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Vishay发布采用小尺寸WCSP6封装的新款斜率控制的P沟道高边负载开关

2013-03-24

电子设计工程 2013年10期
关键词:栅极导通新款

Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出可在1.5~5.5 V电压下工作的新款上升斜率控制的P沟道高边负载开关——Si P32458和SiP32459。这两款器件均具有一个集成的可提供稳定的20 mΩ低导通电阻,同时保持低静态电流的栅极泵。器件采用小尺寸6凸点晶圆级CSP封装(WCSP6),将4.5 V下的导通电压上升斜率控制在3 ms,限制使用容性或噪声敏感负载的设计方案的涌入电流。

为实现更高的效率,今天发布的负载开关在1.5 V、1.8 V电压下的开关导通电阻为30 mΩ和26 mΩ,在3.3 V和5 V下的导通电阻为20 mΩ。两款开关支持3 A的连续电流,低至4.2μA的静态电流使电池供电设备的工作时间更长。在禁用的情况下,SiP32458提供一个反向阻断电路,防止大电流流入电源;SiP32459集成了一个输出放电开关,当负载开关禁用时,这个放电开关使负载能够快速放电。

Si P32458和SiP32459的WCSP6封装具有1×1.5 mm的小占位,节距0.5 mm,在顶侧进行层压,以增强机械耐用性。为了节省空间,负载开关采用较低的输入逻辑控制阈值电压,能够直接连接低电压I/O管脚,不需要外部的电平转换电路或更高电压的栅极驱动器。这两款器件在控制逻辑的EN脚上都提供集成的2.8 MΩ下拉电阻。

Si P32458和SiP32459可用于智能手机、GPS设备、数码相机、媒体播放器、笔记本电脑和平板电脑等便携式电子产品,游戏机、医疗和保健设备,以及工业仪表中的负载切换。器件符合RoHS,无卤素。

Si P32458和SiP32459现可提供样品,并已实现量产,供货周期为十二周。

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