Vishay Siliconix推出新款通过AEC-Q101认证的40 V N沟道TrenchFET®功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology，Inc.（NYSE）宣布，推出新款通过AEC-Q101认证的40 V N沟道TrenchFET功率MOSFET——SQM200N04-1m1L。该器件特别针对“重型”汽车应用，是Vishay采用兼具低电阻和高电流等级的7脚D2PAK封装的首款功率MOSFET。通过高密度TrenchFET技术，器件在10 V和4.5 V下实现了1.1 mΩ和1.3 mΩ的超低最大导通电阻，将传导损耗最小化，并能在更低的温度下工作。此外，器件的连续漏极电流达200 A，帮助工程师设计出更具鲁棒性的产品，为关键的安全应用提供额外的安全余量。

今天发布的SQM200N04-1m1L适用于电动转向助力等高功率车用电机驱动应用。器件采用了专门设计，在生产过程中进行了100%的测试，可承受100 A和500 mJ的单个雪崩脉冲。器件具有0.4℃/W的低热阻（结至外壳），工作温度范围-55～+175℃。

SQM200N04-1m1L符合RoHS，通过100%的Rg和UIS测试。器件丰富和扩展了通过AEC-Q101认证的Vishay TrenchFET功率MOSFET系列。