美军研制新型智能军用传感器

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美军研制新型智能军用传感器

据报道，美国北卡罗莱纳州立大学最近宣布，其最新的研究进展为多功能自旋电子智能传感器在军事上的应用和下一代自旋电子器件的使用铺平了道路。二氧化钒 （VO2）可以将更智能的传感器集成到硅芯片上，并可利用激光来使该材料具备磁性。

目前VO2被用于制造红外线传感器。通过将VO2作为单晶集成到硅基片上，研究人员有可能制造红外线智能传感器，其中传感器和计算功能被嵌在一个芯片上。 据称，这使得传感器更快、更节能。因为它不需要将数据发送到另一个芯片上而进行处理，而且单独的芯片也不是必要的，所以这种智能传感器也比常规的更轻一些。

对于军事上的应用，传感器技术需要能够感知、处理和快速地响应数据，而这项研究工作达到了这个目标。此外，研究人员用高功率纳秒脉冲激光束对VO2改性，使其具有磁性。这将允许在单个芯片上创建一种能集红外线传感器和磁性传感器于一身的自旋电子智能传感器。

自旋电子学是指在固态器件中使用的技术，它利用了电子及其相关的磁动势所固有的自旋优势。自旋电子学的潜在优势包括更高的内存容量，更快的数据传输和计算机芯片上更高的计算能力。

（摘自中国新闻网）