三段式门极驱动抑制MOSFET关断过冲振荡的研究

王孝伟　李铁才　石坚　林琦

0、引言

MOSFET（metal-xoide-semiconductor fieldeffect transistor）和IGBT等开关器件已广泛应用于开关电源、变频器、伺服驱动器中，随着功率半导体生产工艺、封装技术的不断改进，开关器件逐步向高频化方向发展。高频化在改善系统性能的同时，却在系统中产生了高幅值的高频电压和电流振荡，带来负面的影响。一方面，高频电压和电流振荡产生的电磁波会给系统自身和其他系统带来严重的电磁干扰，影响系统的正常工作；另一方面，高幅值的电压和电流振荡会使系统所承受的应力增加，给系统的安全及寿命带来严重的影响。