安森美半导体和Transphorm推出600VGaN晶体管

安森美半导体（ON Semiconductor）和功率转换器专家Transphorm，先前宣布双方建立了合作关系，把基于氮化镓（GaN）的电源方案推出市场，近日又宣布推出联名的NTP8G202N（TPH3202PS）和NTP8G206N（TPH3206PS）600VGaN共源共栅（cascade）晶体管和使用这些器件的240 W 参考设计。

NTP8G202N（TPH3202PS）和NTP8G206N（TPH3206PS），导通阻抗典型值为150mΩ和290mΩ，采用优化的TO－220封装，易于根据客户现有的制板能力而集成。NCP1397GANGEVB（TDPS250E2D2）评估板为客户提供完整的参考设计，以实现和评估他们的电源设计中的GaN 共源共栅晶体管。该评估板为客户提供比使用传统器件的电源更小的占位面积和更高的能效。升压段提供98%的能效并采用NCP1654功率因数校正控制器。LLC DC－DC段使用NCP1397谐振模式控制器提供97%的满载能效。这性能在以200＋千赫兹（kHz）运行时实现，而且能满足EN55022的B类电磁兼容（EMC）性能。完整的文档请从安森美半导体网站获取。