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基于静力学分析的精密磨抛机机架设计及优化*

2014-04-02朱海剑

机械研究与应用 2014年5期
关键词:分体机架云图

朱海剑

(常州贝斯塔德机械股份有限公司,江苏常州 213023)

0 引言

机架在磨抛机工作过程中主要起到上盘组件、下盘组件的固定与支撑作用。在上盘对下盘施压的过程中,机架容易产生较大的应力和变形,机架的强度与刚度直接影响机器磨抛的精度。因此,设计时必须能预测并合理控制机架的强度和刚度。

在机架的设计中,运用三维设计软件Solidworks设计三维模型,再导入到模拟仿真软件ANSYSWorkbench中对机架进行有限元分析,从而满足设计要求,保证机架结构的可靠性,为进一步的优化改进提供数据指导。

1 机架三维模型的设计及有限元分析

1.1 三维模型的建立

设计完成后的磨抛机工作总图如图1,机架模型采用三维软件SolidWorks建模,由于下盘组件的重量与上盘对下盘组件的压力相比,对机架变形有显著的影响,因此,模型中包含了下盘组件,为了分析方便,模型中去除了倒角、圆角、螺栓孔等对计算结果仅有细微影响的特征,如图2,再转化为 (*.x_t)格式[1]导入到ANSYSWorkbench中进行分析。

1.2 定义材料属性

机架材料选用Q235,在ANSYSWorkbench材料库EngineeringData中选用 Structural Steel,其具体性能参数见表 1[2]。

图1 磨抛机工作总图

图2 机架模型

表1 机架材料性能参数

1.3 定义接触类型

磨抛机3个机架分体间连接方式为12个M20的螺栓连接,连接面间有较大的摩擦阻力,可以直接假设此连接为刚性连接[3],机架分体间相互渗透,不

考虑接合面和螺栓接触面的变形,contacts(接触)类型选用系统默认类型Bonded。

1.4 划分网格

设定Element Size(单元大小)为30 mm,有限元网格划分节点数350 246,单元数179 436,结果如图3。

1.5 施加约束和载荷

磨抛机机架固定放置在地面,不能有位移,约束形式选择Fixed Support(固定约束),施加面为机架分体3下部与地面的接触面。磨抛机包含4个上盘组件、1个下盘组件,工作过程中,4个上盘组件可以单独工作,对下盘组件施压,也可以共同工作[4]。本文分析4个上盘共同工作时的极限状态,每个上盘对下盘有最大1 500 N的压力,每个上盘施加压力时对机架分体2有最大750 N+750 N的反作用力,并定义机架及下盘的自重 Standard Earth Gravity:9806.6 mm/s2,如图 4。

图3 网络划分

图4 施加约束与载荷

1.6 模型求解及结果分析

求解后,机架应力分布云图,如图5,应力较大位置主要集中在在机架分体2上上盘组件固定部位、机架分体3上下盘组件固定部位及两侧支撑柱上,最大应力处为机架分体2上工字钢加强筋的端部,大小为6.6496 MPa,满足强度要求。变形分布云图,如图6,变形较大位置主要集中在机架分体2上上盘组件固定部位,最大变形0.027 618 mm,满足刚度要求。

图5 应力分布云图

图6 变形分布云图

2 改进优化

由图6变形分布云图可见,相比机架其他部位,机架分体2固定上盘组件部位变形较大,可针对此部位进行局部加强,在机架分体2上工字钢侧部和端部各添加一块16 mm筋板,改进后模型如图7。经过前面分析步骤,得到改进后模型的应力分布云图和变形分布云图,见图8和图9。由图8、图9对比图5、图6可以得出如下结论。

(1)机架应力最大位置出现在图8中机架分体3的筋板上,应力最大值由原先的6.6496 MPa变为改进后的 3.6829 MPa。

(2)机架变形最大位置依然集中在图9中机架分体2上,但变形最大值由原先的0.276 18 mm变为改进后的0.011 627 mm。

图7 改进后模型

图8 改进后模型应力分

图9 改进后模型变形分布云

3 结语

主要设计了新型精密磨抛机机架,并计算分析磨抛机机架在静态极限工作状态下的受力、变形情况,校核设计是否达到预期效果和设计要求,通过有限元分析结果,直观的观察到磨抛机机架在极限工作载荷下的强度、刚度的强弱分布,通过针对性的局部加强,使设计更加成熟,机架的强度、刚度得到了明显改善,进一步保证了磨抛机的工作稳定性,使磨抛机的工作性能有了新的提升。

[1] 黄志新,刘成柱.ANSYSWorkbench 14.0超级学习手册[M].北京:人民邮电出版社,2013.

[2] 曾正明.机械工程材料手册-金属材料[M].第7版.北京:机械工业出版社,2010.

[3] 张洪武.有限元分析与CAE技术基础[M].北京:清华大学出版社,2004.

[4] 李 冰,郭 霞,刘 莹,等.蓝宝石基LED外延片背减薄与抛光工艺研究[J].半导体技术,2005(6):12-15.

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