信息荟萃

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致力于粉体工程、绿色环保装备领域创新成果丰硕浙江丰利通过省级企业技术中心考评

日前，浙江省经信委、省财政厅、省国税局、省地税局和杭州海关联合公布了《2010年浙江省省级企业技术中心评价结果》（浙经信技术〔2010〕577号）。国家高新技术企业浙江丰利粉碎设备有限公司技术中心顺利通过考核，成为2010年浙江省企业技术中心。

据了解，浙江省企业技术中心每2年进行1次评价。省级企业技术中心评定不仅在企业销售规模等经济指标上设有较高门槛，更注重企业的创新能力、创新示范作用等综合水平，同时要求企业在行业中具有显著的规模优势和竞争优势。省有关部门予以省级认定，并给予相应的政策扶持。

浙江丰利早在2000年就建成了我国粉体设备行业首家省级高新技术企业研究开发中心，并在每次评价中都顺利通过。浙江丰利始终把技术中心建设作为一项战略任务来抓，努力完善公司技术创新机制和组织体系。重视企业科研创新工作，每年均投入销售收入的5%以上作为科研经费。坚持自主创新与引进技术相结合的科研创新体系，创造出多项独有知识产权和国内领先并达到国际先进水平的技术和产品；其中十多项被确认为国家重点新产品和国家火炬项目，列入国家重大产业技术开发专项，入选国家《重大技术装备自主创新指导目录》，代表着我国高档粉体设备的最高水平。针对国内粉碎设备标准的空白，组建了全国颗粒表征与分检及筛网标准化技术委员会超微粉碎设备工作组，首批行业标准正在起草制订中。

此次浙江丰利技术中心再次通过评价考核，不仅是对浙江丰利科技创新能力优势、较强的自主创新能力和较为完善的自主创新体系的认可，同时彰显了浙江丰利在科技投入上的气魄和企业技术创新方面的卓著业绩。（吴宏富）

2015年全球API市场将达到1 260亿美元

2009年全球活性药物组分（原料药，API）的销售收入达到910亿美元，2010—2015年全球API市场的年均复合增长率将达到5.9%，到2015年该市场的销售收入将达到1263亿美元。未来几年全球API市场快速增长的主要动力来自于仿制药品和生物药品市场需求的强劲增长，同时全球经济走出低迷也将帮助API市场的增长。

当前北美和欧洲占全球API市场的份额逾60%，而亚太地区则是全球范围内增速最快的市场，未来几年中国、印度和巴西将引领全球API市场需求增长。合成类API仍将继续占据全球API市场主导地位，不过生物技术类API的增速将加快。 （庞晓华）

未来5年全球工业气体需求将快速增长

据美国弗里多尼亚集团的研究报告显示，未来5年全球工业气体市场将以年均8%的速度快速增长，到2015年全球工业气体市场将达到近520亿美元。如果按体积消费计算，未来五年全球工业气体市场需求将以年均5%的速度增长，到2015年市场需求量将达到530×109m3。

弗里多尼亚集团称，未来五年全球工业气体市场需求增长最快的是亚太地区的新兴工业经济体，尤其是中国和印度两国；但一些发达工业经济体的需求增速将较为缓慢；其它一些发展中地区（包括中南美和非洲以及中东地区）的需求增速将超过全球平均水平。据数据显示，非洲地区工业气体市场将从2010年时的20.94亿美元增长至2015年时的25.46亿美元；独联体国家地区的市场将从30.07亿美元增长至33.27亿美元；东亚地区将从110.42亿美元增长至142.32亿美元；东欧将从9.62亿美元增长至10.49亿美元；中东将从35.34亿美元增长至39.51亿美元；北美自由贸易区将从106.58亿美元增长至117.03亿美元；中南美洲将从31.88亿美元增长至41.44亿美元；西亚将从10.52亿美元增长至15.73亿美元；西欧将从90.63亿美元增长至95.51亿美元。

