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Vishay推出用于直接IGBT安装的镀金属聚丙烯膜缓冲电容器

2013-03-24

电子设计工程 2013年8期
关键词:尖峰镀金高功率

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器——Vishay Roederstein MKP386M,该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块上,容量从0.047μF到10μF,可在+105℃高温下工作,有700 VDC~2 500 VDC和420 VAC~800 VAC共7个电压等级。

MKP386M可承受2 500 V/μs的高能脉冲和1 850 A的峰值电流,寿命超过30万小时,可减少由切换IGBT引起的电压和电流尖峰,这种尖峰是电磁干扰(EMI)的重要来源。典型应用包括功率转换器、频率转换器,以及风力机逆变器、中功率和高功率太阳能逆变器、汽车动力总成中的电机驱动。Vishay还提供结构长度58 mm的器件,用于高功率IGBT模块。

缓冲电容器的ESR低至1.5 mΩ,容量公差±5%,引线间隔的每毫米自感为0.7 nH,RMS电流高达20 A。器件采用阻燃塑料外壳和环氧树脂密封,无铅、无卤素,符合RoHS指令。

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