台积电：谁也别拦我今年就试产16nm

2013年4月15 日消息，曾经有客户希望台积电的工艺更新换代步伐能够放缓一些，但无论从技术还是从商业角度讲，台积电显然都不可能这么做，甚至还要加快速度，已经决定将16nm FinFET工艺的试产时间从2014年提前到2013年底，并且希望能在2015年底用极紫外光刻技术制造10nm的芯片。

台积电此举显然是为了应付GlobalFoundries、三星电子的激烈竞争，这两家代工厂都已经宣布很快就会上马FinFET立体晶体管技术。

台积电原计划在2014年底到2015年初量产16nm，现在看起来明年年中就有可能提前实现，但具体还要取决于试产的良品率成果。

台积电首席技术官孙元成(Jack Sun)表示：“我们对16nm FinFET工艺在明年的黄金时代(量产)充满信心。”

他还披露，16nm目前正在使用128Mb SRAM进行测试，核心电压0.8V，I/O电压1.8V，良品率“超出预期”。标准单元、内存单元等基础性IP都已经做好了准备，但是关键内部模块的测试要到6月份才会开始。

有趣的是，就在不久前，Imagination刚刚宣布和台积电达成进一步的战略合作伙伴关系，PowerVR 6系列移动GPU未来会使用台积电的16nm FinFET工艺生产，而几乎同时，ARM和台积电也联合宣布，64-bit ARMv8架构的Cortex-A57芯片已经成功完成了第一次流片，所用工艺正好也是台积电的16nm FinFET。这显然给了台积电十足的动力去提速。

台积电估计，64-bit ARMv8核心在16nm工艺上的性能将比28nm 32-bit ARM A9高出多达90%，而相比之下20nm A15核心只能提速大约40%。