日本化企争相投资新加坡S-SBR市场

日本住友化学公司已经决定在新加坡裕廊岛上新建1套40 kt/a的溶聚丁苯橡胶（S-SBR）装置，预计在2013年第四季度正式投产。

日本另一家化学公司旭化成化学公司（AKC）在今年10月份时对外宣布，公司将在新加坡裕廊岛新建1套S-SBR装置。该装置的初始设计产能为50 kt/a，预计在2013年6月投产。第2阶段，公司计划在2015年上半年前将该装置扩能至100 kt/a。

住友化学表示，公司决定将S-SBR装置建在新加坡是出于3个方面的原因：其一是地域优势，可以辐射到整个亚洲地区；其二是可以保证获得稳定的丁二烯原料供应；其三是可以与公司在新加坡的现有业务发生协同效应。

为应对气候变暖，全球范围内对汽车燃料消耗的管理规定正日趋严格，在这种大的政策环境下，作为高性能、节能型轮胎的原材料，S-SBR的需求正在快速增长之中。在亚洲地区，尤其是中国、印度和泰国，轮胎制造商们正计划进行连续扩能，S-SBR的产能在近期有望出现增长。

（庞晓华）

全球工业阀门市场将快速增长

迈克文公司（McIlvaine）的最新研究报告显示，未来几年全球工业阀门市场将快速增长，从今年的约440亿美元快速增长至2015年时的520亿美元。从2010—2015年期间，全球工业阀门需求增速最快的市场将是东亚地区的电力和污水处理市场；西亚工业阀门市场将增长50%；而西欧市场仅增长6%。

未来5年控制阀仍将是全球工业阀门市场增长的先锋，尤其是智能控制阀门，在远距离控制领域将发挥优势。

美SI集团扩大在华酚醛树脂产能

美国SI集团日前表示，公司将投资3 000万美元新建其在中国的第2套酚醛树脂生产装置，同时将投资500万美元扩大其在中国的第一套酚醛树脂生产装置，该装置位于中国上海。新建装置的设计产能为30 kt/a，而扩能装置将新增10 kt/a的产能。SI集团同时还生产烷基酚醛树脂、烷基酚和其它化工中间体产品，公司还计划在2011年3月开启在华的首个应用实验室，具体的选址没有透露。

阿科玛计划在美投巨资扩大丙烯酸酯产能

法国阿科玛公司未来3年将投资1.1亿美元扩大旗下位于美国德克萨斯州Clear Lake和Bayport工厂内的丙烯酸和丙烯酸酯产能，以满足污水处理、超吸水性树脂和提高油气回收率市场对丙烯酸酯类产品快速增长的需求。当前公司是全球仅次于巴斯夫和陶氏化学的第3大丙烯酸酯类产品供应商，在美国是第2大供应商。

此次投资的主要部分将放在提高Clear Lake工厂内丙烯酸装置的竞争能力，升级改造项目预计在2013年初完成，届时该装置的丙烯酸产能将小幅提升至270 kt/a。阿科玛公司是在今年初时从陶氏化学公司手中收购了该丙烯酸装置。此外，公司将在Clear Lake工厂内新建1套45 kt/a丙烯酸甲酯装置，产品将供应污水处理、弹性体和工程塑料市场，预计在2013年第2季度建成投产。

公司还计划投资将Bayport工厂内的1套50 kt/a丙烯酸丁酯装置转换成1套40 kt/a的丙烯酸异辛酯装置，预计在2012年初完成投产。

（庞晓华）

未来2年北美氯碱工业将缓慢复苏

受终端用户市场缓慢复苏的影响，2012年前北美地区氯碱市场将以年均约2%~3%的速度温和增长，到2012年北美地区氯碱市场需求将达到约11.5 Mt。

美国氯碱市场已经从2009年初时库存大幅削减和需求崩溃的严峻危机中逆转，但这种反转的进展仍然缓慢，产量仍然低于此次经济衰退前的水平。2010年上半年，美国市场氯产量从2009年同期的4.5 Mt攀升至5.5 Mt，但仍然低于2008年上半年的5.8 Mt。

