意法半导体（ST）新功率MOSFET实现近乎完美的开关性能

意法半导体MDmesh?M2系列的N-沟道功率MOSFETs再增添新成员，新系列产品能够为服务器、笔记本电脑、电信设备及消费电子产品电源提供业内最高能效的电源解决方案，在低负载条件下的节能效果尤为显著，让设计人员能够开发更轻、更小的开关式电源，同时轻松达到日益严格的能效目标要求。

新款600V MDmesh M2 EP产品整合意法半导体经过市场检验的条形布局（strip layout）和全新改进的垂直结构和优化的扩散工艺（diffusion process），拥有接近理想的开关设计，包括超低的导通电阻和最低的关断开关损耗，是特别为甚高频功率转换器（f>150 kHz）专门设计，为要求最严格的电源供应器（PSU,Power Supply Unit）的理想选择。

硬开关和软开关电路拓扑均适用，包括谐振拓扑（resonant topologies），例如LLC谐振，新器件的开关损耗极低，特别是在低负载条件下，低损耗更为明显。除MDmesh M2产品的共性栅电荷量（Qg）极低外，M2 EP产品的关断能量（Eoff）还可降低20%，而在硬开关转换器中，关断开关损耗同样降低20%。在低电流范围内降低Eoff损耗，有助于提高低负载能效，进而帮助电源厂商顺利达到日益严格的能效认证要求。