芯片完成“40纳米”跨越展讯实现战略性前瞻布局

本刊记者 | 王涛

“TD手机的成本要想接近2G，65纳米芯片根本做不到，只能再往小做。”

从150纳米到40纳米的距离有多远？展讯的答案是“14个月”。

2011年1月19日，展讯正式发布全球首款40纳米TD-HSPA/TD-SCDMA多模通信芯片SC8800G，并现场展示了多款基于该芯片的商用手机产品。

需要再次强调的是，这个历时14个月推出的“40纳米”已是商用品。与此形成强烈反差的是展讯“甚至去年量产的产品都是180或者150纳米技术的东西”。

在美国硅谷屡屡上演的创新公司“以小博大”的故事，被原汁原味地移植在了这个中国色彩浓厚的芯片公司上面，样本意义不言而喻。

近乎“疯狂”

按照芯片设计的正常逻辑，工艺升级遵循的节点一般是180纳米（这也是展讯芯片工艺的起点）、150纳米、90纳米、65纳米、55纳米、45纳米……而每个节点按照正常的开发、量产、成熟时间，大致需要2-3年。

回想这场芯片工艺“大跃进”，始作俑者展讯董事长兼首席执行官李力游似乎也有些“不寒而栗”，在通信半导体行业做了20多年，他深知此间凶险，“在工业界，这种跳跃是不合理的，是非常不理智的，甚至是错误的”，“很容易失败，实际上跟自杀差不太多”。

在合作者那里，对李力游的质疑差点演化成一场信任危机。其原因在于，展讯的40纳米研发计划依托于两个项目：2008年的科技部国家支撑项目——TD-HSUPA的开发和2009年中国移动与芯片、终端厂家联合申报的3G手机联合开发项目。而这两个项目当时规定的半导体支撑技术就是65纳米。

因此，在合作伙伴们看来，展讯此举自然是疑点重重。一些项目组专家甚至将此解读为故意拖延国家专项进度，因为“你要做65纳米就没有拖延的理由了”。

其实，如果不做40纳米，对于展讯或者TDSCDMA（以下简称“TD”）的芯片工艺演进进程来说，2010年也注定是一个“跨越式”发展的年份。在这一年，65纳米正在逐步成为主流的TD芯片工艺技术，而美国芯片厂商Marvell公司的TD单芯片已经采用了55纳米制作工艺。

在全球顶级芯片厂商英特尔、高通、博通那里，目前其主流商用产品都是基于65纳米技术。而高通基于45纳米技术在售的MSM8x60芯片组平台则属于其最新产品，是去年年中才发布上市的。因此，从工艺环节来看，与WCDMA相比，TD芯片也不算“丢份儿”。

不过，与决策阶段的“疯狂”相比，展讯40纳米项目推进速度之快，也让人们感受到了一丝“疯狂”的意味，这从该项目最后的芯片测试阶段即可见一斑——2010年10月完成流片，其后用了1个月的时间完成了工信部电信管理局进网测试，然后再用近1个月的时间，完成了中国移动的入库测试（海信手机），在12月底，又通过了前述项目的专家组验收。之后，李力游再次“冒险”——不做样片直接量产。“我们一次量产相对比较成功，当然这还在于前面每个环节都配合得比较好。”李力游说。

展讯的逻辑

虽然在与WCDMA芯片工艺的横向比较上TD失分不多，但是从TD整体商用的状态看，情况并不乐观。截至去年底，TD用户数虽然升至1883.5万户，但是经过此前两年多的市场培育，TD的口碑提升依然缓慢，用李力游的话来说，“对TD的抱怨已经形成一种固化的思维方式，就是TD手机一定不好用”。

因此，从李力游在多个场合的宣讲中，我们也可以一窥其在“40纳米”问题上的逻辑出发点，即：TD手机的用户体验要与2G相同，成本、价格要与后者接近，而性能表现则要让消费者形成绝对的代差概念。这是扭转TD形象的关键，也是TD成功的关键。

由此逆推，展讯的逻辑变得简单。展讯方面做过测算，TD手机的成本要想接近2G，65纳米芯片根本做不到，“只能再往小做”。另一个现实问题是，目前全球主流芯片企业都在做65纳米，而“65纳米的产能明显不足”。

当然，选择40纳米工艺，也缘于高集成度设计一直是展讯的竞争优势之一。同时，展讯在风险规避上做到了“外紧内松”，从技术准备到内外部资源整合、资金支持以及产业链协作，直至后来的系统架构设计等环节，基本做到了风险可控，“只是外面看起来觉得比较危险而已”，李力游说。

其实，40纳米工艺对于展讯而言，还有这另外一层隐含的战略意义，那就是为TD-LTE的研发夯实基础。在TD-LTE时代，终端功耗、性能及成本的控制难度将进一步增加，此时更需要40纳米以下的工艺技术作为支撑。因此，提前布局40纳米，无疑为展讯产品线的后续发展埋下了伏笔。据了解，展讯已于2010年启动了TD-LTETD-SCDMAGSM三模芯片项目。

格局裂变

从某种意义上说，展讯切入中国芯片业就是始于TD。但是由于中国3G商用启动较晚，展讯曾一度将精力更多地聚焦在了2G产品线上。其间，从初期的小有斩获到两年前的风雨飘摇，再到今天的浴火重生，展讯演绎了中国芯片业近几年来最为跌宕起伏的桥段。此次携40纳米利器征战TD市场，对李力游而言，自然别有滋味。

从第三方的实测数据来看，相较竞争对手，展讯的SC8800G可谓集高性能、低功耗、高集成度、低成本四大优势于一身。而在与业内前沿WCDMA芯片厂商的产品参数对比中，SC8800G的数据也颇为“抢眼”。虽然展讯的“40纳米”最终还需要用户环节的真实检验，但对于此前已经积累了丰富质量控制经验的展讯来说似乎问题不大。

此外，此前一直宣称将在2010年推出TD产品的高通，目前来看，对TD-LTE的兴趣更大。有消息称，首款采用高通芯片的TD-LTE产品预计2011年中正式推出。

此前的TD芯片设计市场，厂商们基本属于“各有所长”，此番展讯及联发科的轮番发力，相信会给这个市场带来更为积极的改变，甚至会给未来的中国芯片业带来诸多变数，此间“一切皆有可能”，正如去年底发生在展讯与某顶级芯片厂商间的对话：

展讯：“我们之间的合作要用我们的40纳米！”

对方：“我们都没做出来呢，你别瞎扯！”