ECHA：4 300种化学品完成欧盟Reach法规注册工作

据欧洲化学品管理局（ECHA）称，截止11月30日的最后期限，已经有4300种物质按照欧盟Reach化学品管理规定的要求进行了注册。ECHA表示，这是欧盟Reach化学品管理规定的第一个时间截止点，在这个点，要求在欧盟范围内销售的年销售量超过1 000 t以及一些高风险物质完成注册，ECHA一共受到24 675份注册档案。

据ECHA统计数据显示，在截止11月30日的最后期限完成注册的4 300种化学品中，大型化学公司完成的数量约占86%，而中小型化学公司占14%。注册主要来自于德国、英国、荷兰、法国和比利时。来自于非欧盟生产商的注册数量约占19%。

CPChem计划新建1套世界级1-己烯装置

雪佛龙菲利浦斯化学公司（CPChem）计划在位于德克萨斯州贝城的Cedar Bayou工厂内新建1套200 kt/a的1-己烯装置。该装置预计在2014年第1季度建成投产。该装置的建设将满足全球范围内聚乙烯（PE）生产商们对1-己烯共聚单体增长的需求。

CPChem表示，这套世界级的1-己烯装置将受益于公司在当地的一些区域优势，包括基础设施、原料以及运营经验等。

（庞晓华）

立足纳米科技前沿 开发高端纳米产品密友集团建成省级高性能纳米金属粉体工程技术研究中心

日前，江苏省高性能纳米金属粉体工程技术研究中心正式在江苏省昆山市高新区的密友集团有限公司挂牌成立。该中心的建立将为密友集团的未来发展提供强有力的技术支持及产品储备。

据悉，江苏省科技厅对省级工程技术研究中心的审批极为严格，对企业规模、研发能力、合作伙伴、科研成果转化能力等，都作了细致的要求，而且在同一领域内一般不审批第二家研发中心。

纳米金属粉是军工、国民经济各行业传统产业升级和高科技产品开发用重要基础性材料，市场需求巨大，但大部分需进口。

大力发展纳米粉体新材料是我国政府优先支持发展的新兴战略性产业重点领域之一。

密友集团以敏锐的眼光，捕捉良机，立足纳米科技前沿，与国内外著名科研院所、高等院校紧密合作，开发出系列高端纳米产品，成功走出一条产学研合作新路子，成为纳米粉体材料及其高科技产品研发及产业化的创新者。

该集团与南京工业大学敢为天下先，率先攻克高纯度、高产率纳米金属粉制备难题，共同开发的年产15吨高性能纳米金属粉产业化项目，已通过中科院院士任组长的专家验收：该纳米金属粉体连续制备技术，在粒度相同情况下，能将银粉产量提高5倍，镍粉提高2倍，铜粉提高1.5倍，目前完全领先国内同类技术。此技术入选中国企业新纪录（第13批）。

为了占据市场优势和满足客户需求,该集团计划投资1.68亿元建设48条纳米金属生产线。

为了让纳米金属粉体发挥更大的作用，进行了多种后续产品的开发。通过突破高均匀混合纳米软金属粉体、纳米粉体制备及其多层表面修饰技术，研制出系列型高性能纳米自修复剂，现已规模生产出适用于汽油、柴油内燃机；通用流体机械和机械密封三大系列产品。广泛应用于各类汽油、柴油发动机、机械密封件、船舶、压缩机、泵、齿轮箱体、工程机械、机床设备等行业，用户使用证实产品具有自修复、抗磨、减摩、达到节能、减震降噪、减少废气排放、提高发动机动力、提高机械密封设备的密封压力和延长设备使用寿命等功效；大幅度改善润滑油、脂品质；提高机械的使用寿命和工作效率，是一款高效节能、环保产品。在中国中轻产品质量保障中心评比活动中，密友牌纳米自修复剂系列产品，一举获得“全国质量信得过产品”和“中国市场公认品牌”称号。此外，该集团还正在紧锣密鼓开发高性能纳米银、铜、镍导体浆料和纳米电磁屏蔽材料及高容量纳米碱性锌锰电池等产品，现已取得阶段性成果。

