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Vishay发布12个采用不同封装的45V TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器

2012-03-31

电子设计工程 2012年3期
关键词:单芯片肖特基势垒

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出12款采用3种功率封装、具有10~40 A额定电流范围的新型45 V器件——V(B,F)T1045BP、V(B,F)T2045BP、V(B,F)T3045BP 和 V(B,F)T4045BP,扩充其 TMBS Trench MOS 势垒肖特基整流器。 这些整流器在20 A电流下具有0.51 V的极低正向压降,适合在太阳能电池接线盒中用作起保护作用的旁路二极管。

发布的产品包括单芯片 V(B,F)T1045BP、V(B,F)T2045BP、V(B,F)T3045BP 和 V(B,F)T4045BP。 每款器件均提供功率TO-220AC、ITO-220AC和TO-263AB封装。所有整流器在没有反向偏置(t≤1小时)的直流正向电流下的最高结温为200℃。器件符合RoHS指令2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC。TO-263AB封装的潮湿敏感度等级(MSL)达到per J-STD-020规定的1级,LF最大峰值为245℃。TO-220AC和ITO-220AC封装的最高焊浴温度为275℃,时间为10 s,符合JESD 22-B106的各项标准,符合IEC 61249-2-21的无卤素规定。

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