APP下载

无楔块条件下超声相控阵的聚焦特性测试

2012-07-24刘晓睿强天鹏邬冠华孙忠波

无损检测 2012年3期
关键词:晶片声场相控阵

刘晓睿,强天鹏,邬冠华,孙忠波,肖 雄,郑 凯

(1.南昌航空大学 无损检测技术教育部重点实验室,南昌 330063;2.江苏省特种设备安全监督检验研究院,南京 210003;3.天津诚信达金属检测有限公司,天津 300384;4.江苏中特创业设备检测有限公司,南京 210014)

1 相控阵聚焦原理

声束偏转和聚焦是超声相控阵区别于常规超声的两个重要特性。所谓“声束聚焦”是指由于各个晶片距离焦点的声程不同,通过延时法则改变晶片的激发时间——距离焦点远的晶片先发射信号,距离焦点近的晶片后发射信号——可使各个晶片发射的信号同时到达焦点,在一个小区域形成一个高强度声场。假设晶片间的距离为p,聚焦深度为F,介质中的声速为c,则各个晶片的延时时间为:

式中n为晶片序号;t0是为了防止出现一个负的延时时间而设置的时间常数。

2 无楔块条件下相控阵聚焦能力测试

试验使用的仪器是Olympus公司的OmniScan MX 32:128便携式相控阵检测仪,利用TomoView软件作数据判读。采用的探头是5L64A2,共有64个晶片,晶片间的距离(pitch)为0.6mm。采用的试块是ASTM E2491—2008《相控阵超声波检查仪和系统工作特性评定指南》标准附录中的图A1.1所示的试块,试块中横孔为φ2mm×25mm,相邻孔深度和水平间距均为5mm。试验激发的晶片数为8,16,32个,设置的聚焦法则为:聚焦深度10,30,50,100,150和200mm。

试验条件基于ASTM E2491标准的附录1,测试相控阵的偏转和聚焦能力,在扫查上使用带编码器线扫。试块及扫查示意见图1。

采用不同激发晶片数和不同聚焦深度,得到的回波信号聚焦情况见图2~4。

在Tomoview软件中以-6dB的方式对孔径进行测量,对于那些由于深度较浅或者波幅较低,用6dB法无法准确测量的结果,用“不可分辨”表示。各个扫查图像测量后结果见表1~3。

超声波束聚焦特性与近场有关,分析相控阵聚焦特性就需要知道其近场长度。相控阵探头晶片阵列为矩形,其近场长度由下式给出[1]:

表1 激发8晶片时在不同聚焦深度下不同孔深的测量孔径

表2 激发16晶片时在不同聚焦深度下不同孔深的测量孔径

式中 k矩形——近场修正系数(图5);

L——探头长度,mm;

W——探头宽度,mm;

f——频率,MHz;

v——试件声速,mm/μs。

图5 矩形探头的近场修正系数

表3 激发32晶片时在不同聚焦深度下不同孔深的测量孔径

根据公式计算激发8,16和32个晶片时近场区长度,分别为5.19,28.39,79mm。

表4将试验中测得的最小孔径数值记为“实测焦点尺寸”;将测量孔径值不大于2倍实际孔径(即≤4mm)的声程范围记在“有效聚焦范围”的括号前,将测量孔径值不大于3倍实际孔径(即≤6mm)的声程范围记在“有效聚焦范围”的括号内,将以上各表检测结果总结后得到表4。

表4 不装楔块情况下相控阵聚焦能力测试结果

由聚焦声束焦点处的声压公式P=πNP0/F(其中P为焦点处声压;N为近场区长度;P0为波源处声压;F为焦距)。可知,在大于近场区长度N的深度无法聚焦。上面的分析结果与相控阵探头的聚焦试验结果相符,即聚焦只能发生在孔径的近场区内。

从表4中可以看出,实测最小焦点的深度与设置的聚焦深度并不一致,实测最小焦点的深度总是小于设置的聚焦深度。但是实测有效聚焦范围(即测量孔径值不大于2倍实际孔径的声程范围)与设置的聚焦深度是一致的。因此应用相控阵聚焦特性时,不应以最小焦点的深度值,而应以有效聚焦范围作为聚焦深度(焦距)指标。

从表1~4的数据可以看出,如果用最小焦点尺寸、有效聚焦范围、有效聚焦的深度范围3项指标衡量相控阵聚焦特性,则激发晶片数量越多,聚焦特性越好。

(1)最小焦点尺寸 该尺寸随激发晶片数量的增加而减小。激发8晶片的最小焦点为1.5mm;16晶片的最小焦点为1.4mm;32晶片的最小焦点为0.8mm。

(2)有效聚焦范围 该范围随激发晶片数量的增加而增大。激发8晶片的有效聚焦范围约为10(20)mm;16晶片的有效聚焦范围约为10~35(10~50)mm;32晶片的有效聚焦范围约为10~35(10~60)mm。

(3)有效聚焦的深度(焦距)该距离随激发晶片数量的增加而增大。激发8晶片的有效聚焦深度范围约为5~15(5~25)mm;16晶片的有效聚焦深度范围约为10~50(5~55)mm;32晶片的有效聚焦范围约为10~85(5~105)mm。

从表1~3的数据可以看出,激发晶片数量增加对近表面区域聚焦有不利影响。仅在激发8晶片时,可实现深度5mm孔的聚焦,而其他大都无法识别。为了实现近表面区域的聚焦,应在设置小聚焦深度的同时减少激发晶片的数量。

从表4中可以看出,晶片数量不变的情况下,设置的聚焦深度越小,实测焦点尺寸也越小,但有效聚焦的深度范围同时减小,且有效聚焦的深度范围以外的声场发散度增大。为保证足够大的有效聚焦范围,聚焦深度不宜设置过小。另一方面,如果设置的聚焦深度超过近场,相控阵声场的聚焦效果将变得不明显。

3 结论

(1)试验表明,不加装楔块的相控阵纵波声场,在近场区内表现出了明显聚焦的现象;在超过近场区长度的地方,无法实现聚焦。

(2)随着激发晶片数量的增加,相控阵声场的聚焦能力变强,有效聚焦范围变大,有效聚焦深度也变大。

(3)在近场区内,焦点尺寸随设置的聚焦深度的增加而增大。

(4)晶片数量增加对近表面区域聚焦不利,欲实现近表面区域聚焦,应采用较少晶片数量。

[1]Michael D,Moles C.Introduction to Phased Array Ultrasonic Technology Applications[M].Quebec:Olympus,2004:50-51.

猜你喜欢

晶片声场相控阵
相控阵超声技术在PE管电熔焊接检测的应用
相控阵超声波检测技术认证
基于深度学习的中尺度涡检测技术及其在声场中的应用
基于BIM的铁路车站声场仿真分析研究
相控阵检测探头晶片检查的几种方法
一种相控阵雷达的通讯处理器设计
探寻360°全声场发声门道
单晶硅抛光片表面质量探究
基于小生境遗传算法的相控阵雷达任务调度
IBM发明纳米碳管晶片 可使晶片速度提高1000倍