密友集团表示，将以纳米金属粉体工程技术研究中心成立为契机，联手中国科学院上海高等研究院，进一步开发纳米金属粉在生物医药及基因诊断中的应用；纳米银粉在合成纤维中的应用；纳米金属粉在焊材中的应用；纳米金属粉在功能涂料中的应用；并积极开发纳米金属/陶瓷多层膜离子注入技术；进一步开拓、占领国内外纳米产品市场，永葆基业常青。（吴宏富）

采用二甲醚从海藻中萃取“绿色原油”

日本电力工业中央研究院的能源工程研究实验室研制成功一种更简单的工艺，它有望成为更有效、同时消耗较少能源的工艺。该工艺利用液化二甲醚(DME)在油和水中具有溶混性的独特性能。在该工艺中，液化DME在室温和0.5MPa压力下，在1台含有海藻淤浆的塔中连续地进行循环；大约在10 min后，油被取到DME中；然后充满油的DME可从水中分离，通过减压将DME作为蒸汽回收。

采用蓝绿藻（一种微藻类混合物，微囊藻属）进行实验，DME的萃取能力比传统方法萃取油的效率高60倍。产品“绿色原油”相对分子质量为200~400，热值为45.85 kJ/g(低于木材的热值)。研究人员正在采用其他藻类优化这种萃取工艺，并计划将该工艺进行放大。

（郑宁来）

1种制备三氟环氧丙烷的方法

1种制备三氟环氧丙烷的方法。包括向质量分数为35%的过氧乙酸水溶液中加入过渡金属催化剂；然后将三氟丙烯通入到该反应体系中，剧烈搅拌下，控制反应体系的温度低于40℃，反应2～4 h后，将体系升温至50～60℃，蒸出三氟环氧丙烷。该发明制备方法的优点在于不使用剧毒或产生巨大环保压力的试剂，能够通过较为简单的方法制备三氟环氧丙烷。 （CN101899023A）

1种制备三氟环氧丙烷的方法

1种制备三氟环氧丙烷的方法

1种制备三氟环氧丙烷的方法。包括如下步骤：将三氟丙烯通入到新鲜制备的次氯酸的水溶液中，此后加热反应体系至90～95℃，向反应体系中滴加氢氧化钠溶液，冷却馏出物即可得到三氟环氧丙烷。该发明制备方法的优点在于不使用剧毒或产生巨大环保压力的试剂，能够通过较为简单的方法制备三氟环氧丙烷。（CN101899025A）

五氟丙烷、五氟丁烷和水的组合物

涉及五氟丙烷、五氟丁烷和水的组合物。该发明公开了含有1,1,1,3,3-五氟丙烷、1,1,1,3,3-五氟丁烷和水的组合物，所述组合物用作聚合物泡沫体、制冷剂、气溶胶推进剂、计量吸入剂、热传递介质和气体绝缘体的发泡剂满足环保要求。（CN101891900A）

五氟乙烷的制造方法

在催化剂的存在下，使四氯乙烯与HF以气相反应，得到HFC-125，在反应器中配置氟氧化铬作为催化剂，向反应器中供给四氯乙烯（PCE）和HF，并且供给相对于（PCE）摩尔分数为0.4%～1.8%的氧。能够得到高PCE转化率，且抑制催化剂的劣化，并且减少不希望的副产物的生成，且将催化剂活性长期维持在较高水平。（CN101896447A）

1,1,1,3,3-五氟丁烷的制备方法

1种1,1,1,3,3-五氟丁烷的制备方法。在液相氟化催化剂的存在下，1,1,1,3,3-五氯丁烷与HF在设有低温反应区 (1)和高温反应区(2)的液相氟化反应器中进行反应，反应条件为：HF与1,1,1,3,3-五氯丁烷的摩尔比为6～15:1，反应压力1.0～1.5 MPa，低温反应区的反应温度60～90℃，高温反应区的反应温度90～140℃，其中液相氟化催化剂为五氯化锑或四氯化锡，1,1,1,3,3-五氯丁烷进入液相氟化反应器的低温反应区(1)，新鲜HF进入液相氟化反应器的高温反应区(2)进入反应系统，循环HF同时进入液相氟化反应器的低温反应区(1)和高温反应区(2)。 （CN101913982A）

