Vishay推出的下一代D系列MOSFET具有诸如超低导通电阻、超低栅极电荷等高性能指标

日前，Vishay Intertechnology,Inc.宣布，推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400 V、500 V和600 V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3～36 A电流，采用多种封装。

今天发布的D系列MOSFET基于新的高压条带技术，使效率和功率密度达到新的水平。器件的条带设计加上更小的裸片尺寸和端接，使栅极电荷比前一代方案低50%，同时提高了开关速度，降低了导通电阻和输入电容。

400 V、500 V和600 V器件的导通电阻分别为0.17Ω、0.13Ω和0.34Ω。超低的导通电阻意味着极低的传导和开关损耗，能够在服务器和通信电源系统、焊接、等离子切割、电池充电器、荧光灯、高强度放电(HID)照明、半导体设备和电磁加热的高功率、高性能开关电源应用中节约能源。

D系列MOSFET中的400 V、500 V和600 V器件的栅极电荷分别为9 nC、6 nC和45 nC，具有最佳的栅极电荷与导通电阻乘积，该值是用在功率转换应用中MOSFET的关键优值系数(FOM)，400 V、500 V和600 V器件的FOM分别为7.65Ω-nC、15.6Ω-nC和12.3Ω-nC。

新的D系列MOSFET采用简单的栅极驱动电路、非常耐用的本体二极管，易于设计到更紧凑、更轻、发热更少的终端产品中。器件符合RoHS指令，符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，雪崩（UIS）定级让器件能够稳定可靠地工作。