意法半导体(ST)的先进60V功率MOSFET为提高同步整流电路能效量身定制
2015-03-25
电子设计工程 2015年19期
意法半导体的槽栅结构低压MOSFETsSTripFET?F7系列将新增60 V的产品线,可协助电信、服务器和台式PC机的电源以及工业电源和太阳能微逆变器的直流-直流(DC/DC)电源转换器达到严格的能效标准要求,最大限度提升电源功率密度。
STripFET F7 MOSFET不仅大幅提高了晶体管的导通能效和开关性能,还简化了通道间的槽栅结构 (trench-gate structure),实现极低的导通电阻、电容和栅电荷量,并取得优异的品质因数(RDS(ON)×Qg)。此外,本征体二极管的恢复电荷(recovery charge)很低,有助于提高开关性能。高雪崩耐量确保在恶劣条件下保持性能稳健,反向传输电容对输入电容(Crss/Ciss)的比值低,有助于强化抗电磁干扰(EMI immunity)。