1,1,1,3,3-五氟丙烷的制备方法

1种1,1,1,3,3-五氟丙烷的制备方法。在液相氟化催化剂的存在下，1,1,1,3,3-五氯丙烷与HF在设有低温反应区 (1)和高温反应区(2)的液相氟化反应器中进行反应，反应条件为：HF与1,1,1,3,3-五氯丙烷的摩尔比为6～15:1，反应压力1.0～1.5 MPa，低温反应区的反应温度60～90℃，高温反应区的反应温度90～140℃，其中液相氟化催化剂为五氯化锑或四氯化锡。1,1,1,3,3-五氯丙烷进入液相氟化反应器的低温反应区(1)，新鲜HF进入液相氟化反应器的高温反应区(2)进入反应系统，循环HF同时进入液相氟化反应器的低温反应区(1)和高温反应区(2)。 （CN101913983A）

气相氟化制备2-氯-1,1,1,2-四氟丙烷的方法

1种2-氯-1,1,1,2-四氟丙烷的制备方法。该方法以2-氯-3,3,3-三氟丙烯为原料，包括以下步骤：在氟化催化剂催化作用下，氟化氢与2-氯-3,3,3-三氟丙烯的摩尔比为2～10:1，接触时间 5～15 s，反应温度 260～400℃，一步气相氟化制备2-氯-1,1,1,2-四氟丙烷的方法。其中氟化催化剂的前驱体的质量分数分别为：氟化钙50%，γ-FeO(OH)40%，碳酸钙10%。氟化催化剂可通过下述方法得到：将氟化催化剂的前驱体混合均匀，压制成型，在450℃进行焙烧后，在400℃用氟化氢气体氟化制得氟化催化剂。（CN101913984A）

气相氟化制备1,3,3,3-四氟丙烯的方法

1种1,3,3,3-四氟丙烯的制备方法。该方法以1-氯-3,3,3-三氟丙烯为原料，包括以下步骤：在氟化催化剂催化作用下，氟化氢与1-氯-3,3,3-三氟丙烯进行反应，反应条件为HF与1-氯-3,3,3-三氟丙烯摩尔比为5～15:1，接触时间为2～20 s，反应温度300～450℃，其中氟化催化剂的前驱体的质量分数分别为：氟化钙60%，氢氧化铁30%，碳酸钙10%。氟化催化剂可通过下述方法得到：将氟化催化剂的前驱体混合均匀，压制成型，在450℃进行焙烧后，在400℃用氟化氢气体氟化制得氟化催化剂。（CN101913985A）

气相氟化制备2-氯-3,3,3-三氟丙烯的方法

1种2-氯-3,3,3-三氟丙烯的制备方法。该方法以1,1,1,2,2-五氯丙烷或1,1,1,2,3-五氯丙烷为原料，包括以下步骤：在氟化催化剂作用下，通入氟化氢与1,1,1,2,2-五氯丙烷或1,1,1,2,3-五氯丙烷反应，反应条件为：氟化氢与有机物的摩尔比为10～20:1，接触时间为 2～20 s，反应温度 260～300℃，其中氟化催化剂的前驱体质量分数为碳酸钙60%，γ-氢氧化铁40%。氟化催化剂可通过下述方法得到：将氟化催化剂的前驱体混合均匀，压制成型，在450℃进行焙烧后，在400℃用氟化氢气体氟化制得氟化催化剂。（CN101913986A）

以拓展训练教学法在高校篮球选项课教学中的应用为研究对象；以福建商学院2017级人数相等的2个班(n=30)为实验对象。

2,3,3,3-四氟丙烯的制备方法

1种2,3,3,3-四氟丙烯的制备方法，该方法包括以下步骤：1)将一氯一丙炔溶解在二氯甲烷中，反应温度0～60℃，通入氯气，持续6 h后，室温继续反应12 h，反应液经萃取、蒸馏，得到1,1,1,2,2-五氯丙烷；2)将催化剂SbCl5置于高压釜中，冷却至-30℃，加入无水氟化氢和步骤1)得到的1,1,1,2,2-五氯丙烷后，在搅拌下升温至80℃，反应压力1.0 MPa，保持反应温度80℃继续反应8 h后，将反应混合物通过水洗和碱洗除去HF，用冷阱收集产物，其中SbCl5、1,1,1,2,2-五氯丙烷、HF的摩尔比为1:10:200；3)步骤2)得到的产物流进入脱卤化氢反应器，在3价铁负载型催化剂存在下，接触时间30 s，反应温度 350～450 ℃。 （CN101913987A）

