ARM与GLOBALFOUNDRIES合作推出20 nm及FinFET技术

基于ARM处理器、GPU和物理IP的优化解决方案将有助于新一代智慧型行动装置的生产

2012年8月14日，GLOBALFOUNDRIES和 ARM在上海宣布已签订了一份多年期协议，旨在为采用GLOBALFOUNDRIE 20 nm与FinFET工艺的ARM处理器设计提供优化的系统级芯片(SoC)解决方案。该协议将进一步拓展双方长期合作关系，并将合作领域扩展到在移动设备中重要性逐渐提高的图像处理器元件中。作为协议的一部分，ARM将开发一个包括标准单元、逻辑电路、内存编译器和处理器优化包(POPTM)IP解决方案在内的ARM®Artisan®物理IP的完整平台。此次合作将有助于使得包括智能手机、平板电脑和超薄笔记本在内的一系列移动应用的系统性能和电源效率提升到一个新的水平。

在共同优化ARM®CortexTM-A系列处理器方面，ARM和GLOBALFOUNDRIES已经积累了多年合作经验。其中不仅包括28 nm工艺上已经在性能与功效方面所展现的多项优势，也包括美国纽约州马尔他镇的晶圆厂中正在生产的 20 nm测试芯片。通过推动制造IP平台的创新，新的协议进一步延续了此前的合作，从而令客户能够在20 nm工艺平台上进行设计，有助于客户迅速转移至三维 FinFET晶体管技术。对于ARM下一代移动 CPU和 GPU的用户而言，这项共同开发则可加快SoC解决方案的上市时间。

ARM执行副总裁兼处理器及物理 IP部门总经理 Simon Segars表示：“这次的初步合作促进了ARM和GLOBALFOUNDRIES的技术在针对未来多个重要市场的SoC中的快速采用。同时，为手机、平板电脑和计算应用提供设计服务的客户也将由于此次合作中的高能效 ARM处理器和图形处理器而获益匪浅。通过在下一代 20 nm LPM与FinFET工艺方面的积极合作，我们能够确保为双方的共同客户提供一系列的实施选项，将先进半导体装置的发展往前推进两个世代。”

此次合作还拓展到了GLOBALFOUNDRIES基于 FinFET的工艺。通过早期的预先准备，双方将共同优化物理IP和工艺，以确保从 20 nm LPM的快速迁移。因此，此次合作将以前所未有的速度和更低的风险提供一系列实施方案。

(GLOBALFOUNDRIES公司供稿)