔬菜科学研究所进行，供试接穗为早佳8424西瓜品种，砧木为小叶葫芦。于2014年3月19日进行嫁接，嫁接后按照试验方法进行处理，30 d后出苗。

1.2 试验方法

试验共设9个处理（表1），每处理设50株西瓜嫁接苗，重复试验3次，试验期间各处理日间气温均维持在25 ℃左右。

1.3 测定项目

于出苗当日（嫁接后30 d）测定各项指标。测定全株高度、接穗高度、砧木高度、接穗下胚轴长度、接穗下胚轴绝对生长速率AGR（AGR=下胚轴长度的绝对生长量/时间）、砧木粗度、接穗粗度、植株鲜质量、植株干质量、植株根冠比[根冠比=根干质量/（砧木茎干质量+接穗干质量）]、植株壮苗指数（壮苗指数=接穗茎粗/接穗高度×全株干质量）、最大叶叶面积、总叶面积、叶片开展度、根系长度。

1.4 数据分析

数据分析采用SAS软件的ANOVA过程处理，显著性检验采用Duncans 新复极差法检验。

2 结果与分析

2.1 不同处理方式对西瓜嫁接苗植株生长速率的影响

由表2可以看出，处理4嫁接30 d后植株高度、接穗高度、下胚轴长度最低，分别为14.76、10.19、2.82 cm，显著低于其他各处理，且无徒长现象；与处理9的差异最明显，分别比处理9低14.4%、24.2%、31.6%。由接穗下胚轴绝对生长速率可见，处理4的接穗下胚轴生长速度最为缓慢，为 0.607 mm/d，显著低于其他各处理，比生长速度最快的处理9低71.3%。在植株的粗度方面，各处理的砧木粗度无显著差异，接穗粗度之间差异较明显，其中以接穗高度最低的处理4最粗，其粗度比接穗最高的处理9高14.7%。

2.2 不同处理方式对西瓜嫁接苗植株质量及壮苗系数的影响

由表3可见，各处理间的植株鲜质量及植株干质量差异均较为明显，处理4的植株鲜质量最高，为7.266 g。干物质质量以处理5最高，为2.313 g，其次为处理4，为2.308 g。由壮苗指数的分析结果可见，处理4的植株最为健壮，壮苗指数高达0.950，明显高于其他各处理，比处理9高164%。各处理之间的根冠比无显著差异，推断西瓜嫁接苗的根冠比与环境中的温湿度无关。

2.3 不同处理方式对西瓜嫁接苗叶片及根系生长情况的影响

研究发现，出苗日各处理植株均有5张真叶，但总叶面积、最大叶的叶面积均存在较大差异。以处理4的最大叶叶面积最大，比最大叶叶面积最小的处理5高38.8%；总叶面积以处理1最大，处理3最小。各处理的叶片开展度差异不明显，最大的是处理1，最小的是处理3。由上述分析可知，嫁接苗的叶片生长情况无明显规律，推断夜温和薄膜覆盖对嫁接苗的叶片生长无影响。在根系生长方面，由表4可见，处理4的根系最为发达，根系长度及根系鲜质量、干质量均为最高，根系鲜质量、干质量与其他各处理有明显差异，其中根系干质量比处理9高78.4%，但根系长度与其他各处理间差异均不明显。

3 结论与讨论

Gray等研究认为，环境因子光照、温度、水分等通过改变植物激素水平而影响下胚轴伸长[4-5]。随着温度的降低，幼苗叶片气孔开度减小，叶绿素含量降低，从而使光合速率下降、光合产物积累减少、幼苗生长缓慢[2，6-8]。植物茎的伸长速率对温度反应敏感，随温度变化而迅速变化，在光下26 ℃左右及暗处17～19 ℃最适[9]，本试验中温度较低的3个处理（处理1、处理4、处理7）接穗下胚轴绝对生长速率均较低，与前人结论一致。

水分对幼苗生长的影响体现在土壤含水量、空气湿度2个方面。在幼苗营养面积过小、光照不足而温度又较高的条件下，应适当减少水分供应，以控制幼苗的徒长；如果过度控制水分又会对幼苗生长产生许多不利影响，容易出现幼苗老化的现象[1]。在本试验中，较低的夜温条件下，薄膜覆盖7 d比较适合西瓜嫁接苗的生长。

在本研究中，处理4明显无徒长现象，且壮苗系数最高，根系最发达，即当外界最高温在7～18 ℃之间、最低温在3～10 ℃之间时，西瓜苗嫁接后夜温维持在12 ℃，结合薄膜覆盖endprint

7 d较适合西瓜嫁接苗的生长。因而有结论，在一定的外界条件下，夜温和覆膜时间对西瓜嫁接苗的生长均有一定影响，较低的夜温是主要的影响因子，结合适当的覆膜时间有利于抑制西瓜嫁接苗接穗下胚轴的徒长。

另外有报道表明，昼夜温差（DIF）是决定植株伸长生长的主要因素[10-13]。DIF 与幼苗徒长的关系，根据试验环境和作物的不同会得出不一致的结果[10，14]，一般认为DIF>0（昼温>夜温）促进节间、茎的伸长，DIF<0（昼温<夜温）抑制其伸长。这方面在西瓜嫁接苗上的表现如何尚未可知，这也是下步研究的重点。

参考文献：

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