2,3,3,3-四氟丙烯的制备方法

1种2,3,3,3-四氟丙烯的制备方法，该方法以2-氯-2,3,3,3-四氟丙烷为原料，在稀释气体存在下热裂解制备2,3,3,3-四氟丙烯，其中稀释气体为氮气、水蒸汽或HF，稀释气体与2-氯-2,3,3,3-四氟丙烷的摩尔比为0～20:1，反应温度450～900℃，接触时间0.01～60 s。该发明提供的制备方法在反应过程中无需催化剂，克服了背景技术催化剂易结焦失活、连续生产周期短的缺陷。（CN101913988A）

2,3,3,3-四氟丙烯的生产方法

1种2,3,3,3-四氟丙烯的生产方法，该方法以2-氯-2,3,3,3-四氟丙烷为原料，在氮气、水蒸汽或HF等稀释气体存在下热裂解制备2,3,3,3-四氟丙烯。该方法首先将稀释气体加热和2-氯-2,3,3,3-四氟丙烷预热，按稀释气体与2-氯-2,3,3,3-四氟丙烷的摩尔比1～20:1进行混合，然后在反应温度450～900℃，接触时间0.01～60 s下进行热裂解反应，反应产物经急冷、分离、除酸、精馏后处理得到2,3,3,3-四氟丙烯产品。该发明提供的制备方法在反应过程中无需催化剂，克服了背景技术催化剂易结焦失活、连续生产周期短的缺陷。（CN101913989A）

通过液相法由1,1,1-三氟-2-氯乙烷制备1,1,1-三氟乙烷

1种新型的通过液相法来用1,1,1-三氟-2-氯乙烷来制备1,1,1-三氟乙烷的方法。包括：在极性溶剂中，在金属配合物的催化下，用金属单质还原1,1,1-三氟-2-氯乙烷得到1,1,1-三氟乙烷。该发明的起始原料1,1,1-三氟-2-氯乙烷廉价易得、反应条件温和，后处理简单。（CN101921170A）

2,3,3,3-四氟丙烯的制备方法

1种2,3,3,3-四氟丙烯的制备方法，该方法以丙烷或丙烯为原料，包括以下步骤：在γ 3价铁化合物负载型催化剂存在下，将原料、氟化氢和氯气混合气通入反应器，反应条件为：反应温度400～500℃，接触时间为 10～60 s，原料、氟化氢和氯气的摩尔比为1～3:25～35:2～6，反应产物经水洗、碱洗除去氯化氢、氯气和氟化氢后，得到2,3,3,3-四氟丙烯。该发明优点在于原料廉价易得，工艺简单。（CN101935268A）

1,1,2,3,3-五氟丙烯的共沸物状组合物

涉及1,1,2,3,3-五氟丙烯（HFO-1225yc）与1,1,1,2-四氟丙烯（HFO-1234yf）或1,1,1,2,3-五氟丙烯的 Z-异构体（HFO-1225yeZ）中任何1种的共沸物状组合物及其用途，包括在制冷剂组合物、制冷系统、发泡剂组合物及气溶胶抛射剂方面的用途。（CN101945842A）

三氟乙烯的制备方法及其催化剂和制备方法

1种催化剂，其包括经过氧化处理的载体以及负载于该载体上的金属活性成分；其中，金属活性成分包括第VIII族的贵金属中的1种或多种。该发明还提供了该催化剂的制备方法以及1种用该催化剂制备三氟乙烯的方法。该发明的催化剂具有高的反应选择性、稳定性和使用寿命，并且通过简单的操作既能恢复催化剂的活性，可以长期使用，明显降低生产成本和减少环境污染。（CN101947445A）

（本栏目信息提供：吴世清）

与硅相关的系列国家标准1

1)GB/T 1551—2009《硅单晶电阻率测定方法》。规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅单晶体电阻率以及测量直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距4倍的硅单晶圆片的电阻率。

2)GB/T 1553—2009 《硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法》。规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法，适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。

3)GB/T 1554—2009 《硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法》。规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法，适用于晶向为＜111＞、＜100＞或＜110＞、电阻率为 10-3～104Ω·cm、位错密度在0～105 cm-2的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。

4)GB/T 1558—2009 《硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法》。规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。适用于电阻率高于3 Ω·cm的P型硅片及电阻率高于1 Ω·cm的N型硅片中代位碳原子含量的测定,对于精密度要求不高的硅片,可以测量电阻率大于0.1 Ω·cm的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于间隙位置,因而本方法不能测定总碳含量。该标准也适用于硅多晶中代位碳原子含量的测定，但其晶粒界间区的碳同样不能测定。

5)GB/T 4058—2009 《硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法》。规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的晶体缺陷的检测。硅单晶氧化诱生缺陷的检验也可参照此方法。

6)GB/T 4061—2009 《硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法》。规定了以三氯氢硅和四氯化硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学腐蚀检验方法。该标准关于断面夹层的检验适用于以三氯氢硅和四氯化硅为原料，以细硅芯为发热体，在还原炉内用氢气还原沉积生长出来的硅多晶棒。

7)GB/T 6616—2009 《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法》。规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。适用于测量直径或边长大于25 mm、厚度为0.1～1 mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。

8)GB/T 6617—2009 《硅片电阻率测定 扩展电阻探针法》。规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法，适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率，测量范围：10-3～102Ω·cm。

9)GB/T 6618—2009 《硅片厚度和总厚度变化测试方法》。规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片（简称硅片）厚度和总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。适用于符合GB/T 12964、GB/T 12965、GB/T 14139规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试仪器允许的情况下，该标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量。

10)GB/T 6619—2009《硅片弯曲度测试方法》。规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片（以下简称硅片）弯曲度的接触式测量方法。适用于测量直径不小于25 mm、厚度为不小于180 μm，直径和厚度比不大于250的圆形硅片的弯曲度。该测试方法的目的是用于来料验收和过程控制，也适用于测量其他半导体圆片弯曲度。

11)GB/T 6620—2009《硅片翘曲度非接触式测试方法》。规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片（以下简称硅片）翘曲度的非接触式测试方法。适用于测量直径大于50 mm、厚度大于180 μm的圆形硅片，也适用于测量其他半导体圆片的翘曲度。该测试方法的目的是用于来料验收或过程控制，该测试方法也适用于监视器件加工过程中硅片翘曲度的热化学效应。

12)GB/T 6621—2009《硅片表面平整度测试方法》。规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参考此方法。适用于测量标准直径76、100、125、150、200 mm， 电阻率不大于 200 Ω·cm 厚度不大于 1 000 μm的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。

13)GB/T 6624—2009 《硅抛光片表面质量目测检验方法》。规定了在一定光照条件下，用目测检验单晶抛光片（以下简称抛光片）表面质量的方法，适用于硅抛光片表面质量检验。外延片表面质量目测检验也可参考本方法进行。

14)GB/T 12963—2009《硅多晶》。规定了硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、运输、贮存，适用于以三氯氢硅或四氯化硅用氢还原法制得的硅多晶。

15)GB/T 13387—2009 《硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法》。用于标称圆形晶片边缘平直部分长度小于等于65mm的电学材料，该标准仅对硅片精度进行确认，预期精度不因材料而改变，适用于仲裁测量，当规定的限度要求高于用尺子和肉眼检测能够获得的精度时，该标准也可用于常规验收测量。

16)GB/T 14139—2009《硅外延片》。规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则及标志、包装运输、贮存等，适用于在N型硅抛光片衬底上生长的N型外延层（N/N＋）和在p型硅抛光片衬底上生长的P型外延层（P/P＋）的同质硅外延片。产品主要用于制作硅半导体器件。其他类型的硅外延片可参照使用。

以上标准已于2010-06-01起实施。

（本栏目信息提供：吴世清）